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CHAPII-REDRESSEUR.pt

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Chap II Études des
montages REDRESSEUR
Plan de la présentation
Introduction et généralités
Les montages parallèles simples
Principe
Valeurs moyenne et efficace de sortie
Tension inverse des diodes
Phénomène d’empiètement
Caractéristique Courant / Tension aux valeurs moyennes
Les montages parallèles doubles
Principe
Valeurs moyenne et efficace de sortie
Tension inverse des diodes
Caractéristique Courant / Tension aux valeurs moyennes
Introduction et généralités
AGIR
Énergie
Électrique
Alternative
Montage
Redresseur
Énergie
Électrique
Continue
Introduction et généralités
Objectif : Obtenir une tension la plus continue possible à partir d’une
source alternative.
Redresseurs parallèle simple
Schéma de principe du redresseur parallèle simple à cathodes communes :
Composants supposés parfaits :
Une source de tension parfaite n-phasée
Une source de courant parfaite
Des interrupteurs statiques = diodes.
Redresseurs parallèle simple
Séquences de conduction :
v1  vD1  uC  0

v2  vD 2  uC  0


vn  vDn  uC  0
Raisonnement par l’absurde sur triphasé
Hypothèse : la diode D1 conduit.
Si la diode D1 conduit, et D2 et D3 bloquées, alors :
Or si D1 conduit, alors uC  v1
vD 2  v2  v1  0  v2  v1
vD3  v3  v1  0  v3  v1
Et donc : 
Par conséquent D1 conduit lorsque v1  v2; v3
Même raisonnement pour D2 et D3.
vD1  0

vD 2  0
v  0
 D3
Redresseurs parallèle simple
Allure de la tension de sortie :
La tension de sortie uC est donc la tension la plus positive des sources
d’alimentation.
Chaque diode conduit donc pendant 2π/n.
Si l’on avait disposé d’un montage parallèle simple à anodes communes,
la tension de sortie serait les arches de sinusoïdes les plus négatives.
On ne s’intéressera par la suite qu’au montage à cathodes communes.
Redresseurs parallèle simple
Valeur moyenne de la tension de sortie :
 
T
U c0 
1
n
u

.
d




C
T 0
2
 

2 n

 

2 n
uC   .d 
n
2

2 n
Vs.

 

2 n
 

nVs
. . 2
nVs
. . 2
 
2
  cos     n 

.sin  

2

n
2 n
2.sin   .d
Redresseurs parallèle simple
Plus le nombre de phases est
importante, plus le rapport
UC0/Vsmax tend vers 1.
Redresseurs parallèle simple
Valeur efficace de la tension de sortie :
 
U ceff 2 
n
2

2 n

 
uC 2   .d 
 

2 n
U ceff  2.Vs
n
2

2 n

Vs 2 .2.sin 2   .d
 

2 n
1 n
 2 

sin 

2 4
 n 
Taux d’ondulation de la tension de sortie :
U
 U c min
On définit le taux d’ondulation par : KUc  c max
2U c 0
Soit : KUc

  
1  cos  n  
 
 

2n
 
sin  
n
Redresseurs parallèle simple
Plus le nombre de phases est
important, plus le taux d’ondulation
tend vers 0.
Redresseurs parallèle simple
Tension inverse d’une diode :
La tension inverse maximale est une des caractéristiques importantes pour
le choix des diodes.
Lorsque la diode D1 conduit, UD1 = 0
Lorsque les diodes D1 et D3 sont bloquées et D2 passante, UD1 = u12
Lorsque les diodes D1 et D2 sont bloquées et D3 passante, UD1 = u13
Si n est pair :
Si n est impair :
VRRM  2.Vs. 2
 
