Référence de tension bandgap en technologie SOI à faible dérive sur une large gamme de température Emna Chabchoub , Franck Badets, Pascal Nouet, Mohamed Masmoudi CEA-LETI 17 Avenue des Martyrs, 38000 Grenoble, France LIRMM 161 Rue Ada, 34090 Montpellier, France METS – ENIS Route Soukra Km 3.5, 3038 Sfax Tunisie E-mail : [email protected] Résumé Les références de tension sont des éléments basiques dans les applications hautes températures. La référence de tension la plus utilisée est la référence bandgap. Toutefois, on ne trouve pas beaucoup des références band-gap allant à des températures supérieures à 150°C. Une référence de tension band-gap en technologie SOI compensée au premier ordre avec un faible coefficient de température sur une plage de température allant jusqu'à 200°C est proposée. La référence de tension est conçue en utilisant la technologie 0,18µm SOI partiellement deplétée de XFab. L'architecture est basée sur la somme d'une tension proportionnelle à la température absolue avec une tension inversement proportionnelle à la température absolue. Elle exploite les caractéristiques en température des résistances de diffusion et des résistances Rpoly de la technologie de fabrication. Grâce à cette technique, la structure de la référence de tension proposée est simple et a l'avantage de ne pas avoir besoin du “trimming”. Le circuit produit une tension égale à 1,22V. Les résultats de simulation montrent que le circuit permet d'obtenir un coefficient de température égal à 13,21ppm/°C sur une large gamme de température allant de -20°C à 200°C. La puissance consommée est inférieure à 44μW sous une tension d'alimentation égale à 1,8V. Dans les simulations de Monte Carlo, le coefficient de température moyen est 19.84ppm/°C et la valeur moyenne de la tension de sortie de référence est 1,222V. I. Introduction L'intérêt pour l'électronique haute température ne cesse d’augmenter au cours des dernières décennies grâce au progrès des technologies de fabrication. Parmi les applications hautes températures, on trouve les applications dans le domaine de l'automobile, de l’industrie pétrolière et de l'industrie aéronautique. Dans ce genre d’applications, il est souhaité d’avoir des références de tension avec une faible dérive en température sur une large plage. D'une manière générale, les références de tension sont des éléments basiques presque dans tous les systèmes électroniques allant de l'analogique vers les circuits numériques, tels que les amplificateurs, les convertisseurs de données, les oscillateurs, les systèmes d'instrumentation et de conditionnement des signaux ... Dans certaines applications, la stabilité de la tension de référence peut être un élément critique. La référence de tension la plus utilisée est la référence de tension dite bandgap (bandgap voltage reference en anglais : BGVR), grâce à la simplicité de son principe. Ce type de circuit fournit à sa sortie une tension de référence de 1,2V. Cependant, il n'y a pas beaucoup de références de tension bandgap conçus pour des températures supérieures à 150°C. Le développement des BGVR pour la très haute température a pâti jusque-là de la sensibilité des technologies CMOS classiques. Ces technologies sont inadaptées à cause de leurs courants de fuite qui augmentent exponentiellement avec la température et deviennent rapidement prohibitifs. Toutefois, la technologie SOI semble prometteuse puisque elle a des courants de fuite moindres et peut atténuer divers effets de l’augmentation de la température. Dans cet article, on propose une référence de tension bandgap conçue pour une température de fonctionnement allant jusqu'à 200°C. Le BGVR a été conçu dans une technologie SOI partiellement depléte (PD-SOI). La stabilité de la tension de sortie a été obtenue grâce à l’exploitation des caractéristiques thermiques des résistances de diffusion et des résistances poly offerts par la technologie dans laquelle le circuit a été conçu, la Xfab PD-SOI 0,18µm. II. Principe