I. Hadj Mahammad et al.
40,9 954 31,35 141,64 31,05 141,71
42,8 1020 31,23 149,33 30,55 148,34
43,2 1063 30,60 154,94 30,58 154,51
43,7 1068 31,11 156,31 30,38 154,04
Les résultats affichés, dans le Tableau 2, montre une bonne concordance entre les valeurs
mesurées et celles calculés à partir du modèle généralisé (7).
5. CONCLUSION
Un modèle généralisé a été développé pour décrire le comportement du module Sharp NT-
R5E3E, sous les différentes conditions climatiques par rapport à l’éclairement, ainsi qu’à la
température. A partir de ce modèle, les données des conditions de test standard (STC) ainsi que la
puissance maximale ont été calculées. Ces résultats sont assez satisfaisants comparés à celles
données par le constructeur.
NOMENCLATURE
Courant, A
ph
I Photo courant, A
U Tension, V
p
R Résistance parallèle, Ω
G Eclairement sur la cellule,
W/m
2
Température de la cellule,
K
s
R Résistance série, Ω
Constante de Boltzmann,
1,3806 10
-23
J/K
s
I Courant de saturation de la
diode, A
0
T Température ambiante,
25 °C
L
R Résistance de charge, Ω
0,C
ε
Energie de la bande gap à 0
K, pour le silicium, 1,17 eV
Facteur d’idéalité de la
diode
β
Paramètre ajustable
Charge de l’électron,
1,602 10
-19
C
REFERENCES
[1] F. Lasnier and T.G. Ang, ‘Photovoltaic Engineering Handbook’, Adam Hilger, Bristol and New York,
1990.
[2] J.C. Mayor and W. Durisch, ‘Application of Generalized Model for the Electrical Characterization of a
Commercial Solar Cell’, World Renewable Energy Congress VI, WREC - 2000, Brighton, UK, July 1 - 7,
2000, Renewable Energy, First Edition 2000, Elsevier, pp. 2081 – 2084, 2000.
[3] J.D. Chatelain et R. Dessoulavy, ‘Traité d’Electricité’, Vol. VIII, Electronique, Presses Polytechniques
Romandes, Lausanne, 3
ème
Edition, 1989.
[4] W. Durisch and J.C. Mayor, ‘Application of a Generalized Current Voltage Model for Solar Cells to
Outdoor Measurements on a Siemens SM 110- Module’, 3
rd
World Conference on Photovoltaic Energy
Conversion, May 11-18, Japon, 2003.