PR 097-2013/ROHM
ROHM lance de nouveaux régulateurs abaisseurs de
tension avec MOSFET de puissance intégré
Willich-Münchheide/Allemagne, 18 avril 2013 – ROHM Semiconductor a
annoncé le lancement de nouveaux régulateurs abaisseurs de tension
avec MOSFET de puissance intégré de 800 mΩ. La série BD9G101G
fournit une sortie de 0,5A C.C. avec une excellente régulation de ligne et de
charge pour une gestion intelligente de la puissance dans un petit package
SOT23 (SSOP6). La fréquence de fonctionnement est fixée à 1,5 MHz,
permettant l’utilisation d’un petit inducteur et d’un condensateur céramique afin
de réduire les exigences d’encombrement. Tous les composants de compensation
de phase sont également intégrés.
La tension d’entrée peut varier de 6 à 42 V, la tension de référence interne est
fixée à 0,75 V avec une précision de ±1,5 % typique. Idéal pour faciliter des
concepts abaisseurs de commutation, le nouveau offre une excellente résistance
thermique et de multiples fonctions de protection, par exemple protection interne
contre les surintensités, protection contre les sous-tensions et arrêt thermique.
La température de fonctionnement varie de -40 °C à +105 °C, tandis que la
température maximale de jonction est de 150 °. Les domaines de déploiement
sont des applications industrielles de puissance distribuée et automobiles, les
appareils alimentés par pile et les instruments médicaux OA.
Principales caractéristiques
・ Plage d’entrée élevée et étendue (VCC=6V~42V)
・ MOSFET de puissance interne 45 V/800 mΩ
・ Fréquence de fonctionnement fixe de 1,5 MHz
・ Tension de retour de broche 0,75 V±1,5 %
・ Compensation interne
・ Protection interne contre les surintensités, protection contre les sous-
tensions,