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iv
II-5.4.1. Structure de bande ......................................................................................................... 44
II-5.4.2. Propriétés optiques ......................................................................................................... 45
II-6. Etude comparative entre le silicium et les métaux nobles ................................................... 46
II-7. Conclusion ............................................................................................................................ 50
Chapitre III : Modélisation de la propagation de la lumière dans un bio
senseur optique a semi-conducteur
III-1. Introduction ......................................................................................................................... 52
III-2. Détermination des paramètres de structure dans la configuration de Kretschmann ........... 54
III-2.1. La résonance angulaire sur le profil de la réflectivité d’interface ................................... 54
III-3. Calcul Théorique de la réflectivité ...................................................................................... 55
III-3.1. Calcul de la Réflectivité Dans La Géométrie de Kretschmann ..................................... 55
III-3.1.1. Interfaces matériaux- milieu ambiant ........................................................................... 55
III-3.2. Champ électromagnétique d’interfaces d’une structure multicouche : ............................ 57
III-3.2.1. Calcul des réflectivités d’interfaces d’une structure multicouche ............................... 58
III-3.2.2. Calcul des réflectivités d’interfaces .............................................................................. 59
III-4. Conclusion .......................................................................................................................... 61
Chapitre IV : Résultats et Discussions
IV-1. Introduction ......................................................................................................................... 63
IV-2. Structure matériau dopé / Milieu ambiant, ......................................................................... 64
IV-2.1. Effet de la concentration sur la résonance angulaire ...................................................... 65
IV-2.1.1. L’interface matériau dopé p / Milieu ambiant Ԫd ........................................................ 65
IV-2.1.2. L’interface matériau dopé n / Milieu ambiant, Ԫd ..................................................... 66
IV-3. Structure multicouche ......................................................................................................... 67
IV-3.1. Effet de la concentration des porteurs de charge ............................................................ 68
IV-3.1.1. La structure multicouche matériau dopé n/gap/matériau dopé n .................................. 68
IV-3.1.2. La structure multicouche matériau dopé p/gap/matériau dopé p .................................. 69
IV-3.2. Effet d'épaisseur de couche du matériau ......................................................................... 70
IV-3.2.1. La structure multicouche matériau dopé n/gap/matériau dopé n .................................. 70
IV-3.2.2. La structure multicouche matériau dopé p/gap/matériau dopé p .................................. 71
IV-3.3. Effet de l’épaisseur de gap sur la résonance angulaire .................................................. 72
IV-3.3.1. La structure multicouche matériau dopé p/gap/matériau dopé p .................................. 73
IV-3.3.2. La structure multicouche matériau dopé n/gap/matériau dopé n .................................. 73
IV-3.3.3. La structure multicouche matériau dopé p/gap/ matériau dopé n ................................. 74
IV-3.3.4. La structure multicouche matériau n/gap/matériau dopé p ........................................... 74
IV-3.4. Etude angulaire de la résonance des PPS pour dg ≈1 ................................................... 75
IV-3.4.1. Etude angulaire de la résonance PPS pour dopage p .................................................... 76
IV-3.4.2. Etude angulaire de la résonance PPS pour dopage n .................................................... 77
IV-3.5. Etude angulaire de la RPP selon la nature du gap .......................................................... 79
IV-3.5.1. La structure Si(p) -gap-Si(p) ......................................................................................... 79
IV-3.5.2. La structure Si(n) -gap-Si(n) ......................................................................................... 79
IV-3.5.3. La structure Si(p) -gap-Si(n) ......................................................................................... 80
IV-3.5.4. La structure Si(n) -gap-Si(p) ........................................................................................ 80
IV-3.5.5. La structure Si(n) -gap-Si(n) pour dg ≈1 ..................................................................... 81
IV-3.5.6. La structure Si(p) -gap-Si(p) ........................................................................................ 81
IV-3.6. Etude Comparative de la résonance angulaire de PPS .................................................. 82
IV-3.6.1. La comparaison de la Géométrie .................................................................................. 82
IV-3.7. Facteur de confinement .................................................................................................... 84
IV-3.7.1. L’effet d’épaisseurs de gap ........................................................................................... 85
IV-3.7.2. L’effet de concentration ................................................................................................ 88
IV-4. Conclusion .......................................................................................................................... 92