Pr´evision des effets de vieillissement par
´electromigration dans les circuits int´egr´es CMOS en
nœuds technologiques submicroniques
Boukary Ouattara
To cite this version:
Boukary Ouattara. Pr´evision des effets de vieillissement par ´electromigration dans les cir-
cuits inegr´es CMOS en nœuds technologiques submicroniques. Micro et nanotechnolo-
gies/Micro´electronique. UNIVERSITE PIERRE ET MARIE CURIE, 2014. Fran¸cais. <tel-
01079067v3>
HAL Id: tel-01079067
https://hal.archives-ouvertes.fr/tel-01079067v3
Submitted on 29 Sep 2015 (v3), last revised 25 Jan 2014 (v4)
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THESE DE DOCTORAT DE
L’UNIVERSITE PIERRE ET MARIE CURIE
Spécialité
Microelectronique
École doctorale Informatique, Télécommunications et Électronique (Paris)
Présentée par
M.
Boukary OUATTARA
Pour obtenir le grade de
DOCTEUR de l’UNIVERSITÉ PIERRE ET MARIE CURIE
Sujet de la thèse :
Prévision des effets de vieillissement par électromigration dans les circuits
intégrés CMOS en nœuds technologiques submicroniques.
soutenue le
08/07/2014
devant le jury composé de : (préciser la qualité de chacun des membres).
M. WOUTERS Yves Professeur (Laboratoire SIMaP - Grenoble) Rapporteur
M. ROUZEYRE Bruno Professeur (LIRMM - Montpellier) Rapporteur
M. KOKABI Hamid Professeur (L2E Paris 6) Président du jury
M. VIVET Pascal Docteur-ingénieur (CEA- Grenoble) Examinateur
M. MEHREZ Habib Professeur (LIP6 Paris 6) Directeur de thèse
M. BAZARGAN-SABET Pirouz Maitre de Conférence (LIP6 Paris 6) Co-encadrant de thèse
Mlle. DOYEN Lise Docteur-ingénieur (STMicrolectronics) Encadrante de thèse
Thèse préparée au Laboratoire d’Informatique de Paris 6 (LIP6) en collaboration avec
l’entreprise STMicroelectronics
Laboratoire d’Informatique
de Paris 6
boukary.ouattara
À Sékou OUATTARA
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