Session 1972 - Première Partie - Deuxième Problème + 1. Le transistor T, utilisé dans le montage représenté sur la R2 figure 1, est défini par ses paramètres en montage émetteur C i iB e commun : T B h11 = 1200 , h21 = 100, h12 = 0, h22 = 0. E Vcc RG Pour le point de repos choisi, on a relevé les valeurs suivantes : Ic = 4 mA, VCE = 3 V, VBE = 0,7 V. R1 ve Le montage est alimenté sous une tension continue VCC de 9 V. RE RL vs eG Le générateur G dont la f.é.m. est sinusoïdale présente une résistance interne RG = 13 k et il fournit un courant dont l'intensité instantanée sera appelée ie. L'influence des figure 1 condensateurs est supposée négligeable à la fréquence de fonctionnement. 1.1. Calculer RE et tracer les droites de charge en continu et en alternatif sur le même graphique IC(VCE) lorsque RL est égale à 750 . On négligera l'intensité IB du courant de base de repos devant IC. 1.2. R1 = 100 k. Déterminer R2 en admettant que l'on ait : IC = 100 IB. V V 1.3. Calculer la résistance d'entrée du montage re e et la résistance d'entrée re1 e pour IB Ie le générateur G. Comparer la valeur de re1 à celle de Rg. 1.4. Calculer la valeur de la résistance de sortie du montage vue des bornes de la charge RL. V 1.5. Déterminer l'amplification en tension A V S . Ve 2. Le transistor T est associé au transistor T’ dans le montage dont le schéma est représenté sur la figure 2. Les paramètres du transistor T' ont les valeurs suivantes : h'11 = 400, h'21 = 49, h'12 = O, h'22 = 0. + R3 i'B ie T' C T RG E Les paramètres du transistor T ont les mêmes valeurs qu'au paragraphe précédent. eG ve RE On donne : R3 = 700 k, RE = 1,5 k, RL = 750 . 2.1. Calculer les résistances d'entrée r ' e RL vs - figure 2 Ve V et r ' e1 e . I' B Ie Quel est l'intérêt du montage ? 2.2. Calculer l'amplification en tension A' V Vcc VS . Ve