SEMICONDUCTEURS
M1 Phytem- E. Deleporte – 2005/2006
PLAN DU COURS:
I) Propriétés des semiconducteurs massifs
1) Introduction
2) Généralités
a) Semiconducteurs à gap direct / gap indirect
b) Masse effective des électrons
c) Densité d’états électroniques
d) Probabilité d’occupation des états électroniques
e) Notion de trou
3) Semiconducteur à l’équilibre thermodynamique (voir TD 1)
a) Détermination des densité de porteurs (n pour les électrons, p
pour les trous) et du potentiel chimique (m)
b) Semiconducteur intrinsèque
- définition
- Etude de n, p et m en fonction de la température
c) Semiconducteur extrinsèque
- définition
- Etude de n, p et m en fonction de la température
4) Semiconducteur hors d’équilibre
a) Semiconducteur soumis à un champ électrique statique
• mobilité
• conductivité
b) Semiconducteur soumis à un champ électrique alternatif: courant de
déplacement
c) Gradient de concentration: courant de diffusion
d) Relation d’Einstein
e) Durée de vie des porteurs
5) Coefficient d’absorption de semiconducteurs massifs (voir TD 2)
II) Jonction PN
1) Courant de diffusion
2) Jonction PN abrupte à l’équilibre thermodynamique
a) Jonction abrupte
b) Charge d’espace
c) Tension de diffusion
d) Potentiel et champ électriques
e) Largeur de la zone de charge d’espace
3) Jonction PN abrupte polarisée
a) Principe de fonctionnement en régime de faible injection: courant
direct, courant inverse
b) Distribution des porteurs minoritaires dans les régions neutres
c) Courant de porteurs minoritaires
d) Caractéristique: loi de Schokley
e) Courant de porteurs majoritaires