VRRM  2.Vs. 2.cos  
 2n 
Tension sur les composants
v1
v2
v3
 Exemple : montage P3
D1
D2
D3
uc
vD1
n
Phase 1
D1 ‘on’
Phase 2
D2 ‘on’
Phase 3
D3 ‘on’
D1
Tension D1
0
D2
U12
D3
U13
Etude des courants
 Courants dans les diodes
uc
iD1
v3
D1
D2
D3
Les valeurs moyenne, efficace et maximale sont importantes pour le choix des
diodes de redressement.
Etude des courants
 Courants dans les diodes
2π
Valeur moyenne:
2π/q
Ic
IDmoy 
q
Valeur efficace:
2
IDeff
 iD2
Ic2

q
Valeur maximale du courant dans une diode :
IDeff
I D max  IC
Ic

q
Aspect puissance
~
 Au secondaire
=
Charge
Puissance au secondaire du transfo
Le pont est supposé parfait
P  Pcharge
Puissance sur la charge
q

Pcharge  uc Ic  U c 0 Ic  sin .Vm Ic

q
Aspect puissance
Au secondaire
~
=
Puissance apparente
S  q.Vs eff .I s eff
Vm I c
 q.
.
2 q
soit le facteur de puissance au
secondaire :
q

sin Vm I c
P 
q
fs  
Vm I c
S
q.
.
2 q
2q

fs 
sin

q
Aspect puissance
Au primaire
~
=
Puissance au primaire du transfo
Le transformateur est supposé sans pertes
Puissance apparente
S  q.V p eff .I p eff
q 1

.Vm I c
2
q

P  Pcharge  sin .Vm Ic

q
Soit le facteur de
puissance primaire :
fp
q

sin
P

q


S
q 1
2
Aspect puissance
Facteurs de puissance, résumé
q
f
P
f
S

2
3
6
12
0,9
0,827
0,794
0,421
0,637
0,675
0,551
0,404
Le triphasé est le plus intéressant
2q

fs 
sin

q
2 q

fp 
. sin
q 1 
q
Les montages Pq sont très peu utilisés :
- composante continue au primaire
- montages PDq meilleurs
Redresseurs parallèle simple
Le facteur de puissance est maximal pour q =3.
Justification du triphasé.
Chutes de tension des montages Pq
Uc1 Seuil des composants
Uc 3Chutes résistives
•ligne
•Enroulements transformateur
•Diodes
Uc 2 Chutes d’empiètement
•Inductances de fuite des enroulements
Etude des chutes de tension
Objectif : obtenir un modèle électrique :
Diode ‘parfaite’
Req
Ic
uc
Charge du montage
redresseur
Req est la résistance équivalente aux résistances du montage
< uc > = Uc est différent de Uc0
Chutes de tension des montages Pq
1 seule diode
conduit à la fois
i
v1
v2
vq
rD
D1
VAK
D2
v =V +ri
AK
Dq
uc
0
D
V0
n
Diode idéale
(seuil nul)
Donc : U c1  V0
Défauts des montages Pq
Principe de la détermination de Req :
 Chutes de tension résistives
on écrit que les pertes Joule dans le modèle sont
égales à celles du montage réel
q diodes
q phases au secondaire
q’ phases au primaire
q.R .I
D
Deff
2
Req résistance du modèle
équivalent
+ q.R .I + q’.R .I
s
seff
2
p
peff
2
Donc : U c 3  Req .I c
=
R .I
eq
2
c
Etude des Défauts
 Phénomène d’empiètement
Inductance de fuite ramenée au
secondaire du transfo
2
i1
v1
i2
v2
D1
Discontinuité de
courant impossible
Ic
D2
uc
=wt
Ic
n
D1
Théoriquement, une seule diode
conduit à la fois
D2
Etude des Défauts
 Phénomène d’empiètement
i1 + i2 = Ic = constant
2
i1
v1
i2
v2
D1
Ic
D2
uc
i1
i2
=wt
Ic
n
Pas de discontinuité de
courant i1
D1
D2
Commutation de durée 
(angle)
 Empiètement, équations
2
i1
v1
i2
v2
D1
Etude des Défauts
Ic
D2
di2
2
dt
uc
v1+v2

n
di1
dt
di
v 2  u c  2 2
dt
i1  i2  I c
v2
v1
π/q
v1  uc  2
di1 di2

0
dt dt
v1  v 2
uc 
2
2
=wt
Etude des Défauts
 Empiètement-chute de tension
2
i1
v1
i2
v2
D1
Ic
2/q
v2
v1
D2
uc
v1+v2

