Environnement radiatif et effets sur les composants électroniques

Atelier CCT: Effets de l’environnement sur les composants électroniques. 27/03/06
Françoise BEZERRA
CNES – DCT/AQ/EC
Environnement radiatif et effets sur
les composants électroniques:
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Moyens de simulation sol.
Atelier CCT: Effets de lenvironnement sur les composants électroniques. 27/03/06
Sommaire
Les particules à simuler et les phénomènes associés.
Les spécifications applicables.
Sources radioactives et accélérateurs de particules.
Principe de fonctionnement.
Aspects pratiques
Mise en œuvre, radioprotection, dosimétrie, préparation des
composants, contraintes pour les banc de test, accès/cts,...
• Perspectives.
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Les particules à simuler
• Ceintures de Van Allen:
• Eruptions solaires:
• Rayons cosmiques:
¾Electrons eV~10 MeV
¾Protons keV-500 MeV
¾Protons keV-500 MeV
¾Ions 1-10 MeV/n
¾Ions, max 300 MeV/n
Dose ionisante (TID)
Déplacements
atomiques (DDE)
Effets singuliers (SEE)
Noyau de recul
γ
et les phénomènes associés
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Spécifications applicables:
1- Pour les essais SEE
ESA-SCC 25100
JESD-57 (ions) • Ions
Energie plus faible que GCR
Simulation LET
– Range>30µm (Si)
–Flux: 10
2-105ions/cm²/s
• Protons
Energie: 20-200 MeV (Si)
–Flux: 10
5-108p/cm²/s
Homogénéité faisceau ±10%.
Surveillance continue du flux.
Précision de la dosimétrie: ±10%
Accélérateurs de particules:
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Spécifications applicables:
2- Pour les essais TID
ESA-SCC 22900.4
MIL-STD 883E Méthode 1019.6
Homogénéité ±10%.
Contrôle continu ou périodique du flux.
Précision de la dosimétrie: ±5-10%
•Source 60Co
•Accélérateur d’électrons
1 / 34 100%

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