1 1 AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL A TRANSISTORS JFET On considère le montage amplificateur différentiel de la figure 1a qui utilise deux transistors JFET canal N identiques, soumis à la même température T de 25°C. Ils fonctionnent dans la zone de « plateau » de leur caractéristique de sortie où : V ID = IDSS 1 − GS VP 2 10kΩ RD ID2 10kΩ ID1 (1) IDSS = 2 mA VP = −2V + V CC = +15 V ID (mA) D1 G1 T1 VE T2 G2 VE1 VE2 1.5 D2 S 1 VS1 VS2 I0+∆I I0-∆I 0.5 I0 0 R 2.I 0 IDSS 2 RD 2 1.5 1 0.5 0 VGS (V) VE - V EE = -15 V Figure 1a Figure 1b 1° PARTIE : POLARISATION On relie les grilles G1 et G2 à la masse de manière à obtenir une tension d’entrée VE nulle. • • • Montrer que les tensions VG1S et VG2S sont égales. En déduire la valeur à donner à la résistance R pour polariser T1 et T2 avec un courant de drain tel que : ID1repos = ID2repos = I0 = 0.5 mA. Donner le potentiel de tous les noeuds du schéma par rapport à la masse. 2° PARTIE : AMPLIFICATION D'UNE DIFFERENCE DE TENSIONS CONTINUES On désire connaître les performances du montage aux grands signaux continus appliqués entre les grilles G1 et G2. A cet effet, on attaque la paire différentielle T1 T2 avec une tension continue VE positive telle que : VE = VE1 - VE2 = VG1S - VG2S.. Si on appelle ∆I l’augmentation du courant de drain de T1 vis-à-vis du courant de repos I0, on peut écrire tant que le fonctionnement est linéaire (figure 1b) : ID1 = I0 + ∆I ID2 = I0 - ∆I. 1 Ph.ROUX © 2006 2 2.1) On se propose de déterminer l’expression de la variation de courant ∆I en fonction de VE. • • Rechercher d'abord l'expression de la tension d'entrée VE en fonction de IDSS, I0, ∆I et VP. En déduire l'expression de l'accroissement de courant de drain ∆I en fonction de VE sous la forme suivante (il faut élever successivement deux fois au carré) : ∆I = Gmd VE 1 − aVE Etablir l’expression de la transconductance différentielle Gmd et du coefficient a. A.N. 2 • Le graphe de l'évolution des courants ID1 et ID2 en fonction de la tension VE variant de - 1,5 à +1,5 volt est donné en figure 2. 1 0.283 0.9 0.283 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 1.5 1.25 1 0.75 0.5 0.25 0 0.25 VE en volt 0.5 0.75 1 1.25 1.5 ID1 (VE) ID2 (VE) Figure 2 2.2) On désire rester dans la zone linéaire où ∆I reste proportionnel à VE avec une erreur relative au plus égale à 1%. x • En utilisant l'approximation 1 − x ≈ 1 − , calculer la valeur VEmax admissible. 2 • En déduire la relation reliant alors la différence des tensions de sortie VS1 - VS2 à la tension d’entrée différentielle VE et conclure. 3° PARTIE : ETUDE AUX PETITES VARIATIONS On excite maintenant le montage par deux tensions sinusoïdales ve1 et ve2 de même fréquence et telles que l'amplitude de leur différence ve respecte la limite de linéarité précédemment définie. 