n
π/q
2
=wt
En instantané
di1
dt
di
v 2  u c  2 2
dt
i1  i2  I c
v1  uc  2
uc2  v 2 
v 2  v1 v 2  v1
di

 s 1
2
2
dt
En moyenne
Uc 2 
q
2
 s

di1
dt
q
Uc 2 
swIc
2
Etude des Défauts
 Durée de l’empiétement
2
i1
v1
i2
v2
D1
Ic
v2
v1
D2
uc
v1+v2

n
v1  Vm cos 
et
 2 
v 2  Vm cos  
q 

π/q
di1
dt
di2
v 2  uc  2
dt
i1  i2  Ic
v1  uc  2
-
2
=wt
di1 v 2  v1
2

dt
2
   
 Vm sin sin   
q  q 
Etude des Défauts
 Durée de l’empiétement
2
i1
v1
i2
v2
Ic
D1
v2
v1
D2
uc
v1+v2

n
π/q
di1 v 2  v1
2

dt
2
   
 Vm sin sin   
q  q 
i1


 
i1 (t )  I c 
sin 1  cos    
2w
q
q 
q
Vm
2
=wt
Ic
π/q
 Durée de l’empiétement
2
i1
v1
i2
v2
D1
Etude des Défauts
Ic
v2
v1
D2
uc
v1+v2

n
π/q
2
=wt
i1
Ic
On écrit i1(t) =0
0  Ic 
Vm
2w
sin


 


1

cos





q
q 
q
π/q
1 cos 
2wIc

Vm sin
q
Etude des Défauts
 Caractéristique de sortie en charge
Uc I c   Uc 0  Uc1  Uc 2  Uc 3
Chute de tension due à
l’empiètement.
seuil des
composants.
U c1  V0

Uc 
U c 0  U c1 
U c 2  U c 3
q
Uc 2 
Sw .I c
2
Req
Chute de tension
résistive
U c 3  Req .I c
Diode ‘parfaite’
Ic
Charge du montage
redresseur
Etude des Défauts
 Caractéristique de sortie en charge
Uc I c   Uc 0  Uc1  Uc 2  Uc 3
seuil des
composants.
Chute de tension due à
l’empiètement.
q
Uc 2 
Sw .I c
2
U c1  V0
Chute de tension
résistive
U c3  Re .I c
Point de court circuit théorique (exemple P3)

I ccth
U c 0  V0
3Vm


q

w
s
Req 
 sw
2
 Principe
Structures parallèles doubles
On se ramène au Pq en étudiant les potentiels par rapport au neutre
D1 D2
v1
D3
uc1
v2
uc2
vq
D’1 D’2
D’3
Potentiel du neutre
On obtient ensuite uc en faisant :
uc = uc1 – uc2
Structures parallèles doubles
 Montage PD3
D1 D2
D3
uc1
v1
N
v2
v3
uc2
D’1 D’2 D’3
N
D’2
U12
D3
D2
D1
D’3
U13
U23
D’1
U21 U31 U32
D1
D’2
Structures parallèles doubles
 Tension moyenne
D1 D2
D3
uc1
v1
N
v2
v3
uc2
D’1 D’2 D’3
N
uc  uc1  uc2
Uc  Uc1 Uc2
2q

U c  sin Vm

q
Structures parallèles doubles
 Courants
iD1
D1 D2
iS1
D3
uc1
v1
N
v2
v3
N
uc2
D’1 D’2 D’3
iD1 iD’1
iD’1
Is1= ID1- ID’1
Structures parallèles doubles
 Facteurs de puissance
2
iD1
iS1
2/q
Moyen
Diode
Secondaire
IDmoy 
0

