
Session 1972 - Première Partie - Deuxième Problème 
 1. Le transistor T, utilisé dans le montage représenté sur la 
figure  1,  est  défini  par  ses  paramètres  en  montage  émetteur 
commun :  h11 = 1200 , h21 = 100, h12 = 0, h22 = 0. 
Pour le point de repos choisi, on a relevé les valeurs suivantes : 
Ic = 4 mA, VCE = 3 V, VBE = 0,7 V. 
Le montage est alimenté sous une tension continue VCC de 9 V. 
Le  générateur  G  dont  la  f.é.m.  est  sinusoïdale  présente  une 
résistance  interne  RG  =  13  k  et  il  fournit  un  courant  dont 
l'intensité  instantanée  sera  appelée  ie.  L'influence  des 
condensateurs  est  supposée  négligeable  à  la  fréquence  de 
fonctionnement. 
1.1. Calculer  RE  et  tracer  les  droites  de  charge  en  continu  et  en  alternatif  sur  le  même 
graphique IC(VCE) lorsque RL est égale à 750 . On négligera l'intensité IB du courant de base de 
repos devant IC. 
 1.2. R1 = 100 k. Déterminer R2 en admettant que l'on ait : IC = 100 IB. 
1.3. Calculer la résistance d'entrée du montage 
 et la résistance d'entrée 
 pour 
le générateur G. Comparer la valeur de re1 à celle de Rg. 
1.4. Calculer la valeur de la résistance de sortie du montage vue des bornes de la charge RL. 
1.5. Déterminer l'amplification en tension 
. 
 
 2. Le transistor T est associé au transistor T’ dans le 
montage dont le schéma est représenté sur la figure 2. 
 Les paramètres du transistor T' ont les valeurs 
suivantes : 
h'11 = 400, h'21 = 49, h'12 = O, h'22 = 0. 
 Les paramètres du transistor T  ont les mêmes 
valeurs qu'au paragraphe précédent. 
 On donne :  
R3 = 700 k, RE = 1,5 k, RL = 750 . 
 
2.1. Calculer les résistances d'entrée 
 et 
. 
Quel est l'intérêt du montage ? 
2.2. Calculer l'amplification en tension  
. 
Vcc
RL
RE
R1
R2
RG
eG
BE
C
ieiB
vevs
T
+
-
figure 1
Vcc
RL
RE
E
C
vs
T
+
-
R3
RG
eG
iei'B
ve
T'
figure 2