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Les paramètres des deux transistors utilisés sont indiqués dans le tableau suivant :
Transistor bipolaire T1β = 250 VBE = 0,6 V Tension de Early : VA = - 100 V
Transistor JFET T2IDSS = 8 mA VP = -3 V λ = 10-3 V-1
On rappelle que dans sa zone de “plateau” c’est-à-dire pour des valeurs de VDS telles que :
VDS
≥
VGS - VP, le JFET canal N est décrit par la relation :
II V
VV
DDSS
GS
P
DS
=− +()(.)11
2
λ
(1)
On choisit pour le transistor bipolaire T1, un courant de repos de collecteur IC repos de 2mA , sous
une tension VCE repos de 7,4 V.
3. Déterminer la valeur de la résistance de polarisation RB du transistor T1.
4. Déterminer la valeur du courant de drain ID repos de T2 en justifiant votre réponse.
5. En supposant a priori que le terme (λλ
λλ VDS) est petit devant 1, déterminer :
a. La valeur de la tension VGS repos du JFET T2.
b. La valeur qu’il faut alors donner à la résistance de polarisation R2.
c. La valeur de la tension VDS repos du JFET.
d. Vérifier d’une part, que l’approximation précédente est légitime et d’autre part que
T2 fonctionne bien dans sa zone de plateau.
6. Déterminer l’expression de la transconductance gm2 du transistor T2 ainsi que sa résistance
interne rds. Faire l’application numérique.
On se propose maintenant de déterminer le gain en tension A = vs1 / ve du montage.
Dans un premier temps, il convient de connaître aux petites variations et aux fréquences moyennes,
la résistance équivalente Ri du dipôle constitué par le transistor T2 et sa résistance R2.
7. Dessiner dans le cadre ci-dessous, le schéma équivalent aux petites variations et aux
fréquences moyennes du dipôle constitué exclusivement par le transistor JFET T2 et sa
résistance R2. Sachant que ce dipôle est excité par un générateur de tension sinusoïdale u qui
débite un courant i, la résistance équivalente Ri du dipôle est égale à l’expression : (u / i ).
-
+
u
i
C1