AIME « NANOCRYSTALS INSIDE » OU COMMENT MEMORISER UNE INFORMATION DE FACON DURABLE AVEC DES OBJETS NANOMETRIQUES (NANOCRISTAUX DE SILICIUM) ? Régis DIAZ1&2, Jérémie GRISOLIA1, Gérard. BEN ASSAYAG2, Christiane DUPRAT3, François GUERIN3, Christophe CAPELLO3, Cherif ROUABHI3, Frédéric GESSINN3, Jean-Marie DORKEL3, Jean-Louis NOULLET4. Affiliations:1- LPCNO/INSA, 2- CEMES/CNRS, 3- AIME pôle CNFM de TOULOUSE, 4- CHIPYARDS. Contact : [email protected], LPCNO/INSA, 135, Av. de Rangueil 31077 Toulouse INTRODUCTION: L’explosion du marché de l’appareillage multimédia, des systèmes portables, nomades (téléphone, ordinateur, ...) et des technologies embarquées a eu pour conséquence de développer considérablement le marché des dispositifs mémoires. Ce développement fut motivé par le besoin de gérer et de stocker des quantités de données de plus en plus importantes, avec des vitesses de traitement accélérées, sur des supports de plus en plus petits, et consommant de moins en moins d’énergie. Cet essor est aujourd’hui un enjeu commercial important qui stimule l’industrie et la recherche. En particulier, dans le domaine des mémoires non volatiles de type flash, la tendance à la miniaturisation conduit à utiliser des tensions d’adressage de plus en plus basses, une épaisseur d’oxyde réduite avec des temps de rétention toujours plus élevés. Malheureusement, ces objectifs seront très difficiles à maintenir avec une technologie à grille flottante en polysilicium. Dans ce cadre, l’utilisation de mémoires à nanocristaux de Si enfouis dans l’oxyde de grille, à la place de la grille flottante, semble très prometteuse pour un fonctionnement à température ambiante. En effet, elle permet de limiter et diminuer la perte de charge pour des épaisseurs d’oxyde de l’ordre du nanomètre à la dizaine de nanomètres. En outre, s’ils fonctionnent avec un nombre réduit d’électrons et donc de nanocristaux, ces composants peuvent mettre en évidence des effets quantiques se manifestant à ces dimensions nanométriques. Le concept dit « NanoInside », permet le développement d’une technologie hybride qui inclut des objets de taille nanométrique tout en restant compatible avec la technologie CMOS. Ces objets permettront alors d’envisager des applications « grand public », i.e. fonctionnant à température ambiante, du type mémoires flash de nouvelle génération, dispositifs multi-bits, mémoires à un électron [Ref 1], interconnexions optiques de circuits intégrés [Ref 2], dispositifs électroluminescents (DEL). Plusieurs entreprises dans le monde travaillent sur l'intégration de nanocristaux de Silicium dans l'électronique et la photonique (Atmel, Freescale, Intel, Samsung, ST Microelectronics, Infineon…), mais aucun produit n’est actuellement sorti sur le marché. Comme nous croyons que cette technologie a un très fort potentiel de développement, nous avons alors décidé de transférer le fruit de 10 années de recherches au CEMES [Ref 3, Ref 4] et au LPCNO [Ref 5, Ref 6] pour créer une formation à l’AIME destinée à initier les futurs ingénieurs aux développements les plus récents dans les domaines de ces matériaux avancés et des nanotechnologies associées. Le procédé « NANOCRYSTALS INSIDE » créé permet de synthétiser des nanocristaux de silicium de taille inférieure à 5nm de diamètre par implantation ionique basse énergie (≤1keV) dans un oxyde fin de SiO2 (<10nm). En partant d’un wafer de silicium, les étudiants effectuent toutes les opérations de fabrication des composants (photolithographies, gravures chimiques et sèches, oxydations thermiques, dépôts de couches minces de polysilicium et d’oxyde (<10nm), dopage, synthèse des nanocristaux