Primaire
Ic
q
Efficace
IDeff 
IC
q
IS 
2
.IC
q

IP 
0

q
f
S

f
p
2
3
6
12
0,9
0,955
0,78
0,57

2 n2
. .IC
q n1
Le PD3 est presque toujours utilisé en forte puissance

Tension inverse maximale :
Si n est pair : VRRM  2.Vs. 2

 
Si n est impair : VRRM  2.Vs. 2.cos  
 2n 
Redresseurs parallèle double non
commandé
Expression de la puissance active P :
Si l’on suppose que le montage redresseur est sans perte (η=1), la
puissance fournie par la source est égale à la puissance au niveau de la
charge, soit :
2
1
P
uC   .iC   .d
2 0
Or, le courant dans la charge iC(θ) est supposé constant, on a alors :
 
P  U C 0 .I C 
.Vs.I C . 2.sin  

n
2n
Expression de la puissance réactive Q :
La puissance réactive est véhiculée par les harmoniques de même rang,
donc par le fondamental des courants iS(θ), qui sont en phase avec les
tensions simples (cela reste à démontrer proprement). Si l’on néglige le
phénomène d’empiètement , on a donc :
Q0
Redresseurs parallèle double non
commandé
Expression de la puissance déformante D :
Dans le cas où les signaux ne sont pas sinusoïdaux, il existe une
puissance dite déformante qui intervient. On a donc :
S  P2  Q2  D2
Or la puissance réactive Q est nulle, donc :
D  S  P  2n .VS I C . 1 
2
2
2  
sin
 
2
n
4n2
Redresseurs parallèle double
Caractéristique Courant / Tension aux valeurs moyennes :
On a donc, en tenant compte des valeurs moyennes :
U S  U C  Rred .I C

n

 
U

2.
V
2
sin

V
 C
s
  F

n



Avec : 
 R  2.  r  n. S w  R 
S 
T
 red
2


Rred
Ic
Uc
Us
US
0
IC
Montage en pont double
 Pont complet tout thyristor
T1 T2
v1
T
q
v2
vq
uc1
uc2
T’1 T’2
T’q
Potentiel du neutre
Pont tout thyristor PD3
T1
v1
T2
T3
uc1
uc1
uc2
 Tensions
amorçage naturel de T1
uc
12
13
23
21
31
32
12
N
v2
v3
uc2
T’1 T’2 T’3
N
v3
de façon évidente :
2q

Uc 
sin Vm cos

q
 U c 0 cos
v2
v1

T’3

T1
T’1
T2
T’2
T3
amorçage naturel de T’1
vv33
Pont tout thyristor PD3
 Courants
i
uc1
D1
v1 iS1
T1
T2
T3
uc2
uc
12
13
23
21
31
32
12
uc1
N
v2
uc2
v3
T’1 T’2 T’3
N
v3
iD’1

Courants identiques
avec diodes,

mais décalés de 
iD1 iD’1
Is1= ID1- ID’1
T1
T’3
T’1
T2
vv33
v2
v1
T’2
T3
 Courants
i
Pont tout thyristor PD3
D1
T1
v1 iS1
T2
T3
uc1
N
v2
uc2
v3
T’1 T’2 T’3
N
2
iD1
iS1
2/q
iD’1
Moyen
Diode
Idem diodes
Secondaire
Ic
IDmoy 
q
0

Primaire
Efficace
IDeff 
IC
q
IS 
2
.IC
q

IP 
0

2 n2
. .IC
q n1
Pont tout thyristor PD3
 Courants
i
D1
T1
v1 iS1
T2
T3
N
v2
iS1
uc2
v3
2
iD1
uc1
T’1 T’2 T’3
2/q
iD’1
N
2 q

fs  f p 
sin cos

q
idem diodes,
multiplié
q
f
S

f
p
2
3
6
12
0,9
0,955
0,78
0,57
par cos
x cos
Montage en pont double
 Pont mixte
T1 T2
v1
T
q
v2
q thyristors
uc1
uc2
vq
D1 D2
Dq
q diodes
Potentiel du neutre
Pont mixte PD3
T1
T2
v1
T3
uc1
uc1
uc2
 Tensions ,  = 45°
amorçage naturel de T1
uc
12
13
23
21
31
32
12
N
v2
uc2
v3
D1 D2
D3
N
de façon évidente :
2q

