Mise au point d'un dispositif expérimental pour l'étude des photopiles sous concentration : détermination des paramètres électriques de deux photopiles au silicium polycristallin. Mise au point d'un dispositif expérimental pour l'étude des photopiles sous concentration : détermination des paramètres électriques de deux photopiles au silicium polycristallin. Introduction Rappels théoriques Résultats Expérimentaux – Discussion Conclusion - Perspectives Figure 1 : Photopile monofaciale au silicium Modèle électrique Figure 2 : Schéma équivalent électrique en régime statique Paramètres électriques ¤ Résistance série : Puissance maximale : W.T. PICCIANO : ¤ Résistance shunt : ¤ Facteur d’idéalité : Vco2 Vco1 q A k T lnIcc 2 lnIcc1 ¤ Rendement conversion photovoltaïque = FF. v. Kp . T v : facteur de tension T rendement de transfert d’énergie max = 0,4 .FF. Vco : Dispositif expérimental Figure 3 :Schéma d’ensemble du système concentrateur. Schéma électrique Figure 4 : Schéma électrique de l’expérience Vco 1(mV) T° (K) Icc1 (mA) Vco2 (mV) Icc2 (mA) Facteur d’idéalité A Pp A 308. 2 412 92.5 194 16.3 4.73 Pp B 308. 2 488 216 342 25 2.55 Sans concentration Cg = 7 Cg=11 Cg=16 Cg=25 Vco (mV) 509 527 529 532 522 Icc (mA) 327 661 830 1070 1280 Vm (mV) 322 230 265 294 300 Im 269 462 540 603 640 FF 0.52 0.31 0.33 0.31 0.27 Jcc (mA/cm²) 29.46 59.56 74.78 96.4 115.32 Rs() (1) 0.36 0.3 0.15 0.01 Négative Rs() (2) 0.76 1.09 0.63 0.26 0.01 139.85 156.65 278.63 202.96 10.6 6.5 7.0 6.6 5.6 T (°C) 42.0 43.0 53.0 57.3 >60.0 Nph (x1019 .s-1) 1.313 1.546 1.628 1.742 - Rsh() AVANTAGES ¤ Vco ¤ Icc ¤ Rs INCONVENIENTS ¤T ¤ Figure 5 : Caractéristique I – V de la photopile B (Pp B) Figure 6 : Courbes de puissance en fonction de la tension de la photopile B PERSPECTIVES ¤ Conditions expérimentales ( filtre, radiateur,…) ¤ Aspect théorique