Introduction
L’électronique de spin (ou spintronique) est une discipline à la frontière entre magné-
tisme et électronique qui cherche à tirer parti du spin des électrons (plutôt que de la charge
électrique dans l’électronique classique) comme d’un degré de liberté supplémentaire pour
créer des fonctionnalités nouvelles. Celles-ci incluent d’une part la conversion d’une in-
formation magnétique (direction d’une aimantation) en signal électrique mesurable (effet
GMR et TMR), d’autre part la possibilité de manipuler une aimantation grâce à un cou-
rant électrique (effet dit de transfert de spin). Ces nouvelles fonctionnalités ont permis
des avancées technologiques considérables dans le domaine des mémoires magnétiques
où elles sont utilisées pour lire ou écrire l’information, ou dans le domaine des capteurs
pour mesurer des champs magnétiques avec une très grande sensibilité. Un exemple ayant
eu un impact industriel majeur est la tête de lecture de disque dur à magnétorésistance
géante (GMR), qui a permis d’augmenter fortement le signal électrique de lecture de
l’information magnétique contenu dans les disques durs résultant en une augmentation
considérable de la densité d’information stockée. Un autre exemple sont les mémoires
magnétiques à accès aléatoires, ou MRAM, dans lesquelles l’information est codée par la
direction de l’aimantation d’une couche magnétique dans une jonction tunnel magnétique
et est lue grâce à l’effet de magnétorésistance tunnel (TMR). Récemment, le développe-
ment des techniques de nanofabrication a rendu possible la miniaturisation des dispositifs
à électronique de spin. Dans cette perspective, plusieurs types de mémoires magnétique
ont été récemment proposés dans lesquels l’aimantation est manipulée non pas en agissant
directement sur l’aimantation mais sur la frontière qui sépare deux domaines d’aimanta-
tion opposé, la paroi de domaine. Ces parois magnétiques, dont l’épaisseur est comprise
typiquement entre 1 et 100 nm, peuvent être manipulées « classiquement » par un champ
magnétique mais aussi par un courant polarisé en spin par effet dit de transfert de spin.
Cet effet envisagé théoriquement dès 1978 n’a pu être observé qu’au début des années
2000 : en traversant la paroi, le courant polarisé en spin transfère son moment magné-
tique à l’aimantation et fait bouger la paroi soit dans le sens de propagation des électrons
soit dans le sens contraire suivant le matériau considéré. La possibilité d’utiliser cet effet
pour manipuler de façon contrôlée une paroi de domaine magnétique ouvre des perspec-
tives d’applications très prometteuses dans le domaine des mémoires magnétiques. On
peut citer notamment le registre magnétique, alternative prometteuse aux disques durs
proposé récemment par IBM ainsi que des mémoires MRAM dans lesquelles une paroi
magnétique est déplacée grâce à des impulsions de courant dans une piste magnétique
entre deux positions, codant 0 ou 1 l’information. Ces mémoires combineraient haute
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