Modulateur et détecteur optiques à hautes performances sur silicium

Composants de base de la photonique silicium
Modulateur et détecteur optiques à hautes performances sur silicium
Contact!: Laurent VIVIEN
Département!: Composants pour la Microélectronique et lOptoélectronique
Depuis plusieurs années, la nanophotonique
silicium a suscité un intérêt grandissant, que ce soit
sur le plan national ou sur le plan international.
Les"applications prometteuses sont dune part les
interconnexions optiques dans les circuits intégrés
CMOS et dautre part les télécommunications
optiques, le silicium peut apporter des solutions
bas coût. Par ailleurs, de forts potentiels existent pour
le développement de nanostructures silicium pour la
biophotonique. Les études menées depuis de
nombreuses années dans ce domaine à lInstitut
dElectronique Fondamentale (IEF) en collaboration
avec le CEA/LETI portent sur les briques de base
nécessaires pour la distribution optique d'un signal
haute fréquence sur circuit silicium sur isolant (SOI)
(cf. figure). LIEF intervient principalement au niveau
de la conception, la réalisation de dispositifs de tests
et des mesures.
Les micro-guides dondes SOI utilisés sont des
guides en arête faiblement gravés qui permettent
dobtenir à la fois des pertes de propagation
extrêmement faibles (0,1 dB/cm) et une forte densité
dintégration. Le couplage de la lumière dans ces
micro-guides dondes est obtenu en utilisant un
réseau de diffraction dont une efficacité de couplage
de plus de 60 % a été mesurée aux longueurs
dondes des télécommunications optiques.
Nos efforts récents se sont centrés sur les
dispositifs optoélectroniques dextrémité": modulateur
optique et photodétecteur. Le"modulateur développé à
lIEF utilise la désertion de porteurs introduits dans
une fine région dopée au bore (dopage p) située au
milieu de la région intrinsèque dune diode p-i-n. Sous
une tension de polarisation inverse, les porteurs sont
évacués créant une variation locale de lindice de
réfraction centrée sur le mode optique du guide
d'onde, ce qui conduit à une variation de la phase de
l'onde guidée. Un interféromètre Mach-Zehnder est
utilisé pour transformer cette variation de phase en
une variation dintensité optique. A laide de ce type
de structure, une profondeur de modulation de 14 dB
a été obtenue expérimentalement. Le modulateur
présente une bande passante à -3 dB de 10"GHz,
avec de faibles pertes dinsertion (<5"dB), ce qui
constitue un résultat au premier plan international.
Le"signal modulé est distribué sur le circuit silicium et
doit ensuite être détecté.
Parmi les matériaux compatibles avec la filière
CMOS, seul le germanium pur (Ge) présente une
forte absorption aux longueurs dondes considérées.
Les couches de Ge sur Si, réalisées dans ce but,
présentent une contrainte en tension menant à une
forte absorption de la lumière jusqu'à 1,6"µm. Un
photodétecteur germanium métal-semiconducteur-
métal intégré en bout de guide donde SOI a été
réalisé. Une bande passante de 25"GHz avec une
sensibilité de 1A/W ont été mesurées
expérimentalement à 1,55µm. Ce résultat est au
meilleur niveau de létat de lart actuel. Les
principales briques de base pour la réalisation dun
lien optique haute fréquence (>10"GHz) intégré sur
SOI sont maintenant disponibles. Les avantages
dune technologie bas coût, sur des substrats de
grande dimension, compatible avec la
microélectronique, prennent alors toute leur
importance, et ces résultats peuvent ouvrir des
perspectives sérieuses pour lintégration de la
photonique et de la microélectronique sur une même
puce.
L."VIVIEN, M."ROUVIERE, J-M."FÉDÉLI, D."MARRIS-MORINI, J-F."DAMLENCOURT, J."MANGENEY, P."CROZAT,
L."EL"MELHAOUI, E."CASSAN, X."LE"ROUX, D."PASCAL, S."LAVAL, High-speed and high responsivity germanium
photodetector integrated in a Silicon-On-Insulator microwaveguide, Optics Express, 15, 9843-9848 (2007).
D."MARRIS-MORINI, L."VIVIEN, J-M."FÉDÉLI, E."CASSAN, P."LYAN, S."LAVAL, Low loss and high speed silicon optical
modulator based on a horizontal carrier depletion structure, Optics Express, in press.
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