Session 1972 - Première Partie - Deuxième Problème
1. Le transistor T, utilisé dans le montage représenté sur la
figure 1, est défini par ses paramètres en montage émetteur
commun : h11 = 1200 , h21 = 100, h12 = 0, h22 = 0.
Pour le point de repos choisi, on a relevé les valeurs suivantes :
Ic = 4 mA, VCE = 3 V, VBE = 0,7 V.
Le montage est alimenté sous une tension continue VCC de 9 V.
Le générateur G dont la f.é.m. est sinusoïdale présente une
résistance interne RG = 13 k et il fournit un courant dont
l'intensité instantanée sera appelée ie. L'influence des
condensateurs est supposée négligeable à la fréquence de
fonctionnement.
1.1. Calculer RE et tracer les droites de charge en continu et en alternatif sur le même
graphique IC(VCE) lorsque RL est égale à 750 . On négligera l'intensité IB du courant de base de
repos devant IC.
1.2. R1 = 100 k. Déterminer R2 en admettant que l'on ait : IC = 100 IB.
1.3. Calculer la résistance d'entrée du montage
B
e
eI
V
r
et la résistance d'entrée
e
e
1e I
V
r
pour
le générateur G. Comparer la valeur de re1 à celle de Rg.
1.4. Calculer la valeur de la résistance de sortie du montage vue des bornes de la charge RL.
1.5. Déterminer l'amplification en tension
e
S
VV
V
A
.
2. Le transistor T est associé au transistor T’ dans le
montage dont le schéma est représenté sur la figure 2.
Les paramètres du transistor T' ont les valeurs
suivantes :
h'11 = 400, h'21 = 49, h'12 = O, h'22 = 0.
Les paramètres du transistor T ont les mêmes
valeurs qu'au paragraphe précédent.
On donne :
R3 = 700 k, RE = 1,5 k, RL = 750 .
2.1. Calculer les résistances d'entrée
B
e
e'I
V
'r
et
e
e
1e I
V
'r
.
Quel est l'intérêt du montage ?
2.2. Calculer l'amplification en tension
e
S
VV
V
'A
.
Vcc
RL
RE
R1
R2
RG
eG
BE
C
ieiB
vevs
T
+
-
figure 1
Vcc
RL
RE
E
C
vs
T
+
-
R3
RG
eG
iei'B
ve
T'
figure 2
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