Université Montellier 2 ère Master EEA, 1 année Examen de Capteurs et Physique des Composants (FMEE231) – durée 2 heures 30/03/2009 Aucun document autorisé. Calculatrices autorisées. 1 point par question. Nom : 1 Prénom : Num. étudiant : Points : Quelles sont les deux premières lois de Newton. Qu’est ce qu’une force ? 2 Points : Définir le vecteur d’onde et la pulsation d’une onde sinusoïdale progressive. Qu’appelle-t-on une relation de dispersion ? Qu’est ce qu’un milieu dispersif ? 3 Points : Ecrire l’équation différentielle de la position d’une masse reliée à un ressort attaché à un mur. Le frottement visqueux de la table sur la masse l’équation dans ce cas ? F = −α x est tel que l’oscillation est amortie faiblement. Quelle est la solution de € 4 Points : Qu’est ce que Coulomb a découvert? (La réponse n’est pas l’Amérique…). 1 5 Points : Qu’est ce que l’équation de Poisson ? Calculer le potentiel électrique entre x0 et x1 sachant que la densité de charge dans cette région est une constante qui vaut A et que les conditions aux limites sont V(x0)=0 et E(x0)=0. 6 Points : Qu’appelle-t-on principe d’incertitude en mécanique quantique ? Quelle information donne la fonction d’onde ? 7 Points : Ecrire l’équation de Schrödinger indépendante du temps. Donnez la solution de l’équation pour un faisceau de particules monochromatique se trouvant dans une région dont l’énergie potentielle est inférieure à celle des particules du faisceau. 8 Points : Calculer la densité d’atomes dans un cristal avec une structure fcc (cubique à faces centrées) et de côté égal à 5 angstrom. 9 Points : Tracer pour un cristal cubique tridimensionnel le plan (111). 2 10 Points : Tracer l’allure du potentiel périodique V(x) dans le modèle de Kronig-Penney. Le théorème de Bloch établit que la ikx fonction d’onde d’un électron dans le potentiel V(x) s’écrit ψ(x)=u(x)e . Que peut-on dire de la fonction u(x) ? 11 Points : Donner la relation permettant de calculer la valeur de la masse effective à partir de la connaissance de la relation E(k) liant l’énergie E au moment k. 12 Points : Le gap d’énergie dans le silicium vaut Eg=1,12 eV. Calculer la longueur d’onde maximale d’un photon incident qui peut interagir avec un électron en bande de valence et l’amener en bande de conduction. 13 Points : Qu’est ce qu’un semiconducteur à gap direct ? 14 Points : Dans un semiconducteur à température ambiante, la valeur du gap d’énergie est largement supérieure ou inférieure à KT ? (K est la constante de Boltzmann) 15 Points : 2 2 Sachant que la densité d’états dans un cristal semiconducteur est donnée par g(k)dk=k dk/π et en utilisant la relations E(k) pour un électron libre, calculer la densité d’états en fonction de l’énergie g(E)dE. 3 16 Points : * 3/2 3 La densité d’états en bande de conduction d’un semiconducteur peut s’écrire g(E)=4π(2m ) √(E-Ec)/h . Calculer le -34 * nombre d’états par unité de volume entre Ec et Ec+1 eV. Utiliser les valeurs h=6,6×10 Js, m =0,5 m0, -31 -19 m0=9,11×10 kg, 1 eV= 1,6×10 J. 17 Points : Tracer qualitativement l’allure de la fonction de distribution de Fermi-Dirac fF(E) pour deux températures T1=0 K et T2>T1. 18 Points : Calculer la probabilité qu’un état d’énergie E-EF=50 meV soit occupé par un électron (EF est l’énergie de Fermi). 19 Points : Tracer schématiquement l’allure des courbes n(E)=gc(E)fF(E) et p(E)=gv(E)[1-fF(E)] donnant respectivement la densité d’électrons en bande de conduction et la densité de trous en bande de valence par unité d’énergie dans un semiconducteur à température ambiante. 20 Points : Où se trouve le niveau de Fermi d’un semiconducteur intrinsèque si € 4 m*n = m*p ?