TRANSISTOR IGBT
L’IGBT est un transistor hybride, regroupant un transistor à
effet de champ du type MOSFET en entrée et un transistor
bipolaire en sortie. Il est ainsi commandé par la tension de
grille (entre grille et émetteur) qui lui est appliquée, mais
ses caractéristiques de conduction (entre collecteur et
émetteur) sont celles d’un bipolaire. Le schéma équivalent du
transistor IGBT ci-contre montre un troisième transistor, qui
représente une propriété parasite responsable du latching
Le courant traversant le MOS se comporte comme le courant de
base du transistor PNP (T1).
Le courant collecteur résultant s'ajoute au courant de drain
du MOS.
La caractéristique courant - tension à l'état passant est
équivalente à celle d'un MOSFET avec une très faible RDS(on)
] en série avec une diode.
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