1INFLUENCE DU CONDENSATEUR DE DECOUPLAGE ET DE LIAISON
SUR LE GAIN DU MONTAGE JFET SOURCE COMMUNE AUX BASSES FREQUENCES
On considère le montage amplificateur source commune de la figure 1 qui utilise un
transistor JFET canal N tel que :
II V
V
D DSS
GS
P
=−()1
2
avec : IDSS = 14,2 mA et VP = -1,2 V.
Le montage est excité par un générateur sinusoïdal eg de résistance interne Rg en liaison
directe étant donné que la tension sur la grille est nulle (pas de courant de grille). La température est
de 25°C. On suppose dans un premier temps que la capacité de découplage CS a une valeur telle,
qu’elle se comporte comme un court circuit, aux fréquences moyennes de travail.
+ VCC = +15 V
R
D
R
GM
C
S
eg
+
100k
R
S
1.5 k
ve
vs
G
D
S
R
g
10kΩ
I
D
Figure 1
1. On désire polariser le transistor sous un courant ID = 4,5 mA.
a. Calculer la valeur de la tension VGS.
b. En déduire la valeur à donner à la résistance de source RS.
c. Calculer la valeur de la tension continue VDS.
2. Dessiner le schéma équivalent au montage aux petites variations et aux fréquences
moyennes où l’impédance de CS est négligeable.
3. Calculer l’expression du gain en tension du montage complet :
Av
e
fm
s
g
=
(on posera le
coefficient :
kR
RR
GM
gGM
=+
). Faire l’application numérique.
On se place maintenant aux basses fréquences où l’on doit tenir compte de l’influence non
négligeable de la capacité CS.
4. Dessiner le schéma équivalent au montage aux petites variations et aux très basses
fréquences.
1 © Ph. ROUX 2005 http://rouxphi3.perso.cegetel.net