Uc 
sin Vm cos

q
2q

 sin Vm

q
1  cos
 U c0
2
v3
D3

T1
v2
v1
D1
T2
D1 ‘on’
D2
T3
vv33
Pont mixte PD3
T1
T2
v1
T3
uc1
uc1
uc2
 Tensions,  = 100°
amorçage naturel de T1
uc
12
13
23
21
31
32
12
N
v2
uc2
v3
D1 D2
D3
N
on a toujours :
2q

sin Vm cos

q
2q

 sin Vm

q
1  cos
 U c0
2
v3
v1
v2
Uc 
D3

D1
T1
D2
T2
D1 ‘on’
T3
vv33
Pont mixte PD3
 Tensions
Pont complet
conduction continue
Uc = Uc0 cos 
Pont mixte
conduction continue
Uc0
Uc = Uc0 (1+cos )/2
Uc0 /2
/2
-Uc0


Pont mixte PD3
iT1
v1 iS1
amorçage naturel de T1
T1
T2
T3
uc1
N
v2
uc2
v3
D1 D2
N
 Courants ,  = 45°
v3
D3

iD1
D3
T1
D1
T2
D1 ‘on’
it1 iD1
Is1= IT1- ID1
IS  Ic
2
q
v2
v1
D2
T3
vv33
Pont mixte PD3
iT1
v1 iS1
amorçage naturel de T1
T1
T2
T3
uc1
N
v2
uc2
v3
D1 D2
N
 Courants ,  = 100°
v3
D3

iD1
D3
v1
D1
T1
v2
D2
T2
T3
D1 ‘on’
it1 iD1
Is1= IT1- ID1
IS  Ic 1
2
2/3
2/3


/3
vv33
Pont mixte PD3
iT1
v1 iS1
T1
T2
N
uc2
v3
D1 D2
N
T3
uc1
v2
iD1
 Courants
si
2
0    q
IS  Ic
2
q
D3
2
si    
q

I S  Ic 1

Le courant en ligne est plus faible
pour un pont mixte que pour un pont
complet
Pont mixte PD3
iT1
v1 iS1
T1
T2
uc1
N
v2
si
2
q
fS 
2
  
q
fS 
0    -
q

sin

(1  cos )
q
uc2
v3
D1 D2
N
T3
 Facteur de
puissance
iD1
D3
si  -
2


sin (1  cos )

q
 
Le facteur de puissance est plus grand
pour un pont mixte que pour un pont
complet
Aspect énergétique
 Comparaison mixte-complet
Pont complet
Uc0Ic

 U c0 I c


Q
P  Uc0Ic cos
Q  Uc0Ic sin 

Uc0Ic
P
Aspect énergétique
 Comparaison mixte-complet
Uc0Ic
Pont complet
Q
U c 0 Ic
P
1 cos 
2
U c 0 Ic
Q
sin 
2



