Lasers InP sur circuits silicium pour applications en

Institut d’électronique Fondamentale
Université Paris-Sud XI
Soutenance de thèse
Marco Lamponi
Lasers InP sur circuits silicium pour applications en télécommunications
La photonique du silicium a connu un développent massif pendant les dix derniers années.
Pratiquement toutes les briques technologiques de base ont été réalisées et démontrent des
performances remarquables. Cependant, le manque d’une source laser intégrée sur silicium a
conduit les chercheurs à développer des composants basés sur l’intégration entre le silicium et les
matériaux III-V.
Dans cette thèse je décris la conception, la fabrication et la caractérisation des lasers hybrides III-V
sur silicium basés sur cette intégration. Je propose un coupleur adiabatique qui permet de transférer
intégralement le mode optique du guide silicium au guide III-V. Le guide actif III-V au centre du
composant fourni le gain optique, de chaque coté du guide le coupleur assure le transfert de la
lumière dans les guides silicium.
Je décris également les différentes solutions permettant d’obtenir un laser mono-longueur d’onde
hybride III-V sur silicium. Des lasers mono longueur d’onde ont été fabriqués et caractérisés. Une
conception innovante basée sur des anneaux résonateurs démontre des performances
remarquables. Ces composants représentent la première démonstration d’un laser accordable
hybride III-V sur silicium.
Jeudi 15 Mars à 14h
Auditorium de THALES Research and Technology
1, avenue Augustin Fresnel 91767 Palaiseau
Présentée devant le jury composé de :
Mme Beatrice Dagens Examinateur
Mr Daniel Dolfi Examinateur
Mr Guang-Hua Duan Encadrant
Mr Lorenzo Pavesi Rapporteur
Mr Jean-Marc Fedeli Examinateur
Mr Pierre Viktorovitch Rapporteur
Mr Laurent Vivien Directeur