3.1) Dessiner le schéma équivalent au montage complet aux petites variations et aux fréquences moyennes, la résistance interne rds de T1 et T2 étant négligeable. v s1 − v s2 du montage ainsi que le gain en mode commun v e1 − v e 2 A et le (R)apport de (R)éjection du (M)ode (C)ommun d exprimé en déciBels. Ac 3.2) Calculer le gain différence Ad = Ac = v s1 + v s2 v e1 + v e 2 3 3.3) Application : On décide d’utiliser exclusivement la tension de sortie vs2 (utilisation en mode asymétrique). Sachant que les tensions d’entrée ve1 et ve2 ont une amplitude respective de 1.1 V et 1V : • Calculer l’expression de la tension de sortie vs2. Faire l’application numérique. • Calculer l’erreur relative entre la valeur de vs2 obtenue avec un RRMC infini et celui de la question 3.2. Conclure. 4 ° PARTIE : AMELIORATION DU R.R.M.C. On améliore le R.R.M.C. du montage en remplaçant la résistance de polarisation R par un générateur de courant continu de résistance interne Ri (figure 3a). Ce générateur est réalisé par le montage T3, T4 et R2 de la figure 3b. Il s’agit d’un miroir de courant à transistors bipolaires identiques munis d'une résistance R2 = 5 KΩ dans leur émetteur. Les transistors T3 et T4 sont tels que : β = 100, tension de Early VA = - 160 V. On supposera que le miroir de courant assure la relation IC4 = IC3. RD RD RD RD 10 kΩ 10 kΩ + VCC = +15 V T1 v e1 T1 v e1 T2 S ve 10 kΩ 10 kΩ + VCC = +15 V T2 v s2 S ve v s2 v e2 2I0 R1 T4 Ri - VEE = -15 V R2 T3 5 kΩ 2I0 5 kΩ v e2 R2 - VEE = -15 V Figure 3a Figure 3b 4.1) Déterminer la valeur à donner à la résistance R1 pour conserver la même valeur du gain différence Ad (négliger le courant de base des transistors T3 et T4). 4.2) En utilisant la méthode de l’ohmmètre, calculer la résistance interne Ri du montage miroir de courant vue par les JFET T1 et T2 entre leur source et la masse. A cet effet, on simulera au préalable, 1 le transistor T3 monté en diode (B et C court-circuités) par une résistance r3 telle que : r3 ≈ gm 3 4.3) En déduire la nouvelle valeur du gain de mode commun et du R.R.M.C. et reprendre la question 3.3 de la troisième partie. 4 CORRECTION 1° PARTIE : POLARISATION Exprimons la tension d’entrée VE : VE = VG1S – VG2S. Une tension d’entrée nulle entraîne donc : VG1S = VG2S et par voie de conséquence : ID1repos = ID2repos . I0 Calculons la tension VGS : VGS = VP 1 ± . IDSS Nous obtenons deux solutions pour I0 = 0,5 mA : VGS = -1 et –3 V. On retient VGS = -1 V en effet l’autre solution correspond au blocage du JFET. La tension VSM est alors égale à 16 V, ce qui conduit à R = 16 KΩ. RD RD 10 kΩ 10 kΩ + VCC = +15 V 10 V 10 V 0,5mA 0,5mA T1 T2 1V ve S 16 KΩ 1 mA R - VEE = -15 V 2° PARTIE : AMPLIFICATION D'UNE DIFFERENCE DE TENSIONS CONTINUES 2.1) Expression de la tension d’entrée : VE = VG1S – VG2S avec : I + ∆I VGS1 = VP 1 − 0 et IDSS I − ∆I VGS 2 = VP 1 − 0 IDSS I − ∆I I + ∆I -> VE = VP 0 − 0 IDSS IDSS Pour exprimer ∆I, il faut élever deux fois au carré, on obtient alors : ∆I = ( ID IDSS I )VE 1 − DSS 2 .VE VP 4 I0VP • Transconductance différentielle : Gmd = ( • Coefficient : a = IDSS = 0, 25V −2 2 4 I0VP ID IDSS ) = 0, 5 mS VP 5 2.2) 1 2 2 On utilise l’approximation : ∆I = Gmd VE 1 − aVE ≈ Gmd VE (1 − aVE ) 2 1 1 2 Pour une erreur relative de 1%, on doit assurer : aVE = qui a pour solution : 2 100 VEmin = -0,283 V et VEmax = + 0,283 V. On a alors : ∆I = Gmd VE . 