http://www.ucadjds.org JournaldesSciences
M.Ndiayeetal/J.Sci.Vol.8,N°3(2008)59–68‐59‐
DETERMINATIONDESPARAMETRESELECTRIQUESD’UNEPHOTOPILESOUSECLAIREMENT
MONOCHROMATIQUEENMODULATIONDEFREQUENCE,APARTIRDESDIAGRAMMESDE
BODEETDENYQUIST
M.NDIAYE1,Z.NOUHOUBAKO1,I.ZERBO2,A.DIENG1,F.I.BARRO1,G.SISSOKO1*
1LaboratoiredesSemiconducteursetd’EnergieSolaire,DépartementdePhysique,
FST,UniversitéCheikhAntaDiop,Dakar,Sénégal
2LaboratoiredesMatériauxetEnvironnement,DépartementdePhysique,
UFR/SEA,UniversitédeOuagadougou,BurkinaFaso
Abstract:
Thisworkdealswiththeelectricalparametersdeterminationof
asiliconsolarcellundermodulatedmonochromatic
illumination.
BymeanofNyquistdiagrams,theequivalentseriesandshunt
resistancesaredetermined.
Bodediagramsleadtothecut‐offfrequenciesallowingthe
determinationofequivalentcapacitanceofthesolarcell.An
electricalmodelofthesolarcellisthenproposedandthe
equivalentinductanceiscalculated.
Résumé:
Nousprésentonsdanscetarticleuneméthodededétermination
desparamètresélectriquesd’unephotopilemonofacialeau
siliciumenrégimedynamiquefréquentielsouséclairement
monochromatique.
ApartirdelareprésentationdeNyquistdel’impédance
dynamiquedelaphotopile,nousdéterminonslarésistancesérie
RSetlarésistanceshuntRSHdelaphotopile.
LesdiagrammesdeBodedel’impédancedynamiquenous
permettentdedéterminerlespulsationsdecoupureàpartir
desquellesnousdéduisonslacapacitééquivalentedela
photopileetellesnouspermettentégalementdeproposerun
modèleélectriqueéquivalentdelaphotopile.Cemodèle
électriqueéquivalentdelaphotopilepermetd’extraire
l’inductanceéquivalentedelaphotopile.
Keywords:SolarCell,Impedance,Bodediagram,Nyquist
diagram,seriesresistance,shuntresistance,Inductance,
capacitance,phase.
.
Motsclés:Photopile,impédance,diagrammedeBode,
représentationdeNyquist,résistancesérie,résistanceshunt,
Inductance,capacité,phase.
.
I.INTRODUCTION
L’améliorationdesperformancesdesphotopilespasseparlecontrôledeleurqualitéaucoursdesdifférentes
phasesdefabrication.
Laqualitéd’unephotopileétantétroitementliéeàsesparamètresélectroniques[1]etélectriques[2],
différentestechniquesdecaractérisationdecesparamètresontétéélaboréesenrégimestatiqueeten
régimedynamique(dynamiquetransitoireetdynamiquefréquentiel)afindelescontrôlerlorsdelafabrication
delaphotopile.Nousproposonsdanscetarticleuneméthodededéterminationdesparamètresélectriques
d’unephotopilemonofacialeausiliciumsoumiseàunéclairementmonochromatiquemoduléenfréquence.
Cesparamètresserontdéterminésàpartirdel’impédancedynamiquedelaphotopileenutilisantla
représentationdeNyquist(résistancesérieRSetlarésistanceparallèleRp)etlareprésentationdeBODE
(capacitééquivalente)[3,4].ApartirdudiagrammedeBODEdelaphasedel’impédancedynamique,nous
proposonsunmodèleélectriqueéquivalentdelaphotopilequinouspermetd’extrairel’inductance
équivalentedelaphotopile.
II.MODELEMATHEMATIQUE
Nousconsidéronsunephotopilepolycristallineausiliciumàchamparrière(BSF)detypen+‐ p‐p+ dontla
structureestreprésentéeàlafigure1.