des références de tension bandgap Depuis sa première introduction par Widlar [1], le principe du bandgap a été largement utilisé pour concevoir des références de tension précises. La tension de sortie est égale à la somme de la tension baseémetteur d'un transistor bipolaire ayant un coefficient de température négatif (CTAT) et une tension de correction proportionnelle à la température (PTAT) avec un facteur d’ajustement K, comme représenté sur la figure 1. La caractéristique en température de la tension baseémetteur d’un transistor bipolaire peut être exprimée sous la forme [2 ]: VBE(T)=Eg(T)-VT[ln(Ic0)-ln(X)+(4-m-α) .ln(T)] (1) où Eg est la tension de bande interdite du silicium à 0K, α est l'ordre de dépendance à la température du courant du collecteur, m représente l'ordre de dépendance à la température de la mobilité, X est R une constante technologique et VT désigne la tension thermique. Figure 1. Principe des références de tension bandgap. La tension PTAT est généralement générée par une différence entre la tension base-émetteur de deux transistors bipolaires comme suit : VPTAT = ∆VBE = VT . ln(n) (2) où n est le rapport de la densité de courant des deux transistors bipolaires. En combinant les équations (1) et (2), la tension de référence du bandgap peut être formulée comme suit : Vref = VBE + K.∆VBE = cst.VT + K.VT.ln(n) + F(T) (3) où F (T) est une fonction complexe de la température, d’ordre supérieur à 1. L'équation (3) montre que la performance des références de tension utilisant une combinaison linéaire de la tension base-émetteur du transistor bipolaire et la tension thermique est limitée par la non linéarité de la variation de la tension baseémetteur du transistor bipolaire. La référence de tension bandgap conventionnelle compensée au premier ordre a généralement un coefficient de température (TC) entre 20ppm/°C et 100 ppm/°C [3]. Pour faire face à ce problème, des techniques de compensation d'ordre supérieur sont généralement utilisées dans ce cas. Cependant, ces techniques sont au-delà de notre intérêt dans cet article. III. La référence de tension bandgap proposée La figure 2 montre le schéma de la référence de tension bandgap proposée. La tension de référence de sortie est donnée par : Vout = VBE-L + RL VT .ln(n) (4) R VBG RL R Figure 2. Schéma de la référence de tension bandgap proposée. Bien que notre premier intérêt en conception soit la compensation des effets de l’augmentation de la température, le mismatch dans le miroir de courant et la tension d’offset à l'entrée de l'amplificateur pourraient avoir un impact important sur la stabilité de la tension de référence [4] [5]. Par exemple, si La tension d’offset à l’entrée de l’amplificateur est égale à 1mV, celle-ci va s’ajouter à la tension PTAT comme montre l’équation (5) et induit une erreur dans le coefficient de température de la tension de sortie du bandgap égale à 26 ppm/°C [6] Vptat = ∆VBE + Voffset (5) Pour pallier à ce problème, nous devons nous assurer que ΔVBE domine toujours sur Voffset. Ceci peut être réalisé en augmentant la valeur du rapport de la densité de courant des transistors bipolaires. La variation de VBE-L est comprise entre -1,5 mV/°C et -2mV/°C [6]. Si l’on considère la valeur moyenne et pour n égal à 100, le facteur d'ajustement requis K sera : RL |∆VBE-L| (6) K= = = 3.8 k.ln(n) R Cependant, seule la partie linéaire de la dépendance en température de VBE-L est corrigée. Une non-linéarité thermique dans la tension PTAT doit être créé pour compenser la non-linéarité de la tension base-émetteur. La technologie XFab utilisée fournit des résistances à la fois avec un coefficient de température négatif et positif ce qui nous permet de concevoir des résistances avec différents coefficients de température grâce à un coefficient de pondération x comme suit: R = x. RTC+ + (1— x) RTC(7) TCR = x. TC+ + (1— x) TC- où RTC + est une résistance de diffusion et la RTC- est une résistance de poly telle que le coefficient de température