ré s r té t ét t r

Table des matières
Résumé - Abstract v
1 Introduction aux propriétés électroniques de bismuth. 1
1.1 Le bismuth : un matériau historique aux propriétés électroniques ex-
ceptionnelles................................ 1
1.1.1 Un bref historique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.2 Aux origines des propriétés remarquables de bismuth . . . . . 3
1.1.3 SurfacedeFermi ......................... 5
1.2 Le transport électrique du bismuth : quelques généralités. . . . . . . . 14
1.2.1 Résistivité à champ nul . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.2.2 Une grande magnétorésistance transverse . . . . . . . . . . . . 14
1.2.3 Une dépendance angulaire de la magnétorésistance complexe . 17
1.3 Le transport thermoélectrique dans bismuth : quelques généralités. . . 19
1.3.1 EffetSeebeck ........................... 19
1.3.2 Efficacité thermoélectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.3.3 Effet magnéto-Seebeck et effet Umkehr . . . . . . . . . . . . . 21
1.3.4 Optimisation de l’efficacité thermoélectrique du bismuth . . . 22
2 Méthodes expérimentales 27
2.1 Leséchantillons.............................. 27
2.2 Bobines et cryostats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.2.1 Bobines, cryostat, canne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.2.2 Porte-échantillon pour mesure de dépendance angulaire de
l’effet magnéto-Seebeck . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.2.3 Thermométrie........................... 29
2.3 PPMS ................................... 30
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