Pont mixte

 U c0 I c
Uc0Ic
P
à une même puissance P fournie à la charge
Q est plus faible pour un pont mixte (courant en ligne plus faible)
Diode de roue libre
T1 T2
iC
T
q
v1
v2
uc
Obligatoire contre
l’amorçage intempest
DRL
vq
D’1 D’2
iS1
T1
T2
D’q
en monophasé, 2 possibilités
iC
uc
v
iS1
T1
D2
v
D
D1 D2
T’1 D’2
iC
uc
Applications
Pont associé à un moteur
q
secteur mono
ou triphasé
Pont mixte
ic
uc L
mcc
W,G
transfo
i
Pour tous les ponts, c(t)
Pour un pont mixte,
>0
uc(t) > 0 donc <u (t)> = UC
c
>0
La mcc fonctionne toujours en moteur dans un seul sens de rotation
pas de freinage possible
pour changer, il faut croiser l’induit
Applications
q
secteur mono
ou triphasé
Pont complet
Pont associé à un moteur
ic
transfo
i
pont complet, c(t)
uc L
mcc
W,G
si la charge fournit de l’énergi
> 0 et UC
> 0 ou < 0
donc mcc en génératrice
Exemple : mcc en traction à plat
arrêt et  = 180°
conduction discontinue, IC = 0 et W reste = 0
L très grande => IC = 0 donc
G=0
vrai tant que
 > 90°
Applications
Pont associé à un moteur
secteur mono
ou triphasé
Pont complet
q
ic
uc L
mcc
W,G
transfo
Exemple : mcc en traction à plat
arrêt et  < 90°
 = 0°
IC > 0 donc
W max
G>0
 = 45°
W max et  = 0° , on souhaite freiner
, le moteur démarre
W moitié
on fait  < 90°
pas de freinage, il faudrait G < 0 donc IC < 0
pour freiner, il faut croiser l’induit et faire  < 90°
q
secteur mono
ou triphasé
Pont complet
Applications
Pont associé à un moteur
ic
uc L
mcc
W,G
transfo
IC ne dépend que de la charge
Exemple : mcc (supposée parfaite) en levage
donc toujours > 0
 = 90°
G>0
W=0
donc W > 0
UC = 0 donc
 < 90°
UC > 0
 > 90°
UC < 0 donc
W<0
avec IC > 0 donc
 = 0°
 = 160°
fonctionnement en onduleur,
l’énergie potentielle est renvoyée au réseau
W max à la montée
W max descente
Angle de garde en onduleur
Applications
Traction électrique avec redresseur
iS1
T2
iC
D
secteur
monophasé
L
uc
v
K
mcc
inverseur
T1
W,G
T’1 T’2
transfo
Au démarrage et en moteur, K fermé => pont mixte
 = 180° au démarrage
 = 0°
W max
 = 45°
W moitié
marche arrière (en moteur) en inversant l’induit
 > 90° et induit croisé
puis  diminue lors ralentissement
 = 90° lors de l’arrêt
pour freiner, ouverture de K => pont complet,
 = 160° au début du freinage
Applications
Liaison de 2 réseaux
transfo
0
ic1
uc1L
uc2
ic2
Pont complet 2
3
secteur
triphasé
Pont complet 1
en valeur moyenne
3
donc UC1 = UC0 cos = -UC2 = -U’C0 cos’
si  < 90 °, pont 1 redresseur
si les tensions triphasées sont égales
si ’ > 90 °, pont 2 onduleur
’ =  - 
transfo
Dissipateur thermique
Nécessité d’un dissipateur thermique
Tous les interrupteurs statiques ne sont pas parfaits.
==> Pertes
 Pertes par conduction
 Pertes par commutation
Ces pertes sont dissipées par effet Joule (Energie thermique).
==> Elévation de la température du composant.
La température θJ des jonctions (PN) des interrupteurs statiques est limitée
à θJmax (donnée intrinsèque au composant fournie par le constructeur).
Si θJ > θJmax, il y a destruction du composant.
Il faut donc évacuer la puissance perdue par effet Joule.
==> Dissipateur thermique (appelé aussi radiateur)
Dissipateur thermique
Exemple de dissipateur thermique
Refroidissement naturel
par convection
Refroidissement forcé
par ventilation
Refroidissement forcé
par circulation de fluide
caloporteur
Dissipateur thermique
Analogie THERMIQUE / ELECTRIQUE
Electrique

Thermique
Résistance électrique  Résistance thermique
Différence de potentiel
Courant

 Température
Puissance dissipée
Diode, MOS ou
IGBT
Schéma
θJ
Pd
Rth BD
Rth JB
Jonction
Boîtier
Loi d’Ohm thermique :
θamb
θd
θb
Rth DA
Dissipateur
 J  amb   Rth .Pd
Air ambiant
Dissipateur thermique
Dimensionnement du dissipateur thermique
RthDA 
J
max
  amb
Pd
 RthJB  RthBD
Remarque :
Tout comme une résistance électrique, plus celle-ci est faible, plus
le courant passe facilement. Pour une résistance thermique, plus elle est
faible, plus la chaleur est évacuée facilement et moins le composant
chauffe.
Donc, prendre une marge de sécurité, revient à diminuer la résistance
thermique.
Dissipateur thermique
Exemple : On désire une
résistance thermique de
2°C/W
Longueur du
dissipateur :
50mm
 Les montages à commutation série (pont S3) :
 Ce montage redresse les trois tensions engendrées
dans des enroulements en triangle
 C’est le cas des transformateurs à secondaire en
triangle.
 D1, D2 et D3 conduisent dès que les 3 tensions v1, v2
et v3 deviennent successivement positives (intervalle
de conduction = 2π/3).
 D1’, D2’ et D3’ conduisent dès que les 3 tensions v1,
v2 et v3 deviennent successivement négatives
(intervalle de conduction = 2 π /3).
 Pour 0 < wt < π/3 : D1 et D2’sont en conduction, d’où :