est égale à 1,4 m/°C et -1.5m/°C, respectivement. L’implémentation des résistances de R et RL a été faite en utilisant cette approche. En conséquence, le facteur d’ajustement K varie avec la température. Notez que la meilleure stabilité thermique de la référence a été obtenue pour le même coefficient de pondération pour les résistances R et RL, abrégé x et xL respectivement, comme le montre la figure3. Ceci peut être expliqué par le fait que la variation du facteur d'ajustement en fonction de la température doit être finement adaptée à la non-linéarité de VBE-L. La bonne valeur du coefficient de pondération peut être obtenue par un fin réglage du circuit en simulation. ∆VBG Figure 5. La dérive en température de la tension du bandgap en fonction de la tension d’alimentation. ∆VBG x = x L = 675m Pour étudier l'effet des paramètres de l'amplificateur sur le BGVR, des simulations ont été réalisées avec différentes valeurs de tension d’offset et de gain de l’amplificateur. Ces paramètres ont été modifiés directement dans le modèle d'amplificateur et de leurs effets sur la stabilité du BGVR sont exposées dans les figures 6.a et 6.b ∆VBG Figure 3. La dérive en température de la tension du bandgap en fonction de x , pour xL=675m. Résultats de simulation : IV. Les modèles de la technologie de fabrication limitent la température maximale de simulation. La caractéristique en température de la référence de tension bandgap est présentée dans la figure 4. Sur une gamme de température allant de -20°C à 200°C, le circuit réalise un coefficient de température égal à 13,21 ppm/°C pour 1,8V comme tension d’alimentation. L’effet de la variation de la tension d’alimentation est rapporté dans la figure 5. Figure 6.a. La dérive en température de la tension du bandgap en fonction de la tension d’offset de l’amplificateur. ∆VBG VBG Figure 6.b. La dérive en température de la tension du bandgap en fonction du gain de l’amplificateur. Figure 4. Tension de sortie du bandgap en fonction de la température. Une simulation Monte Carlo a été réalisée (figure 7) afin de se mettre dans les conditions de fabrication réelles. Elle montre que, sur 100 échantillons, le coefficient de température moyen est égal à 19,84ppm /°C. Références [1] [2] ∆VBG [3] [4] [5] [6] Figure 7. La dérive en température de la tension du bandgap sur 100 échantillons [7] Table1 résume brièvement la performance du circuit BGVR proposé et met en évidence l'amélioration par rapport aux autres BGVR dans la littérature. [8] Référence Ce travail Paramètre [7] [8] [9] 0;100 Température (°C) -20;200 25;300 25 ;300 Technology 0,18µm PD-SOI 1µm DP-SOI 1µm 0,35µm FD-SOI SOI 13,21 138 Variation (ppm/°C) PSRR (dB) Pconsommée (µW) Variation du process ∆Voutmean (V) 100 11mV NA NA -40 NA 44 285 900 6.6 5,334 NA NA 20% Table 1. Comparaison des performances. V. Conclusion Une référence de tension bandgap en technologie SOI a été présentée. On a pu réaliser un faible coefficient de température sur une large gamme de température sans avoir recours au trimming. Un point à développer sera l’endurance du circuit face aux variations de la tension d’alimentation. [9] R. J. Widlar, « New developments in IC voltage regulators », IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 6 (1971) no 1, p. 2‑7. Y. Tsividis, « Accurate analysis of temperature effects in I/SUB c/V/SUB BE/ characteristics with application to bandgap reference sources », IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 15, no 6 (1980) p. 1076‑1084. K. G. A. Rincon-Mora, « Considering the System and the Working Environment », in Voltage References: From Diodes to Precision HighOrder Bandgap Circuits, Wiley-IEEE Press (2002) p. 119‑156. S. Sengupta, L. Carastro, et P. E. Allen, « Design considerations in bandgap references over process variations », IEEE International Symposium on Circuits and Systems ,Vol 4( 2005) p. 3869‑3872. M. J. M. Pelgrom, H. P. Tuinhout, et M. 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