Caractéristiques d`un transistor à effet de champs

Laboratoire de mesures et vérification
Laboratoire de caractérisation
1ère partie : Caractéristiques d’un transistor à effet de champs
But: Concevoir un instrument virtuel « VI » ainsi qu’un circuit permettant de
mesurer les caractéristiques d’un transistor de type MOSFET.
Schéma:
Démarche :
Il s’agit d’appliquer une tension Vgs en partant de 0V jusqu'à 10V et de lire
la tension Vds ainsi que le courant Id correspondant. Pour mesurer le courant
il suffit de lire la tension aux bornes de la résistance R1 et de calculer le
courant. Mesurer la résistance avant de l’installer. Utilisez cette valeur
comme référence.
Reliez les signaux Vgs à une sortie analogique de la carte AT-MIO 16.
Reliez les signaux Vds et Vr1 aux entrées analogiques de la carte
d’acquisition.
Montrez sur un graphe, la tension Vgs en fonction du courant Id, de la
tension Vds, et de la puissance P. Montrez également un graphe de la
fonction de sortie, c.-à-d. Vds en fonction de Id.
Une fois le test terminé, n’oubliez pas d’éteindre le transistor pour éviter
qu’il ne surchauffe.
Répétez ces tests pour des tensions Vcc de 8Volts et 12 Volts.

Écrivez un VI qui automatise ce processus.
Effectuez quelques mesures manuelles avant d’essayer le programme pour
vous donnez quelques valeurs pour comparer à celle obtenues par le
programme.
2 ième partie : Caractéristiques d’un radiateur
But: Concevoir un instrument virtuel « VI » ainsi qu’un circuit permettant de
mesurer la résistance thermique d’un radiateur.
Matériel :
- Un transistor MOSFET de type N, muni d’un radiateur
- Un capteur de type RTD
- Un module normalisation opto-isolé pour RTD
- Un bloc d’alimentation
Démarche :
- Mesurez la température ambiante à l’aide du capteur
- Reliez le capteur de type RTD au radiateur
- Concevoir et exécuter le « VI » répondant aux exigences suivantes
- Écrivez un rapport de laboratoire, sous forme de page WEB, publiant vos
résultats.
Éléments du programme (VI ):
- Demande à l’opérateur de confirmer le début du test (bouton de départ).
- Rapporte une erreur à la console si la puissance dans le transistor ne varie
pas et arrête le processus, signalant le problème.
- Écrivez les valeurs de courants, de tensions et de températures dans une
matrice.
- Laissez un délai suffisant au système pour atteindre l’équilibre thermique
entre chaque mesure.
- Si la température ou la puissance maximale est excédée, un indicateur doit
paraître.
- Affichez la résistance thermique ainsi qu’un graphe des mesures effectuées.
- Comparez vos résultats avec vos collèges de classe.
- Le programme doit contenir au moins un « sub-vi ».