DIODE

DIODE
INTRODUCTION.
PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT.
A. LA JONCTION.
1. Équilibre sans générateur.
2. Avec un générateur en sens direct.
3. Avec un générateur en sens inverse.
B. CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES.
1. Caractéristique courant/tension.
 Caractéristique globale.
 Caractéristique directe (Vd > 0)
 Autour de zéro.
 Caractéristique inverse (Vd < 0). Phénomène de claquage.
 Équation.
 Effet de la température.
2. Résistance différentielle (ou dynamique).
3. Schéma équivalent.
 Diode idéale.
 Diode avec seuil.
 Diode avec seuil et résistance.
UTILISATION.
 Paramètres essentiels des diodes.
A. DIODES DE REDRESSEMENT.
1. Caractéristiques physiques.
2. Redressement simple alternance.
3. Redressement double alternance.
 Avec transfo double enroulement.
 Avec pont de Grætz.
 Quelle solution choisir ?
4. Filtrage.
 Redressement simple alternance.
 Redressement double alternance.
 Fonctionnement des diodes et transfos.
5. Alimentations doubles symétriques.
6. Doubleur de tension.
B. DIODES À AVALANCHE CONTRÔLÉE.
1. Caractéristiques physiques.
2. Protection contre les surtensions.
3. Mise en série de diodes.
C. DIODES DE REDRESSEMENT RAPIDES.
1. Notions de charge recouvrée.
2. Utilisation.

D. DIODES DE SIGNAL.
1. Carctéristiques physiques.
2. Détecteur de crête.
3. Détection AM.
4. Thermomètres. Compensation thermique.
DIODES SPÉCIALES.
A. DIODES ZENER.
1. Caractéristique.
2. Schéma équivalent.
3. Régulation de tension.
4. Écrêtage des surtensions.
B. DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES.
1. Caractéristique.
2. Utilisation.
C. AUTRES.
Transistor bipolaire
PRINCIPE ET CARACTÉRISTIQUES.
A. INTRODUCTION À L'EFFET TRANSISTOR.
B. LE TRANSISTOR RÉEL.
1. Principe de fonctionnement.
2. Constitution et caractéristiques physiques d'un transistor.
3. Courants de fuite.
4. Symboles, tensions et courants.
 Transistor NPN
 Transistor PNP
C. CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES.
1. Montages de base.
2. Schéma de mesure des caractéristiques.
3. Caractéristique d'entrée.
4. Caractéristique de transfert.
5. Caractéristique de sortie.
6. Limites d'utilisation.
7. En bref
8. Paramètres essentiels des transistors.
MONTAGES DE BASE.
A. PRELIMINAIRE.
1. Mise en œuvre du transistor.
 Alimentation.
 Polarisation.
 Conversion courant/tension.

 Liaisons.
 Insensibilité du montage aux paramètres du transistor.
2. Méthodologie de calcul.
3. Schéma équivalent alternatif petits signaux du transistor. Paramètres hybrides.
B. MONTAGE ÉMETTEUR COMMUN.
1. Polarisation. Point de fonctionnement.
 Polarisation par une résistance.
 Polarisation par pont de base.
2. Fonctionnement en petits signaux alternatifs.
 Fonctionnement intuitif .
 Gain en tension.
 Schéma équivalent de l'étage amplificateur.
 Impédance d'entrée.
 Impédance de sortie.
 Gain de l'étage en charge.
 Bilan. Utilisation du montage.
C. MONTAGE COLLECTEUR COMMUN.
1. Polarisation. Point de fonctionnement.
2. Fonctionnement en petits signaux alternatifs.
 Fonctionnement intuitif .
 Gain en tension.
 Impédance d'entrée.
 Impédance de sortie.
 Bilan. Utilisation du montage.
D. MONTAGE BASE COMMUNE.
1. Polarisation. Point de fonctionnement.
2. Fonctionnement en petits signaux alternatifs.
 Fonctionnement intuitif .
 Gain en tension.
 Impédance d'entrée.
 Impédance de sortie.
 Bilan. Utilisation du montage.
E. REMARQUES FONDAMENTALES.
F. FONCTIONNEMENT EN HAUTE FRÉQUENCE
1. Schéma équivalent de Giacoletto.
2. Théorème de Miller.
 Définition.
 Application au schéma de Giacoletto.
 Autres applications.
Transistor à effet de champ
INTRODUCTION.
LE TRANSISTOR FET À JONCTION.
A. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT.

