Chevillon Nicolas 2012 ED269 MOSFET

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Etude et modélisation compacte du transistor FinFET
ultime
Nicolas Chevillon
To cite this version:
Nicolas Chevillon. Etude et modélisation compacte du transistor FinFET ultime. Micro et nan-
otechnologies/Microélectronique. Université de Strasbourg, 2012. Français. �NNT : 2012STRAD016�.
�tel-00750928�
N˚d’ordre : 1527
Ecole Doctorale Math´ematiques, Sciences de l’Information
et de l’Ing´enieur
UdS
TH`
ESE
pr´esenee pour obtenir le grade de
Docteur de l’Universit´e de Strasbourg
Discipline : Sciences de l’ing´enieur
Sp´ecialit´e : Micro´electronique
par
Nicolas Chevillon
Etude et mod´elisation compacte du transistor
FinFET ultime
Soutenue publiquement le 13 juillet 2012
Membres du jury :
Directeur de th`ese : M. Christophe Lallement, Professeur, InESS, Strasbourg
Rapporteur : Mme Daniela Munteanu, Charg´e de recherche, IM2NP, Marseille
Rapporteur : M. Jean-Pierre Raskin, Professeur,
Universit´e Catholique de Louvain (UCL), Belgique
Examinateur : M. Daniel Mathiot, Professeur, InESS, Strasbourg
Examinateur : M. Jean-Michel Sallese, Maˆıtre d’enseignement et de recherche,
´
Ecole Polytechnique ed´erale de Lausanne (EPFL), Suisse
Examinateur : M. Fabien Pr´
egaldiny, Maˆıtre de conf´erences, InESS, Strasbourg
Institut d’´electronique du Solide et des Syst`emes
UMR 7163
Remerciements
Mes premiers remerciements vont tout naturellement `a mon directeur de th`ese, Christophe
Lallement pour m’avoir donn´e l’occasion de r´ealiser cette th`ese. Je le remercie vivement pour
sa patience, ses conseils et son soutien qui ont contribu´e au bon d´eroulement de cette th`ese.
Un tr`es grand merci pour les corrections et l’aide apport´ees `a la r´edaction de ce manuscrit.
Je tiens `a remercier mes encadrants de th`ese. Merci `a Fabien Pr´egaldiny pour son exper-
tise en physique du solide et en mod´elisation des composants, ainsi que pour les corrections
apport´ees `a ce manuscrit. Merci `a Morgan Madec pour son expertise dans la simulation de
circuits et pour m’avoir fait d´ecouvrir les joies de l’enseignement.
Je remercie profond´ement Jean-Michel Sallese, de m’avoir fait profiter de sa connaissance
de la physique solide. Merci pour toutes nos discussions enthousiasmantes et pour l’apport de
ses id´ees.
Je veux remercier Ashkhen Yesayan pour sa contribution pr´ecieuse dans la mod´elisation du
FinFET ultime, et notamment dans la mod´elisation des effets canaux courts par le mod`ele de
potentiel minimum.
Je tiens ´egalement `a remercier Yann Leroy pour nos discussions sur la physique des compo-
sants et son support dans la r´edaction de cette th`ese.
Je remercie ´egalement Nicolas Collin pour le support informatique indispensable qu’il a
apport´e tout au long de cette th`ese.
Je remercie le directeur du laboratoire, Daniel Mathiot, de m’avoir accueilli au sein du
laboratoire InESS et d’avoir accept´e de pr´esider le jury.
Je remercie aussi tr`es fortement Daniela Munteanu et Jean-Pierre Raskin pour avoir accept´e
d’ˆetre les rapporteurs de ma th`ese.
Je tiens `a exprimer ma reconnaissance `a mes coll`egues du laboratoire InESS pour les dis-
cussions tr`es utiles tout au long de ce travail. Merci `a Anne-Sophie Cordan, Jean-Baptiste
Kammerer, Jacques Michel, Norbert Dumas. Merci `a Dumitru Armeanu, Qing Sun, Mingchun
Tang, Yves Gendrault, Adam Raba, J´erome Heitz, Cyril Kern et Ahmed Guadri.
Enfin, un grand merci `a ma famille et `a mes amis pour leur soutien, et sans qui je ne serais
pas arriv´e jusque-l`a.
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