Sommaire - Technologue pro

ISET Nabeul
CHELBI Hassen 3
Sommaire
Chapitre 1
La Diode à Jonction
1. Introduction :
2. La jonction PN :
2.1. Jonction PN non polarisée :
2.2. Polarisation directe :
2.3. Polarisation inverse :
2.4. Effet de la température :
3. Caractéristiques électriques :
3.1. Caractéristique courant / tension :
3.2. Résistance différentielle (ou dynamique) :
4 Schéma équivalent :
4.1. Diode idéale :
4.2. Diode avec seuil :
4.3. Diode avec seuil et résistance :
5. Point de fonctionnement :
6. Application :
Chapitre 2
Utilisation de la Diode à Jonction en Redressement
1. Introduction:
2. Redressement simple alternance :
2.1. Montage :
2.2. Fonctionnement du montage :
2.3. Chronogrammes :
2.4. Performance du redressement simple alternance :
3. redressement double alternance :
3.1. Avec transfo à point milieu :
3.2. Avec pont de graetz :
4. Filtrage :
4.1. Redressement simple alternance :
4.2. Redressement double alternance :
5. Doubleur de la tension :
6. Applications :
Chapitre 3 :
Diodes Spéciales
1. Diodes Zénèr :
1.1. Caractéristiques :
1.2. Schéma équivalent :

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2. Diodes électroluminescentes:
2.1. Caractéristiques:
2.2. Utilisations:
3. Autres types :
4. Application :
Chapitre 4
Transistor Bipolaire
1. Description et symbole :
2. Effet Transistor :
2.1. Fonctionnement à courant de base nul :
2.2. Fonctionnement à courant de base constant :
2.3. Caractéristiques du transistor :
3. Références des diodes et des transistors :
Chapitre 5
Polarisation d’un Transistor
1. Introduction :
1.1. Point de fonctionnement :
2. Réalisations pratiques de la polarisation :
2.1. Polarisation par résistance de base :
2.2. Polarisation par réaction d'émetteur :
2.3. Polarisation par réaction de collecteur :
2.4. Polarisation par pont de base et résistance d'émetteur :
3. Application :
Chapitre 6
Transistor Bipolaire en Régime Variable: Les principaux montages
1. Schéma équivalent et paramètres dynamiques d’un amplificateur :
1.1. Description :
1.2. Schéma équivalent :
1.3. Les paramètres dynamiques d’un amplificateur :
2. Amplificateurs à plusieurs étages :
3. Les trois montages fondamentaux :
3.1. Le montage émetteur commun :
3.2. Le montage collecteur commun :
3.3. Le montage base commune :
4. Tableau comparatif des différents montages :
5. Application :

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Chapitre 7
Transistor Bipolaire en Régime Variable: Amplification
1. Introduction :
2. Paramètres hybrides en Emetteur commun :
3. Identification des paramètres hybrides en émetteur commun
4. Pente du transistor :
5. Schéma équivalent simplifié du transistor :
Chapitre 8
Les Transistors à Effet de Champ: TRANSISTORS à JONCTION (JFET)
1. Structure :
2. Fonctionnement
2.1. Etude expérimentale
2.2. Interprétation du fonctionnement
3. Réseaux de caractéristiques
3.1. Réseau d'entrée
3.2. Réseau de sortie
3.3. Réseau de transfert ou de transconductance
4. Polarisation des transistors à effet de champ
4.1. Polarisation automatique
4.2. Polarisation par pont diviseur
5. Schémas équivalent en petits signaux
6. Montage source commune
7. Montage drain commun
8. Applications spécifiques des FET
8.1. Interrupteur analogique
8.2. Résistance commandée par une tension
8.3. Résistance non linéaire
8.4. Source de courant
9. Comparaison avec les transistors bipolaires
10. Application