1. Constitution d'un FET.
2. Phénomène de pincement.
 Tension drain-source nulle.
 Tension drain-source non nulle.
B. CARACTÉRISTIQUES.
1. Caractéristique d'entrée.
2. Caractéristiques de sortie et de transfert.
C. REPRÉSENTATION. SCHÉMA ÉQUIVALENT.
1. Symboles des FETs.
2. Schéma équivalent en petits signaux.
D. MONTAGE SOURCE COMMUNE.
1. Polarisation.
2. Fonctionnement en petits signaux.
 Schéma équivalent.
 Gain en tension.
 Impédance d'entrée.
 Impédance de sortie.
E. UTILISATION EN RÉSISTANCE COMMANDÉE.
F. SOURCE DE COURANT.
G. DOMAINE D'UTILISATION.
LE TRANSISTOR MOS FET.
A. LE MOSFET À CANAL INDUIT.
1. Description.
2. Principe de fonctionnement.
3. Caractéristiques.
B. LE MOSFET À CANAL INITIAL.
1. Description du principe de fonctionnement.
2. Caractéristiques.
C. UTILISATION DES MOSFETs.
1. MOSFET de puissance.
2. Intégration dans les composants numériques.
Amplificateur opérationnel
INTRODUCTION.
L'AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL PARFAIT.
A. PRINCIPE.
B. CARACTÉRISTIQUES.
C. FONCTIONNEMENT D'UN SYSTÈME BOUCLÉ.
1. Schéma-bloc d'un système bouclé.
2. Application à l'AOP.
3. Calcul des montages à AOP.

MONTAGES DE BASE À AOP.
A. AMPLIFICATION
1. Amplificateur inverseur.
 Calcul par la loi d'ohm.
 Calcul par la méthode des schémas-blocs.
2. Généralisation à des dipôles quelconques.
3. Amplificateur non inverseur.
4. Montage suiveur.
B. MONTAGES OPÉRATIONNELS.
1. Additionneur inverseur.
2. Montage soustracteur (différentiel).
3. Montage intégrateur.
4. Montage dérivateur.
5. Montage logarithmique.
6. Montage exponentiel.
C. FILTRAGE.
1. Passe bas 2e ordre.
2. Passe haut 2e ordre.
D. MONTAGES NON LINÉAIRES.
1. Comparateur de tensions.
2. Trigger.
3. Multivibrateur astable.
4. Redresseur sans seuil.
5. Détecteur de crête.
L'AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL RÉEL.
A. SCHÉMA INTERNE DE PRINCIPE.
o Étage différentiel :
o L'étage de gain :
o L'étage de sortie :
B. ALIMENTATION.
C. CARACTÉRISTIQUES D'ENTRÉE.
1. Impédances d'entrée.
 Impédance différentielle.
 Impédance de mode commun.
2. Tension de décalage d'entrée (offset).
3. Courants de polarisation.
4. Courants de décalage.
5. Plages de tensions d'entrée.
D. CARACTÉRISTIQUE DE TRANSFERT.
E. CARACTÉRISTIQUES DE SORTIE.
0. Impédance de sortie.
1. Vitesse de balayage (slew rate).
2. Tension de saturation.
3. Sortance en courant.
4. Protections de sortie.
5. Puissance dissipée.
F. IMPACT SUR LES MONTAGES DE BASE.