TRANSISTOR IGBT L’IGBT est un transistor hybride, regroupant un transistor à effet de champ du type MOSFET en entrée et un transistor bipolaire en sortie. Il est ainsi commandé par la tension de grille (entre grille et émetteur) qui lui est appliquée, mais ses caractéristiques de conduction (entre collecteur et émetteur) sont celles d’un bipolaire. Le schéma équivalent du transistor IGBT ci-contre montre un troisième transistor, qui représente une propriété parasite responsable du latching Le courant traversant le MOS se comporte comme le courant de base du transistor PNP (T1). Le courant collecteur résultant s'ajoute au courant de drain du MOS. La caractéristique courant - tension à l'état passant est équivalente à celle d'un MOSFET avec une très faible RDS(on) ] en série avec une diode.
