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UAS-ESIET: Ecole Supérieure privée d’Ingénieures et des Etudes
Technologiques
Enseignante : Mme. Dhekra ESSAIDANI ASSEKRA
Electronique 1 - 1ère Ingénieur
TD 3
Transistor bipolaire en régime statique ou de polarisation
Exercice 1
Un transistor NPN au silicium est polarisé par pont de base selon le schéma ci-dessous. On
donne β  100 , Vcc 10V , VCE0 = 5V, IC0  1mA, VBE0 0.7V et IR1 = 10 IB0 et RC = 4 RE.
1. Calculer les éléments de polarisation.
2. Déterminer l’équation de la droite d’attaque. Tracer cette droite
3. Déterminer l’équation de la droite de charge statique. Tracer cette droite
Exercice 2
Le transistor dans le montage ci-contre travaille en régime de commutation :
1. Déterminer le courant de saturation ICsat.
2. Quelle est la valeur de IBs nécessaire pour produire la saturation.

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Technologiques
Enseignante : Mme. Dhekra ESSAIDANI ASSEKRA
Electronique 1 - 1ère Ingénieur
3. Quelle est la valeur minimale de Ve nécessaire pour produire la saturation
On donne : β  150 , Vcc  5V , RB  1MΩ , RC  10 kΩ, VBE0  0.7V.
Exercice 3
Un transistor NPN au silicium est utilisé dans le montage suivant :
On donne β  120 , EC = 12V, VBE  0.7V, RB  50 kΩ , RC  1kΩ . La FEM EB croit
lentement de -5V à +15V.
1. Déterminer à partir de quelles valeurs de EB le transistor cesse d’être bloqué, puis le
transistor commence à être saturé.
2. Construire les graphes de IC = f (EB) et VCE = f (EB)