par implantation ionique très basse énergie (≤1keV) et recuit inerte et/ou oxydant, métallisation). Ce procédé, basé sur 4 niveaux de masquage, permet de réaliser et caractériser électriquement des composants mémoires à base de nanocristaux de silicium en une semaine de formation seulement. In fine, le but est de montrer aux étudiants comment une information peut être mémorisée avec des objets nanométriques de façon durable et conservée même sans alimentation. O12 AIME I - DES MEMOIRES FLASH A GRILLE FLOTTANTE AUX MEMOIRES A NANO-CRISTAUX ? La technologie Flash fonctionne essentiellement par stockage d’électrons dans une couche mince de Poly-Silicium (poly-Si) dopée N, enfouie dans un oxyde et située sous une grille de contrôle d’un transistor Métal Oxyde Semi-conducteur (MOS). Cette couche mince de poly-Si, déposée par CVD et appelée «grille flottante», est électriquement isolée du canal et de la grille de contrôle par le diélectrique (oxyde, nitrure de silicium,…) environnant. (a) (b) (c) Figure 1 : (a) Schéma en coupe d’un composant élémentaire d’une mémoire Flash (b) Principe de fonctionnement d’une mémoire Flash : écriture et effacement de la mémoire, (c) caractéristiques IDS (VGS) correspondant aux états b et c. On distingue alors trois modes de fonctionnement de ce composant: Premièrement, l’écriture qui consiste à injecter des charges venant du canal du semi-conducteur dans la grille flottante. Actuellement, les tensions utilisées sont généralement supérieures à la dizaine de volts, à cause des épaisseurs d’oxyde de contrôle et tunnel. Deuxièmement, l’effacement qui consiste à éjecter vers le semi-conducteur les charges précédemment stockées dans la grille flottante. La tension utilisée est du même ordre de grandeur que pour l’opération précédente mais de signe opposé. Troisièmement, la lecture qui se fait à une tension de grille intermédiaire qui permet de connaître, par mesure du courant de drain à une tension drain source constante, l’état de charge de la mémoire. Les charges stockées induisent alors un décalage de la tension de seuil du composant (Figure 1). Lorsque la cellule est effacée le canal est conducteur et le transistor est « ON ». Lorsque la mémoire est écrite, le canal est fermé et le courant entre les deux électrodes source et drain est quasi-nul, et le transistor est « OFF ». Remplacement de la grille flottante : Le remplacement de cette grille flottante continue par une grille granulaire présente de nombreux avantages. La Figure 2 présente les différences entre la structure d’une mémoire Flash actuelle et celle d’une mémoire à nanocristaux, telle que proposée par Tiwari et al [Ref 7]. Figure 2: Composant à grille flottante continue (a) et à grille flottante granulaire à nano-cristaux (b). Alors qu’un seul défaut dans l’oxyde déchargera l’intégralité de la grille flottante, le même défaut situé sous le plan de nanocristaux ne déchargera qu’un nombre limité de nano-cristaux. Il est alors possible de réduire l’épaisseur d’oxyde tunnel et ainsi diminuer directement les tensions et vitesses de programmation, ce qui aura pour conséquence supplémentaire d’abaisser le nombre de défauts générés (e.g. SILC) et donc d’augmenter la fiabilité des composants. De plus, le nombre de cycles d’écriture/effacement actuellement limité à 106 pourrait alors être augmenté d’un ou plusieurs ordres de grandeur. O12 AIME D’un autre côté, l’oxyde d’injection doit demeurer suffisamment épais pour que la charge reste stockée dans les nano-cristaux pendant une durée supérieure à celle imposée par les industriels (typiquement 85% de la charge restante après 10 ans). II - METHODE DE