Télécharger la présentation du projet

GOsPEL
Direct Gap related Optical Properties of Ge/SiGe
Multiple Quantum Wells
Delphine Marris-Morini

Fiche d’identité du projet
•Projet ANR Jeune chercheur/Jeune chercheuse (2011-2014) SIMI 3
(Matériels et logiciels pour les systèmes et les communications)
•Porteur du projet : Delphine Marris-Morini
•Collaboration avec Politecnico Di Milano
(groupe du Pr. Giovanni Isella)
http://silicon-photonics.ief.u-psud.fr/?page_id=2154

Source : Intel
Source : Cisco
Source : Google
Défi : interconnexions
optiques à haut débit, faible
consommation énergétique
et à faible coût.
Contexte : le défi actuel des
des télécommunications

Contexte : composants optoélectroniques
sur silicium sur isolant (SOI)
laser Modulateur
Driver élec.
Photodétecteur
Amplificateur
Taux d’extinction : 8 dB @ 40 Gbit/s
Pertes = 4 dB
Modulateur Silicium Photodetecteur Germanium
Sensibilité = 0.5 A/W
40 Gbit/s
L. Vivien et al, Opt. Exp. (2012)
D. Marris-Morini et al, Opt. Exp. (2013)

Contexte : puissance
consommée ?
ITRS Roadmap : Optical interconnect :
(…) A large variety of CMOS compatible modulators have been
proposed in the literature (…)
“The primary challenges for optical interconnects at the
present time are producing cost effective, low power
components.”
Mach Zehnder
3 pJ/bit
Résonateur
0.5 to 1 pJ/bit
électroabsorption ?
Spécifications concernant l’énergie des émetteurs :
pour les liaisons à courtes distances : ~100 fJ/bit à
quelques fJ/bit (D.A.B. Miller, Opt Exp. , 2012)