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Exercice 4 :
Soit le hacheur à stockage inductif de type Buck-Boost
débitant dans une résistance pure R de la figure ci-contre.
Le transistor Tp est commandé dans l’intervalle [0,αT] où
T est la période de découpage.
1) Tracer sur la période T les ondes de iL , iD , ie et ic.
2) Exprimer les valeurs moyennes de us et iL en fonction de α. En déduire la valeur maximale de (Us)moy.
Calculer cette valeur pour r/R=0 et 0.02. Quelle valeur prendra la moyenne de iL ?
3) En négligeant la résistance interne r de la bobine, déterminer les ondulations maximales de us et iL dans le
cas où RC<<T.
Exercice 5 :
Soit l’alimentation à découpage de type Flyback à stockage
inductif débitant dans une résistance pure R de la figure
ci-contre.
Le transistor Tp est commandé dans l’intervalle [0,αT] où
T est la période de découpage.
Soient m le rapport de transformation, l1 et l2 les
inductances des enroulements primaire et secondaire, r1 et
r2 leurs résistances.
1) Tracer sur la période T les ondes de i1 , i2 , v1 , v2 et us.
2) Exprimer les valeurs moyennes de us , i1 et i2 en fonction de α. Déterminer la valeur maximale (Us)max.
3) Déterminer l’ondulation de us en fonction de α.
On donne : Es=220 ; r1=1 Ω ; r2=0.1 Ω ; m=0.1 ; C=100µF ; T=10 kHz ; R=10 Ω.
Exercice 6 :
Soit l’alimentation à découpage de type série en demi-pont
débitant dans une résistance pure R de la figure ci-contre.
On commande les transistors dans l’intervalle [0,αT] où T
est la période de hachage. On désigne par m le rapport de
transformation secondaire/primaire, r2 la résistance de
l’enroulement secondaire. La résistance primaire est
négligeable.
1) Tracer sur la période de hachage T les ondes de v1, v2 ,
i1 , i2 il et iDRL.
2) Déterminer les valeurs moyennes de us et il en fonction de α.
3) Pour quelle valeur de α la démagnétisation du circuit magnétique du transformateur est complète à la
fin de chaque cycle ? Que prendront les valeurs moyennes de us et il ?
4) Déterminer les ondulations maximales de us et il.
On donne : Es=220 ; r2=1 Ω ; m=0.1 ; r=0.5 Ω ; C=10µF, T=10 kHz ; R=10 Ω.
R
EsC
D
VTp i2
v1
T
u
v2
i1
R
E
C
D
VTp iD
L,r
T
us
iL
ie
R
C
l
Es
D3 il
DRL
T1
iDR
i1
D2 i
v1
T
v2