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ELE2302 – Solution contrôle H2005 5/6 A. Khouas
21/02/2005
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
0 0.5 1 1.5 2
Temps(ms)
Tension (V)
VR
Vi
3.4 Pour la suite des questions, on suppose que RL=10kΩ et C=0.5µF. Calculer les
tensions min et max aux bornes de la résistance RL.
VRmax = 4.3 V
VRmin = 4.3exp(-T/2/RLC)=4.3exp(-1/10)=3.89
3.5 Calculer le pourcentage de conduction de la diode, le courant moyen qui traverse la
diode et la tension inverse maximum (PIV) aux bornes de la diode.
Pourcentage de conduction : 50% (la diode conduit pendant la moitié de la période)
Courant moyen =4.3/10 = 0.43 mA
PIV = (4.3-(-5)) = 9.3V
4. Exercice 4 (5 pts)
On considère un transistor NMOS ayant µnCox=50 µA/V2. Dans la région linéaire, et pour
une tension VDS=0.1V, le transistor conduit un courant ID de 60µA pour VGS=2V et un
courant de 160 µA pour VGS=4V.
4.1 Quelle est la valeur de la tension de seuil du transistor ?
On a : ID1 / ID2 =((VGS1–VT)VDS – VDS2/2) / ((VGS2–VT)VDS – VDS2/2)
==> VT =0.75V
4.2 Quelle est la valeur du rapport W/L du transistor ?
On a : ID =
µ
nCoxW/L ((VGS–VT)VDS – VDS2/2)
60 = 50 W/L (1.25*0.1 – 0.12/2)
Il y a eu une erreur dans l’énoncé,
µ
nCox est en
µ
A/V2 au lieu de mA/V2
==> W/L = 10 (pour
µ
nCox=50
µ
A/V2)
==> W/L = 0.01 (pour
µ
nCox=50 mA/V2) en tenant compte de l’erreur
4.3 Calculer la valeur du courant ID pour VGS=3V et VDS=0.15V.
On a : ID =
µ
nCoxW/L ((VGS–VT)VDS – VDS2/2)
= 50*10*(2.25*0.15- 0.152/2)
==> ID =163.25
µ
A
4.4 Dans la région de saturation et pour une tension VGS donnée, le transistor conduit un
courant ID de 2mA pour VDS=4V et 2.2mA pour VDS=8V. Calculer le facteur de