Section : 4902
Matière : Electronique, Gle
Durée : 2h Examen semestriel
EX°1 ( pts) :
Un transistor npn est utilisé dans le circuit amplificateur de la figure suivante, la
caractéristique IB= f(vbe) est assimilé à la droite vbe= cte= 0.7v, les caractéristiques Ic= f(IB,vce)
Sont assimilées à des droites parallèles telles que Ic= 100IB
a- Tracer le réseau de caractéristiques pour IB = 0, 0.5, 5, 10, 15,20µA
b- Tracer la droite de charge pour Ec= 20v, RL=10Ket sur le même graphe tracer la
caractéristique de transfert correspondante.
c- Déterminer le point de fonctionnement P0 caractérisé par IB0 , IC0 , vCE0 lorsque EB=2v
et RB=100KΩ.
EXN°2( 9pts) :
Izmin=5mA, Il=0…….50mA, V0=10v
a. Dessiner l’allure de V1(t), Vc(t), V0 sur le même graphique
b. Calculer R afin d’assurer que : Vcmin (t)= 14v , Ilmax=50mA , Izmin=5mA0.
Bon courage
Section : 4802
Matière : Electronique, Gle
Durée : 2h
Examen semestriel
EX°1 ( pts) :
EXN°2( pts) :
Bon courage
Section : 6302/G02
Matière : Electronique, Gle
Devoir N01
EX°1 ( pts) :
EX°2 ( pts) :
Bon courage
Section : 6302/G02
Matière : Electronique, Gle
Devoir N01
EX°1 ( pts) :
EX°2 ( pts) :
Bon courage
Section : 6302/G01
Matière : Electronique, Gle
Devoir N01
Exercice1
Section : 4801
Matière : Electronique, Gle
Durée : 2h Examen semestriel
.
Bon courage
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