Chapitre 1
Spectroscopie d’´emission
1.1 Notions th´eoriques
Au cours de ce laboratoire, nous allons utiliser la spectroscopie d’´emission, plus parti-
culi`erement la photoluminescence (PL), pour caract´eriser deux types de structures quan-
tiques, des puits quantiques et des points quantiques, dans des semi-conducteurs. En com-
parant les ´energies d’´emission mesur´ees `a un mod`ele th´eorique, il sera possible d’extraire
les param`etres g´eom´etriques des diff´erentes structures quantiques.
1.1.1 G´en´eralit´es sur la photoluminescence
La photoluminescence d’un semi-conducteur peut ˆetre d´ecrite comme un processus `a
trois ´etapes tel qu’illustr´e `a la figure 1.1. D’abord, l’excitation de l’´echantillon par la lumi`ere
cr´ee des porteurs de charge (des ´electrons dans la bande de conduction et des trous dans
la bande de valence). Puis, en interagissant avec le r´eseau cristallin, ces porteurs vont se
thermaliser : les ´electrons vont migrer vers le minimum de la bande de conduction et les
trous vers le maximum de la bande de valence. Finalement, un ´electron de la bande de
conduction peut se recombiner avec un trou de la bande de valence et ´emettre un photon.
On parlera alors d’une transition bande `a bande.
Notons que les impuret´es pr´esentes dans les semi-conducteurs affectent significative-
ment leurs propri´et´es d’´emission et que la recombinaison bande `a bande n’est pas le seul
processus observable. Toutefois, dans ce laboratoire, nous allons limiter notre discussion
aux transitions bande `a bande.
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