ELECTRONIQUE MONTIGNY Eric Composants semi

ELECTRONIQUE
MONTIGNY Eric
Composants semi-conducteurs pour la commutation
♣ Le thyristor :
Le thyristor est un composant semi-conducteur qui permet la conduction, si une tension de commande lui est appliquée. Les
thyristors sont des dispositifs à semi-conducteurs très utilisés pour contrôler une puissance électrique.
La constitution, et le symbole :
Caractéristique idéale :
Caractéristique réelle :
♠ Exemple d’application :
♣ Le triac :
♣ Le DIAC :
Le DIAC est un composant semi-conducteur bidirectionnel qui conduit quand la tension appliquée à ces bornes dépasse un certain
seuil. Il est essentiellement utilisé pour déclencher le thyristor et le triac. Il ne possède que deux connexions.
Au départ la tension V+ est nulle. Si elle croit, le DIAC ne va pas conduire (sauf pour un léger courant de fuite). Lorsque V+
atteint la tension de seuil (de l’ordre de 10 à 30V), le DIAC devient conducteur, ce qui va provoquer une chute de tension à ses
bornes.
♣ L’IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor)
On applique une tension VGS > VT ce qui provoque l’apparition d’un courant latéral dans la région P+ entre drain et source. Ce type
de transistor peut supporter de fortes tensions (jusqu’à 600V) et de forts courants (jusqu’à 50A).
♠ Caractéristiques techniques :
L’IGBT est un transistor de puissance qui associe un MOS avec un BJT. Ces caractéristiques sont les suivantes :
Tension de seuil
2 à 4V
Courant en mode saturé
1
I D = .C OX .w.U SAT .(VGS − VT )
2
USAT : avec USAT la vitesse de saturation (qui est de l’ordre de 5.106 cm/s pour le silicium).