TP2 : Transistors PMOS - CCMO

Pr. Tayeb MOHAMMED-BRAHIM,
UNIVERSITÉ DE RENNES 1
Campus de Beaulieu (case 1103)
263 avenue du Général Leclerc
CS 74205
35042 RENNES CEDEX
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TP2 : Transistors PMOS
Objectif
Il s'agit de réaliser un transistor MOS en technologie microélectronique. L'occasion est
donnée de voir les principes de la photolithographie, de l'oxydation humide et sèche, du
dopage par diffusion et du dépôt de métal par évaporation. Les tests en cours de
process permettent d'extraire les résistances par carré ainsi que les épaisseurs d'oxyde
et d'aluminium par des méthodes électriques ou optiques utilisées classiquement dans
les centres de production.
Pratique
Le process comprend 4 étapes de masquage. Il passe en revue toutes les opérations
nécessaires à la fabrication d’un dispositif électronique sur silicium.
Le TP se termine par la caractérisation électrique du transistor à l'aide d'un testeur sous
pointes et d'un analyseur de caractéristiques.
Durée : 4 jours
Jour 1 : nettoyage RCA et oxydation humide (matin) ; photolithogravure oxyde et
prédépôt Bore (après-midi)
Jour 2 : gravure I verre de bore, oxydation basse température, gravure II verre de bore,
diffusion (matin) ; photolithogravure oxyde (après-midi)
Jour 3 : nettoyage RCA, oxydation sèche (matin) ; photolithogravure oxyde (après-midi)
Jour 4 : dépôt aluminium, photolithogravure Al (matin) ; recuit Forming Gas, test
electrique (après-midi)
Mesures pendant le process : Ellipsométrie : SiO2 de masquage, SiO2 sec, Verre de Bore
Rcarré : zone p+, aluminium
Mesures électriques : tension de seuil, mobilité d’effet de champ…
Compétences requises
Connaissances en technologie microélectronique et en physique des dispositifs