TP1 : Diodes P+N - CCMO - Université de Rennes 1

TP1 : Diodes P + N
Objectif
Il s'agit de réaliser une diode p+n en technologie microélectronique. L'occasion est
donnée de voir les principes de la photolithographie, de l'oxydation humide, du dopage
par diffusion et du dépôt de métal par évaporation. Les tests en cours de process
permettent d'extraire les résistances par carré ainsi que les épaisseurs d'oxyde et
d'aluminium par des méthodes électriques ou optiques utilisées classiquement dans les
centres de production.
Pratique
Le process débute par la photolithogravure d'oxyde de masquage sur des plaques
préalablement oxydées. Les précédentes étapes de nettoyage RCA et d'oxydation
humide seront faites en parallèle avec les autres étapes du process.
Le TP se termine par la caractérisation électrique de la diode à l'aide d'un testeur sous
pointes et d'un analyseur de caractéristiques.
Durée : 2 jours
Jour 1 : photolithogravure oxyde et prédépôt Bore (matin) ; gravure I verre de bore,
oxydation basse température, nettoyage RCA, gravure II verre de bore (aprèsmidi)
Jour 2 : dépôt aluminium, photolithogravure Al (matin) ; recuit Forming Gas, oxydation
humide, test électrique
Mesures pendant le process :
Ellipsométrie : SiO2 de masquage, verre de Bore.
Rcarré : zone p+, aluminium
Mesures électriques : tension de seuil, tension de claquage, résistance zone n,
coefficient d'idéalité, effet de l'éclairement
Compétences requises
Connaissances en technologie microélectronique et en physique des dispositifs
Pr. Tayeb MOHAMMED-BRAHIM,
UNIVERSITÉ DE RENNES 1
Campus de Beaulieu (case 1103)
263 avenue du Général Leclerc
CS 74205
35042 RENNES CEDEX
TÉL. 33 (0)2 23 23 60 69
FAX 33 (0)2 23 23 56 57
[email protected]
www.ietr.org
1