FABRICATION DES MEMOIRES A NANO-CRISTAUX : Parmi toutes les techniques développées dans les dix dernières années, la synthèse par implantation ionique basse énergie (ULE -IBS) est l'une des plus prometteuses. En effet, il a été prouvé qu’elle permet de générer des réseaux auto-organisés de plans bi-dimensionnels de nanocristaux de Si dans des couches minces de SiO2 à une distance de tunnel direct de l’interface SiO2/Si [1]. En particulier, la fabrication par ULE-IBS est très attrayante en raison de sa capacité à contrôler la taille et la position de la bande de nanocristaux, tout en restant compatibilité avec la technologie CMOS standard. Dans la pratique, on réalise une implantation ionique de Si à forte dose (généralement 1016 cm-2) à très faible énergie (généralement 1 keV) dans une couche de SiO2 très fine (<10nm d'épaisseur). L’inconvénient majeur de la technique est indéniablement l’endommagement de la cible durant le ralentissement des ions. Les dommages créés par l’implantation peuvent être réparés (on parle alors de guérison) par un recuit thermique qui suit l’implantation à T=900-1000°C sous atmosphère N2 et/ou N2/O2 [Ref 8]. II- 1 PROCEDE « NANO-INSIDE » : Le procédé d’élaboration par ULE-IBS des nano-cristaux et des transistors MOS à nanocristaux de silicium proposé ici est schématisé sur la figure suivante : Implantation Si+ 1. Oxydation du Si 2. Ouverture oxyde 3. Oxydation sèche eSiO2~7nm à 10nm 5. Recuit de synthèse des ncs de Si 9. Dépôt SiO2 6. Dépôt poly-silicium 10. Ouverture des contacts 7. Gravure poly & SiO2 11. Métallisation 4. Implant. basse énergie E=1keV, d=1x1016 cm-2 8. Diffusion phosphore 12. Gravure métal + poly-Si et SiO2 backside Figure 3: étapes du procédé de réalisation des transistors à nano-cristaux de Silicium. Il comporte 12 étapes technologiques correspondantes à seulement 4 masques de photolithographie. Les verrous technologiques à faire sauter, pour développer le procédé, concernaient essentiellement les étapes 3, 4, 5 et 8, ce qui revient à maitriser : l’oxydation sèche de fine couche de SiO2 <10nm, l’implantation ionique basse énergie (<1keV), le recuit de synthèse en milieu légèrement oxydant, la diffusion du phosphore dans une très fine couche de SiO2. Des simulations et des expériences nous ont permis de valider les meilleurs paramètres à utiliser pour la réalisation des composants de type mémoires MOS. En particulier, nous avons travaillé sur le dopage de la grille par le phosphore, l’épaisseur de poly-silicium en relation avec les caractéristiques cibles de nos composants, l’épaisseur de SiO2 ainsi que sa qualité diélectrique, la dose d’implantation… Cela débouche sur un procédé fonctionnel qui est maintenant utilisé par les étudiants lors de leur formation en salle blanche à l’AIME. O12 AIME Des plaquettes ont alors été réalisées par les étudiants selon les conditions suivantes: implantation ionique de Si (E=1 keV, dose=1x1016 at/cm2) dans une couche de SiO2 de 7 nm sur un substrat de Si de type P (1016 at/cm3) et recuits à 950°C sous N2 durant 90 min et 950°C sous N2 + 6.5%O2 durant 60 min. II - 2 PROPRIETES STRUCTURALES DES NANO-CRISTAUX DE SI DANS SIO2 : Les Figure 4a, b, c, d présentent les caractéristiques structurales des composants réalisés par les étudiants : Figure 4: (a) Image en section transerve par microscopie électronique haute résolution d’un nanocristal de Silicium dans SiO2. (b) Schéma d’un transistor MOS à base de nanocristaux de Silicium dans SiO2 (c) Image en section transerve du plan de nanocristaux synthétisé à basse énergie => localisation (d) Image en vue plane par microscopie électronique d’une population de