Introduction générale……………………………………………………………... …… 1
Chapitre I : Généralités sur la technologie MEMS
I. 1. Introduction. .............................................................................................................. 3
I.2. Matériaux pour les microsystèmes compatibles aux circuits intégrés................... 3
I.2.1. Silicium. ................................................................................................................... 4
I.2.2. Polysilicium (silicium polycristallin)..................................................................... 5
I.2.3. Oxyde de silicium SiO2. ......................................................................................... 5
I.2.4. Nitrure de silicium................................................................................................... 6
I.3. Les principaux procédés de fabrication des MEMS. .............................................. 7
I.3.1. Dépôt de couches minces. ....................................................................................... 7
I.3.2. La photolithographie............................................................................................... 7
I.3.2.1. Principe de la photolithographie.................................................................... 8
I.3.2.2. Réalisation d'un motif sur plaquette.............................................................. 9
I.3.3. Gravure ................................................................................................................... 9
I.3.3.1. Gravure chimique................................................................................................. 10
I.3.3.2. Gravure par voie sèche ........................................................................................ 11
I.4. Des processus spécifiques aux MEMS ...................................................................... 12
I.4.1. Le micro usinage en surface .................................................................................. 12
I.4.1.1. Procédés microélectronique et microsystèmes intégrés ................................... 13
I.4.2. Micro usinage en volume ....................................................................................... 15
I.5. La gravure anisotropique du silicium ...................................................................... 16
I.5.1.Les différents types de micro usinage en volume ..................................... 17
I.5.1.1. Le micro usinage en volume face avant ................................................. 17
I.5.1.2. Le micro usinage en volume face arrière .............................................. 18
I.5.1.3.Le micro usinage en volume face avant et arrière ................................ 19
I.6. D’autres procédés. ...................................................................................................... 20
I.6.1 Le CMP ..................................................................................................................... 20
I.6.2. La technologie SOI ................................................................................................. 20
I.7. Les techniques d’intégration microsystème ............................................................ 21