ELECTRONIQUE ANALOGIQUE L3EEA 2013

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE L3EEA
2013-2014
Documents non autorisés – Calculatrice autorisée – barème proposé
Durée : 1h30
Question de cours (5 points)
Expliquer le fonctionnement du transistor à effet de champ à jonction (JFET canal N) dont le
schéma est représenté ci-dessous en indiquant notamment :
- le signe de la tension de polarisation VGS et sa conséquence sur le mode de
fonctionnement de la jonction P+N (valeur du courant IG, zone de déplétion, canal…) ;
- l’expression du courant de drain en fonction de la tension VGS. On fera apparaître les
grandeurs IDSS et VP et on donnera leur signification physique.
Problème (15 points)
L’étude proposée porte sur le comportement du montage de la figure ci-dessous. Le transistor
bipolaire possède les caractéristiques suivantes :
.
I-
Etude du régime continu (6 points)
1234-
Identifier les différents condensateurs du circuit et donner leur fonction.
Quel nom donne-t-on à ce type de polarisation ? Quel est son avantage ?
Donner le schéma équivalent du circuit en régime statique.
Déterminer le point de fonctionnement du montage (IC0, VCE0, IB0) sachant que
VBE0 = 0.6 V.
II-
Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences moyennes (9
points)
5- Identifier le montage. On précisera le rôle joué par
.
6- Définir les termes « faibles signaux » et « fréquences moyennes » et préciser les
hypothèses qui en découlent.
7- Evaluer les paramètres rbe ( ) et rce (1/ ) du transistor à partir des courants IB0 et
IC0. En déduire le schéma simplifié du transistor aux petits signaux et fréquences
moyennes.
8- Donner le schéma équivalent en petits signaux aux fréquences moyennes du montage
complet.
9- Déterminer et calculer le gain en tension à vide
. Le signal d’entrée
est
pris sur la base du transistor.
10- Evaluer la résistance d’entrée .
11- Evaluer la résistance de sortie .
12- Déterminer et calculer le gain composite
13- Conclure sur l’intérêt du montage.
en fonction de RG, ZE et AV0.
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