nanocristaux de Silicium dans SiO2 II-3 PROPRIETES ELECTRIQUES DES NANO-CRISTAUX DE SI DANS SIO2 : Les étudiants réalisent alors deux types de caractéristiques : 1 - Des caractéristiques « classiques » (e.g. ID(VGS), IDS(VDS), C(V)…), sur des composants de type transistors et des capacités MOS reliés à un analyseur paramétrique de semi-conducteurs. Ces caractéristiques leurs permettent d’obtenir les valeurs de mobilité, de gain, d’épaisseur d’oxyde, de densité de pièges d’interface, de tension Flat/Bande VFB, tension de seuil VT... 2 - Des caractéristiques « mémoires » pour lesquelles a été développé un tout nouveau banc de caractérisation inspiré du montage d’Ohzone et al. [Ref 9]. Il permet de tester les caractéristiques de rétention, d’endurance, de fenêtre mémoire… (a) (b) (c) Figure 5: (a) banc de mesure des mémoires, de gauche à droite la testeuse sous pointes, l’alimentation, le GBF et l’oscilloscope numérique. (b) schéma électrique du montage pour mesurer les cycles écriture/effacement (E/W), (c) VG et VS obtenus par ce montage (sinusoïdes) observés sur l’oscilloscope numérique. Les puces élémentaires ont alors été soit positionnées sur un testeur sous pointe, soit montées en boîtiers (TO5) et ont été testées à l’aide du banc de manipulations de test des mémoires O12 AIME comportant un GBF (générateur basse fréquence), une alimentation U/I et un oscilloscope numérique (Figure 5a). La figure suivante présente les caractéristiques mémoires des composants : 2 1,8 ΔVT =f(T) 1,6 1,4 VGS=±20V VDS=0,2V 1er cycle en T 2nd cycle en T 1,2 ΔVT (V) TCC f=75Hz 30°C 1 0,8 0,6 85°C 0,4 (i) 0,2 0 25 35 45 55 65 75 85 95 Température (°C) Figure 6: (f) ID(VGS) du transistor MOS pour une tension de grille alternative VGS de 20Vcc chargeant et déchargeant les nanocristaux. (g) Évolution de la fenêtre mémoire ∆VT(V) en fonction de la fréquence (h) Endurance de la mémoire à f=75Hz, pour 106 cycles W/E à température ambiante et pour différentes VG=+/- 20, 15 et 10, (i) évolution de la fenêtre mémoire en fonction de la température. La Figure 6f présente les caractéristiques ID=f(VGS) obtenues lors d’une mesure d’un cycle d’écriture/effacement à VGS=+/-20V cc à une fréquence de 103,5 Hz. Le décalage en tension, nommé fenêtre mémoire ΔVT, reflète la charge totale formée par les électrons dans les nanocristaux. Le test appliqué à un composant identique ne comportant aucun nanocristaux ne présente aucun décalage de tension VGS. La Figure 6g présente l’évolution de cette fenêtre mémoire ΔVT en fonction de la fréquence f variant entre 1Hz et 100kHz pour VG = ±20V, VDS=0.2V. Cette figure montre que dans ces conditions le ΔVT maximal est d’environ 0.5V obtenu pour une fréquence d’environ 75 Hz, à VG = ±20V. Il demeure ensuite en très légère décroissance jusqu’à environ 10kHz pour retrouver à 1MHz le niveau f=1Hz. On peut alors estimer qu’il s’agit là de la fréquence maximale d’utilisation de cette mémoire est d’environ 1MHz. Nous avons alors fixé la fréquence donnant la fenêtre mémoire maximale (f=75Hz) et fait subir au composant un test d’endurance d’environ 106 cycles d’effacement/écriture (E/W). La Figure 6h montre que la fenêtre mémoire reste constante sur l’ensemble des cycles effectués aux différents VGS utilisées +/-10, +/-15, +/-20V respectivement. Elle montre en outre que le ΔVT augmente proportionnellement à la tension de grille. De plus, l’extrapolation de ces courbes à 10 ans de fonctionnement montre que la fenêtre mémoire reste supérieure à 85% de sa valeur initiale. Enfin, la Figure 6i présente l’évolution de la fenêtre mémoire du composant précédent soumis à 106 cycles d’E/W en fonction de la