vC=(-v2)
· Pour π /3 < wt < 2π/3 : D1 et D3’sont en conduction,
d’où : vC=(v1)
· Pour 2 π /3 < wt < π : D2 et D3’sont en conduction,
d’où : vC=(-v3)=v1+v2
· Pour π < wt < 4 π /3 : D2 et D1’sont en conduction,
d’où : vC=(v2)
· Pour 4 π /3 < wt < 5 π /3 : D3 et D1’sont en conduction,
d’où : vC=(-v1)
· Pour 5 π /3 < wt < 2 π : D3 et D1’sont en conduction,
d’où : vC=(v3)
 Calcul de la tension moyenne de sortie VC
Vc  6
1
2
2
3
 v1 .d (wt )  Vc 

3
3

2
3
 V
m
sin( wt ).d ( wt )
3
2
3
 3
3Vm
3
Vc   Vm cos( wt )  Vc   Vm 


V


c


2
2

3


Tension aux bornes d’une diode
(exemple D1 : Vd1)
3
3
De 0 à 2π/3 : D1 est conductrice, donc vD1 = 0
· De 2 π /3 à 4 π /3 : D2 est conductrice, donc vD1 = -v2
· De 4 π /3 à 2 π : D3 est conductrice, donc vD1 = v1
3
 Calcul de courants secondaires :
Pour 0 < wt < π/3 : D1 et D2’sont en conduction, d’où : iS1=(1/3).Ic
* IC est divisé en 2 branches; branche 2-2’-1 d’une résistance R et branche 2-3’-3-1’-1 d’une
résistance 2R.
* Donc, dans la branche 2-2’-1, nous avons (2/3).Ic, d’où iS2=(-2/3).Ic
* et dans la branche 2-3’-3-1’-1, nous avons (1/3).Ic : d’où iS1=(1/3).Ic et iS3=(1/3).Ic
 Pour π/3 < wt < 2 π /3 : D1 et D3’sont en conduction,
d’où : iS1=(2/3).Ic
 · Pour 2 π /3 < wt < π : D2 et D3’sont en conduction,
d’où : iS1=(1/3).Ic
 · Pour π < wt < 4 π /3 : D2 et D1’sont en conduction,
d’où : iS1=(-1/3).Ic
 · Pour 4π/3< wt <5π/3 : D3 et D1’sont en conduction,
d’où : iS1=(-2/3).Ic
 · Pour 5 π/3< wt<2π : D3 et D1’sont en conduction,
d’où : iS1=(-1/3).Ic
 On obtient un courant secondaire alternatif non
sinusoïdal
Structures série
Association d’un pont double et d’un montage polygone
au secondaire du transformateur
Structures série
 Exemple : montage S5
 Montage S5, tensions
uc  uc1  uc2
uc 
uc1
uc2
D1
D2
D’4
D3
D’5
D4
D’1
D5
D’2
D’3
Structures série
 Conclusions
On peut montrer :
f s  0,90
q
q 1
2
fS tend vers 0,90 lorsque q est grand
f
Au primaire, p est voisin de 1
pour S9,
fp = 0,99
Utilisation particulière de montage Sq pour les très forts courants
Harmoniques, filtrage
U c0
2q


sin Vm

q
 Pour les montages
PDq
2
U c0
1  kq2
Décomposition en série de Fourier,
amplitude

UC0
de l’harmonique k :
q
2
3
6
12
fréquence
100 Hz
150 Hz
300 Hz
600 Hz
0,667
0,25
0,057
0,014
0,47
0,18
0,04
0,0099
U
U
U
U
1M
C 0
1 eff
C 0
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