TP2 : Transistors PMOS - CCMO
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TP2 : Transistors PMOS Objectif Il s'agit de réaliser un transistor MOS en technologie microélectronique. L'occasion est donnée de voir les principes de la photolithographie, de l'oxydation humide et sèche, du dopage par diffusion et du dépôt de métal par évaporation. Les tests en cours de process permettent d'extraire les résistances par carré ainsi que les épaisseurs d'oxyde et d'aluminium par des méthodes électriques ou optiques utilisées classiquement dans les centres de production. Pratique Le process comprend 4 étapes de masquage. Il passe en revue toutes les opérations nécessaires à la fabrication d’un dispositif électronique sur silicium. Le TP se termine par la caractérisation électrique du transistor à l'aide d'un testeur sous pointes et d'un analyseur de caractéristiques. Durée : 4 jours Jour 1 : nettoyage RCA et oxydation humide (matin) ; photolithogravure oxyde et prédépôt Bore (après-midi) Jour 2 : gravure I verre de bore, oxydation basse température, gravure II verre de bore, diffusion (matin) ; photolithogravure oxyde (après-midi) Jour 3 : nettoyage RCA, oxydation sèche (matin) ; photolithogravure oxyde (après-midi) Jour 4 : dépôt aluminium, photolithogravure Al (matin) ; recuit Forming Gas, test electrique (après-midi) Mesures pendant le process : Ellipsométrie : SiO2 de masquage, SiO2 sec, Verre de Bore Rcarré : zone p+, aluminium Mesures électriques : tension de seuil, mobilité d’effet de champ… Compétences requises Connaissances en technologie microélectronique et en physique des dispositifs Pr. Tayeb MOHAMMED-BRAHIM, UNIVERSITÉ DE RENNES 1 Campus de Beaulieu (case 1103) 263 avenue du Général Leclerc CS 74205 35042 RENNES CEDEX TÉL. 33 (0)2 23 23 60 69 FAX 33 (0)2 23 23 56 57 [email protected] www.ietr.org 2
