d`un semiconducteur par la methode - ETH E

Thèse
no
5261
MESURE SOUS VIDE DES ETATS DE SURFACE
D'UN SEMICONDUCTEUR PAR LA METHODE
DES PERTES DE LA CAPACITE M.I.S
Thèse
présentée à
l'Ecole
polytechnique fédérale de
Zurich
pour l'obtention du
grade de Docteur es sciences techniques
par
RAYMOND
JUILLERAT
Ing.él.dipl.
né
EPFZ
le 28 avril 1942
deChâtelat (BE)
acceptée
sur
proposition
du
professeur Dr. M. J. O. Strutt, rapporteur
du
professeur
Dr. P. Wachter, corrapporteur
aku-Fotodruck
Zurich
1974
RESUME
travail
Ce
capacité
et
l'isolation
0,01
par
et
mm
réalisée
est
l'une
dont
matériel
le
les
concerne
conductlvité
de
d'un
par
électrodes
des
semiconducteur
vide
espace
un
de
mesures
condensateur
dont
constituée
est
la
dont
de
surface
est
testée.
problèmes mécaniques posés
Les
nécessité
de
faible
constante
et
maintenir
variation
la
vide
l'espace
problèmes
capacité
surface
moindre
en
aussi
sont
Les
comme
été
emploi
imposées
sont
ne
pas
décrites
sont
de
Les
de
du
d'états
nombre
Oxyde.
Les
son
pour
la
dans
mesures,
oxyde
y
méthode
de
mesure.
de
la
vers
de
effectuées
situés
à
silicium
du
l'importance
surface
la
Un
sont
discutés
de
liaison
modèle
cet
avec
est
quelques
applications possibles
un
semiconducteurs.
des
sur
une
tunnel.
mécaniquement
envisager
montrent
ont
les
que
que
oser
technologie
résidant
citées
mesures
liaison.
Enfin
et
moindre
charge
de
montrent
pour
naissant
libres
cette
développements
l'état
séries
loin
semiconducteur par effet
proposé
du
sensibilité
électriquement
assez
charges
polarisation
la
méthode
la
tant
celle-ci
de
dans
ardus.
de
repoussées
recouvert
du
distance
électrique posés
mesure
la
par
quelques
application
limites
ont
mesure
adoptées
champ électrique
de
et
variations
aux
de
du
fonction
construit
condensateur
sa
à
détail.
Les
par
de
solutions
Les
la
par
semiconducteur
au
l'électrode
simples à résoudre.
en
face
de
cette
celles
MEASUREMENTS
OF
UNDER VACUUM
SEMICONDUCTOR USING
SURFACE
M.O.S.
THE
STATES
A
OP
CONDUCTANCE
METHOD.
SUMMARY
This
conduotance
is
of
0.01
a
consists
A
problems
constant
distance between
by
thesis
this
necessity
the
caused
the
adéquate
high voltage.
a
variations
of
measurement
obtained
be
The
are
for
stated
the
method
semiconductor
of
formed
surface
connection with
A
model
is
showed
the
on
the
proposed
for
and
be
The
only
to
apply
small
existing
good
results
usefull
the
carried
for
oxide.
this
this
out
importance
Thèse
semiconductor by
Finally
applications
cause
order
to
can
problems.
should
measurements
oxide
states
states
small
In
necessary
capacity.
mechanical
a
in
industry.
The
newly
is
improved
methods
The
the
surface
measured
the
Also
posed.
are
it
of
the
électrodes.
polarisation,
the
treats
maintain
to
electrically, difficult problems
obtain
One
space.
and
isolation
whose
semiconductor material.
tested
the
of
part
capacitor,
a
evacuated
mm
of
capaoitance
with
deals
raeasurement
realised by
électrodes
work
states
the
Si with
on
of
the
number
hâve
tunnel
a
effect.
phenomenon.
possible improvements
measurement
-k--
method
are
of
and
proposed.
MEASUREMENTS
OF
UNDER VACUUM
SEMICONDUCTOR USING
SURFACE
M.O.S.
THE
STATES
A
OP
CONDUCTANCE
METHOD.
SUMMARY
This
conduotance
is
of
0.01
a
consists
A
problems
constant
distance between
by
thesis
this
necessity
the
caused
the
adéquate
high voltage.
a
variations
of
measurement
obtained
be
The
are
for
stated
the
method
semiconductor
of
formed
surface
connection with
A
model
is
showed
the
on
the
proposed
for
and
be
The
only
to
apply
small
existing
good
results
usefull
the
carried
for
oxide.
this
this
out
importance
Thèse
semiconductor by
Finally
applications
cause
order
to
can
problems.
should
measurements
oxide
states
states
small
In
necessary
capacity.
mechanical
a
in
industry.
The
newly
is
improved
methods
The
the
surface
measured
the
Also
posed.
are
it
of
the
électrodes.
polarisation,
the
treats
maintain
to
electrically, difficult problems
obtain
One
space.
and
isolation
whose
semiconductor material.
tested
the
of
part
capacitor,
a
evacuated
mm
of
capaoitance
with
deals
raeasurement
realised by
électrodes
work
states
the
Si with
on
of
the
number
hâve
tunnel
a
effect.
phenomenon.
possible improvements
measurement
-k--
method
are
of
and
proposed.