température allant de T=30°C à 80°C. Cette courbe montre que la fenêtre mémoire diminue à mesure que la température augmente mais qu’elle reste non nulle même à T=85°C. O12 AIME III - FORMATIONS UTILISATRICES : Le public ciblé par ce stage est hétérogène tant par la provenance et le niveau (IUT, Licence, Masters, Ingénieurs, Formation continue,…) que par la dominante de la formation (électronique, physique, matériaux,…). IV - UN PROJET EVOLUTIF : Cette technologie est vouée à se développer puisqu’elle est en lien direct avec la recherche menée au CEMES et au LPCNO par plusieurs chercheurs, maitre de conférences et doctorant. Par exemple, nous implémenterons bientôt dans ce stage l’implantation ionique basse énergie couplée à la technologie STENCIL [Ref 6] développée par le LPCNO/CEMES et l’EPFL et permettant de localiser la synthèse de nanocristaux. Le but ultime sera de ne fabriquer qu’une seule nanoparticule dans la grille en contrôlant au mieux sa taille et sa position. Puis, des applications optiques pourront naître en utilisant l’émission des ces nanocristaux de silicium dans le visible. V - CONCLUSION : Nous avons créé une formation pratique à l’AIME nommé « NANOCRYSTALS INSIDE » qui permet la synthése de nanocristaux de silicium par implantation ionique basse énergie (≤1keV) dans un oxyde SiO2 ultra-fin (<10nm). Les étudiants utilisent alors un procédé basé sur 4 niveaux de masquage pour réaliser des composants mémoires de type N à grille polysilicium auto-alignée. Le procédé peut être réalisé en 8 demi-journées où les étudiants effectuent, les différentes caractérisations physique (épaisseurs des couches, résistivité, profondeur de jonction), et les différents tests électriques des structures réalisées: composants élémentaires (diodes, résistances, capacités et transistors MOS) et des circuits intégrés mémoires (lecture, écriture et effacement, endurance, rétention…). Les caractéristiques obtenues montrent que les composants réalisés par les étudiants satisfont aux critères que l’industrie microélectronique impose à une mémoire, i.e. de conserver l’information stockée pendant 10 ans en gardant typiquement 85% de la charge initiale. REFERENCES: Ref 1K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai, and K. Seki IEEE Trans. Electron devices ED 41, 1628 (1994) Ref 2 D.A.B. Miller “Physical reason for optical interconnect, Journal of Optoelectronics, 1997, Vol11, pp.155168. Ref 3 C. Bonafos, M. Carrada, N. Cherkashin, H. Coffin, D. Chassaing, G. Ben Assayag, A. Claverie, T. Müller K. H. Heinig, M. Perego, M. Fanciulli, P. Dimitrakis, and P. Normand, J. Appl. Phys. 95, 5696 (2004). Ref 4 P. Normand, P. Dimitrakis, E. Kapetanakis, D. Skarlatos, K. Beltsios, D. Tsoukalas, C. Bonafos, H. Coffin, G. Benassayag, A. Claverie, V. Soncini, A. Agarwal, Ch. Sohl, and M. Ameen, Microelectron. Eng. 73–74, 730 (2004). Ref 5 C. Dumas, J. Grisolia, G. BenAssayag V. Paillard, J. Brugger et al. Phys. Stat. Sol. (a) 204, 487-491 (2007). Ref 6 C. Dumas (2008) : Synthèse par implantation ionique, adressage, caractérisations électriques et optiques d’un nombre réduit de nanocristaux de Si dans SiO2. Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse : http://eprint.insa-toulouse.fr/archive/00000248/ Ref 7 Tiwari S, Rana F, Hanafi H I, Hartstein A, Crabbe E F and Chan K 1996 Appl. Phys. Lett. 68 1377 Ref 8 Normand P et al 2001 Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 178 74 Ref 9 Erase/Write Cycle Tests of n-MOSFET’s with Si-Implanted Gate-SiO2 -Takashi Ohzone, Toshihiro Matsuda, and Takashi Hori, Senior Member, IEEE IEEE Transactions on electron devices, Vol. 43, No 9, Sept. 1996 O12