♣ Le DIAC :
Le DIAC est un composant semi-conducteur bidirectionnel qui conduit quand la tension appliquée à ces bornes dépasse un certain
seuil. Il est essentiellement utilisé pour déclencher le thyristor et le triac. Il ne possède que deux connexions.
Au départ la tension V+ est nulle. Si elle croit, le DIAC ne va pas conduire (sauf pour un léger courant de fuite). Lorsque V+
atteint la tension de seuil (de l’ordre de 10 à 30V), le DIAC devient conducteur, ce qui va provoquer une chute de tension à ses
bornes.
♣ L’IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor)
On applique une tension VGS > VT ce qui provoque l’apparition d’un courant latéral dans la région P+ entre drain et source. Ce type
de transistor peut supporter de fortes tensions (jusqu’à 600V) et de forts courants (jusqu’à 50A).
♠ Caractéristiques techniques :
L’IGBT est un transistor de puissance qui associe un MOS avec un BJT. Ces caractéristiques sont les suivantes :
Tension de seuil 2 à 4V
Courant en mode saturé ).(...
2
1
TGSSATOXD VVUwCI −=
USAT : avec USAT la vitesse de saturation (qui est de l’ordre de 5.106 cm/s pour le silicium).