3° PARTIE : ETUDE AUX PETITES VARIATIONS 3.1) Schéma aux variations : ve vgs1 vgs2 S G1 G2 gm.v gs1 gm .v gs2 D1 ve1 RD vs1 3.2) Calcul du gain différence Ad = v e = v gs1 − v gs2 v s1 = −gm v gs1RD R RD -> v s1 − v s2 = −gm RD (v gs1 − v gs2 ) Ad = 2 VP v s1 − v s2 = −gm .RD ve IDrepos .IDSS = 1mS Calcul du gain de mode commun Ac = v s1 + v s2 = −gm RD (v gs1 + v gs2 ) v e1 = R( gm v gs1 + gm v gs2 ) v e 2 = R( gm v gs1 + gm v gs2 ) Soit : v e1 + v e 2 = 2 gm R(v gs1 + v gs2 ) Ac = Ad = -10 . vs1 + v s2 : v e1 + v e 2 v s1 + v s2 g R = − m D = −0, 303 1 + 2 gm R v e1 + v e 2 R.R.M .C . = 3.3) ve2 vs2 v s1 − v s2 v e1 − v e 2 v s2 = −gm v gs2 RD Transconductance : gm = − D2 Ad = 1 + 2 gm R = 33 soit 30 dB Ac Seule la sortie vs2 est utilisée. Elle s’exprime en utilisant les expressions de Ad et Ac : 1 1 v s2 = − Ad (v e1 − v e 2 ) + Ac (v e1 + v e 2 ) 2 2 6 Un amplificateur différentiel de bonne qualité doit fournir une tension vs2 proportionnelle à 1 la différence des tensions d’entrée (ve1 – ve2). Autrement dit le terme Ac (v e1 + v e 2 ) doit être 2 1 négligeable devant le terme : Ad (v e1 − v e 2 ) . Ce n’est pas le cas pour ce montage, en effet : 2 1 • − Ad (v e1 − v e 2 ) = 0, 5V 2 1 • Ac (v e1 + v e 2 ) = −0, 318V 2 La tension de sortie vs2 est égale à 0,182 V au lieu de 0,5 V espéré. L’erreur relative est donc de 63,6% ! Pour améliorer le montage, il faut diminuer Ac, ce qui revient à augmenter le R.R.M.C. 4 ° PARTIE : AMELIORATION DU R.R.M.C. 4.1) Schéma du générateur de courant et tensions par rapport à la masse : -9,4 V vers S de T1 T +1 V R1 2 I0 1 mA 1 mA M (0 V) T4 T3 -10 V R2 R2 5V 5 KΩ 5 KΩ - VEE = -15 V Valeur de la résistance R1 : 9,4 KΩ. 4.2) Schéma du montage permettant de calculer la résistance interne de la source de courant : B 1/gm3 ib C i rbe β.ib R2 R1 rce E i + u R’ Req On remarquera que la résistance (1/gm3 = 25 Ω) est négligeable devant R2= 5 KΩ. Exprimons la tension u en nommant Req2 la résistance : Req 2 = ( Req + rbe ) // R2 : u = rc e (i − βib ) + Re q 2i 7 R2 Req + rbe + R2 Soit en reportant dans l’équation précédente et en regroupant : Le courant ib est tel que (diviseur de courant) : ib = −i Ri = u βR2 = rce 1 + + Req 2 i Req + rbe + R2 Application numérique : Req = 3,26 KΩ rbe = β UT = 2, 5KΩ IC rce ≈ VA = 160KΩ IC Ri = 7,6 MΩ. 4.3) La nouvelle valeur du R.R.M.C. est obtenue en remplaçant la résistance R du 1° montage par la résistance Ri du générateur de courant : Ad = 1 + 2 gm Ri = 1, 52.10 4 Ac soit 84 dB Dans ces conditions, l’amplificateur est devenu linéaire et la tension de sortie vs2 est proportionnelle à ve.