Transistor à effet de champ MOSFET
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Transistor à effet de champ MOSFET 1. Structure et fonctionnement 2. Caractéristiques courant-tension 3. Circuits à MOSFET en DC 4. Fonctionnement en AC et modèles « petit signal » 5. Amplificateurs à MOSFET 6. Fonctionnement en commutation 1. Structure et fonctionnement Transistor NMOS Symbole 1. Structure et fonctionnement Fonctionnement avec VGS = 0 et VDS > 0 Les deux jonctions PN (G-S et G-D) sont bloquées Un très faible courant (IDSS) circule entre D et S 1. Structure et fonctionnement Fonctionnement avec VGS > 0 et VDS = 0 Lorsque vGS > Vt, un canal du type n est formé sous l'électrode Gate Vt = tension de seuil de conduction 1. Structure et fonctionnement Fonctionnement avec VGS > 0 et VDS > 0 (faible) Lorsque vGS > 0 et vDS > 0 (faible), le MOSFET fonctionne comme une résistance linéaire dont la valeur est commandée par la tension vGS. 1. Structure et fonctionnement Fonctionnement avec VGS > 0 et VDS > 0 (faible) Lorsque vGS > 0 et vDS > 0 (faible), le MOSFET fonctionne comme une résistance linéaire dont la valeur est commandée par la tension vGS. 1. Structure et fonctionnement Fonctionnement avec VGS > 0 et VDS > 0 (élevée) Lorsque vGS > 0 et vDS > VOV, la tension vGS n'a plus d'effet sur le canal et le courant iD demeure constant (saturation). Les porteurs de charge sont des électrons. 1. Structure et fonctionnement Fonctionnement avec VGS > 0 et VDS > 0 (élevée) 1. Structure et fonctionnement Transistor PMOS Symbole Le transistor PMOS fonctionne de façon semblable à un transistor NMOS. La polarité des sources est inversée. La tension vGS négative induit un canal du type p. Les porteurs de charge sont des trous. 2. Caractéristiques courant-tension Zones de fonctionnement du transistor NMOS 2. Caractéristiques courant-tension Caractéristique ID-VDS 2. Caractéristiques courant-tension Caractéristique de transfert ID-VGS 2. Caractéristiques courant-tension Modèle « grand signal » d'un transistor NMOS 2. Caractéristiques courant-tension Effet de la tension VDS sur le courant ID 2. Caractéristiques courant-tension Modèle « grand signal » d'un transistor NMOS (incluant ro) 3. Circuits à MOSFETs en DC Pour analyser un circuit à MOSFETs en DC, on utilise le modèle « grand signal » pour chaque MOSFET. 3. Circuits à MOSFETs en DC Exemple d'analyse MOSFET Q1 3. Circuits à MOSFETs en DC Exemple d'analyse Calcul 3. Circuits à MOSFETs en DC Exemple d'analyse Solution graphique 4. Fonctionnement en AC et modèles « petit signal » Signal AC Tension DC (polarisation) 4. Fonctionnement en AC et modèles « petit signal » Signal de sortie vds Signal d'entrée vgs 4. Fonctionnement en AC et modèles « petit signal » Transconductance gm 4. Fonctionnement en AC et modèles « petit signal » Transconductance gm 4. Fonctionnement en AC et modèles « petit signal » Modèle PI-hybride Modèle PI-hybride complet (avec ro) 5. Amplificateur à MOSFET Amplificateur de tension 5. Amplificateur à MOSFET Montage Source Commune MOSFET Q1 5. Amplificateur à MOSFET Montage Source Commune Analyse DC MOSFET Q1 5. Amplificateur à MOSFET Montage Source Commune Calcul des paramètres « petit signal » du MOSFET 5. Amplificateur à MOSFET Montage Source Commune Circuit équivalent « petit signal » 5. Amplificateur à MOSFET Montage Source Commune Circuit équivalent « petit signal » de l'amplificateur Rin = R2 // R3 Ro = RD // ro Avo = -gm(RD // ro) 5. Amplificateur à MOSFET Montage Source Commune Calcul des paramètres de l'amplificateur
