Modélisation des structures Métal-Oxyde

Mod´elisation des structures
M´etal-Oxyde-Semiconducteur (MOS) : Applications aux
dispositifs m´emoires
Sandrine Bernardini
To cite this version:
Sandrine Bernardini. Mod´elisation des structures M´etal-Oxyde-Semiconducteur (MOS) : Ap-
plications aux dispositifs m´emoires. Micro et nanotechnologies/Micro´electronique. Universit´e
de Provence - Aix-Marseille I, 2004. Fran¸cais. <tel-00007764>
HAL Id: tel-00007764
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00007764
Submitted on 15 Dec 2004
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Année 2004
THESE
présentée devant
L’UNIVERSITE D’AIX-MARSEILLE I
par
Sandrine BERNARDINI
Ingénieur INSA LYON
pour obtenir
LE GRADE DE DOCTEUR
Ecole Doctorale : Physique, Modélisation et Sciences pour l’Ingénieur
Spécialité : Physique et modélisation des systèmes complexes
MODELISATION DES STRUCTURES
METAL-OXYDE-SEMICONDUCTEUR (MOS) :
APPLICATIONS AUX DISPOSITIFS MEMOIRES
Directeur de thèse : Pascal MASSON
Soutenue publiquement le 8 octobre 2004 devant la commission d’examen :
Président Pierre GENTIL IMEP, INP Grenoble
Rapporteurs Carole PLOSSU LPM, INSA Lyon
Gérard GHIBAUDO IMEP, CNRS, INP Grenoble
Examinateurs Thomas SKOTNICKI ST Microelectronics, Crolles
Pascal MASSON L2MP-Polytech, Univ. Aix-Marseille I
Rachid BOUCHAKOUR L2MP-Polytech, Univ. Aix-Marseille I
Invitée Barbara DE SALVO CEA/LETI, Grenoble

A ma famille,
A Damien.

Sandrine Bernardini_______________________________________________________________
Remerciements
Les travaux présentés dans ce manuscrit ont été réalisés au sein de l’équipe
Microélectronique du Laboratoire Matériaux et Microélectronique de Provence (L2MP). Je
remercie le Directeur, Michel Lannoo, Directeur de recherches au CNRS, de m’avoir
accueillie dans son Laboratoire. Je tiens également à remercier Monsieur Rachid
Bouchakour, Professeur à l’université de Provence, qui m’a offert l'opportunité d'effectuer
cette thèse au sein de son équipe dans des conditions de travail optimales durant toute
cette période.
Toute ma gratitude va à mon directeur de thèse, Pascal Masson, Professeur à
l’université de Provence avec qui j’ai eu plaisir à travailler durant ces trois années : j’ai
beaucoup appris à ses cotés, tant sur le plan scientifique qu’humain. Je tiens à le
remercier pour la confiance qu’il a su m’accorder en me proposant ce sujet de recherches.
Je remercie vivement Monsieur Pierre Gentil, Professeur à l'Institut National
Polytechnique de Grenoble, qui m'a fait l'honneur de présider le jury de ma thèse.
J'exprime toute ma reconnaissance à Madame Carole Plossu, Professeur à l’Institut
National des Sciences Appliquées de Lyon et Monsieur Gérard Guibaudo, Directeur de
recherches au CNRS, pour l’intérêt qu’ils ont porté à mes travaux en acceptant d’être les
rapporteurs de cette thèse ainsi qu'à Monsieur Thomas Skotnicki, Directeur de l’équipe
dispositifs avancés à ST Microelectronics Crolles, pour avoir accepté d’examiner ce
travail. Je les remercie d’avoir consacré une partie de leur temps à la lecture de ce
mémoire et de m’avoir permis de l’améliorer grâce à toutes leurs suggestions.
Je tiens à exprimer ma reconnaissance à toutes celles et à tous ceux qui ont contribué,
directement ou indirectement, au bon déroulement de mon travail et en particulier les
personnes avec lesquelles j’ai eu la chance d’interagir durant cette thèse : Laurent
Raymond et Xavier Cuinet pour l’étude de la rugosité de la capacité, Jean Michel Portal
pour son aide dans l’application de mes travaux de recherches au domaine du test,
Frédéric Lalande sans qui l’étude expérimentale des charges fixes n’aurait pas été
possible, Michel Houssa pour sa disponibilité, nos nombreuses discussions et les
renseignements qu’il m’a apportés sur les matériaux high
κ et le modèle de l’hydrogène,
Barbara Desalvo sans qui l'accomplissement des travaux sur les mémoires à nano-