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EXAMEN D'ELECTRONIQUE
PARTIE A
QCM sans documents ; durée : 45 mn ; barème : 8 points.
PARTIE B
Durée : 2 h 15 ; barème : 12 points.
Documents manuscrits et photocopies de transparents autorisés.
Choix : question III.1 ou question III.2.
REMARQUES PRELIMINAIRES : rappelons quelques péchés mortels pour des
ingénieurs :
• omettre de vérifier l'homogénéité des formules littérales,
• omettre de s'assurer de la vraisemblance des ordres de grandeur (et des
signes) des résultats numériques,
• omettre de faire des approximations évidentes,
• se lancer dans des calculs abracadabrants sans réfléchir (comme les années
précédentes, aucune question de ce problème ne nécessite plus de quatre ou
cinq lignes de calcul une fois que les équations sont correctement posées).
On rappelle que, pour tous les calculs littéraux (et notamment dans la présentation
du résultat final), on doit toujours s'efforcer de faire apparaître des grandeurs sans
dimension.
Il sera tenu le plus grand compte de la précision, de la clarté et de l'élégance de la
rédaction ; les "explications" constituées d'une suite d'équations séparées par des
signes ⇒ sans commentaires ne sont pas acceptables.
Tous les diagrammes de Bode demandés sont les diagrammes asymptotiques.
______________
On considère un transistor NMOS décrit par le modèle le plus simple présenté en
cours (modèle de Shichman-Hodges). Dans tous les circuits considérés ici, le substrat
et la source sont reliés, de sorte que le transistor a toujours le fonctionnement normal
décrit en cours.
I. Généralités
On rappelle que la transconductance d’un transistor MOS est définie par
.
La Figure 1 représente (aire grisée) le schéma équivalent "petits signaux" d'un
transistor NMOS décrit par le modèle de Shichman et Hodges. Conformément aux
conventions de notation du cours, iDS, vGS, vDS désignent des "petites" variations de ce
courant et de ces tensions, autour d'un point de fonctionnement.