Blocs analogiques élémentaires en technologie CMOS

option EC - 2001/2002
Blocs analogiques élémentaires
en technologie CMOS

option EC - 2001/2002
Transistor MOS
VDS
IDS
VDS-sat
()
DSTGSoxDS VVV
L
W
CI −µ=
()()()
DSsatDS
2
TGSoxDS VV1VV
L
W
C
2
1
I−λ+−µ=
()
2
V
VVV
L
W
CI 2
DS
DSTGSoxDS −−µ=
D
S
G
IDS
VDS
VGS
VDS-sat=VGS-VT

option EC - 2001/2002
•schéma équivalent "petits signaux" pour la zone
active (small-signal model)
gmvgs rds
GD
S
C
gd
Csb
Cgs Cdb
()
T
GS
DS
DSoxTGSoxm VV I2
I
L
W
C2VV
L
W
Cg − =µ=−µ=
()
DS
2
TGS
ox
ds
ds
IVV
L
W
2
C
g
r
1
λ≅−
µ
λ==
Transistor MOS
()()()
DSsatDS
2
TGSoxDS VV1VV
L
W
C
2
1
I−λ+−µ=

option EC - 2001/2002
•schéma équivalent "petits signaux" pour la zone
active (small-signal model)
Transistor MOS
()()()
DSsatDS
2
TGSoxDS VV1VV
L
W
C
2
1
I−λ+−µ=
DS
ds
I
r
1
λ
≅
résistance de sortie :
()
biTGSDS
A
0Si
VVVVL2 qN
2
+−−
εε
=λ
ordres de grandeur :
nMOS : 4 10-7 m/√V, pMOS : 10 -8 m/
√
0,9V

option EC - 2001/2002
•effet du substrat :
lorsque le substrat n'est pas au même potentiel que la source, la
tension de seuil du transistor est modifiée
(pour un transistor nMOS, la tension de seuil augmente lorsque
la tension VSB augmente (source to bulk))
Transistor MOS
(
)
ox
0A
FFSB0tntn
CKqN2
avec
22VVV
ε
=γ
Φ−Φ+γ+= gmvgs rds
GD
S
Cgd
Csb
Cgs C
db
B
gsvbs