Transistors nouvelle génération et conception de circuits - instn

Transistors nouvelle génération et conception de circuits
Code référence : 678
OBJECTIFS
• Repérer les principales évolutions du MOS et du bipolaire.
• Intégrer l'évolution de ces technologies pour la conception des fonctions analogiques et numériques de base.
PUBLIC
Ingénieurs, chercheurs, techniciens supérieurs :
• concepteurs en électronique en reconversion vers la conception de circuits intégrés,
• concepteurs en circuits intégrés souhaitant mettre à jour leurs connaissances,
• technologues désirant comprendre le lien entre technologie et conception.
PRÉ-REQUIS
Notions de physique des composants, électronique.
CONTENU
Fonctionnement du MOS et du bipolaire
- Les bases de la physique des dispositifs à semi-conducteur.
- La structure MOS (Métal Oxyde Semi-conducteur) : de la capacité au transistor et à son évolution.
- Transistors bipolaires - homojonction Silicium et hétérojonction Si/Ge - intégrés.
Les modèles physiques et électriques
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Institut national des sciences et techniques nucléaires
www­instn.cea.fr
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- Les modèles électriques et leur utilisation dans les simulateurs ; BSIM et EKV.
- TP sur logiciel TCAD (simulation process et dispositifs) et sur logiciel de simulation électrique.
La conception des fonctions de base
- Conception des fonctions de base en numérique.
- Conception des fonctions de base analogiques, effet de l'évolution des technologies CMOS.
- TP sur logiciel de simulation électrique : conception de quelques fonctions de base numériques et analogiques.
Évolution des technologies
- La miniaturisation du transistor et les nouveaux effets.
- La technologie SOI (Silicon On Insulator) : du transistor simple grille au transistor multi-grilles ; avantages et inconvénients.
- TP sur logiciel de simulation électrique : évolutions des fonctions de base avec les évolutions des technologies.
Nouveaux composants et conception associée
- Systèmes sur puce basse consommation.
- Les nouveaux composants : transistors à nanotubes ou nanofils.
- Évolution de la conception et nouvelles architectures.
MÉTHODE
Conférences. Travaux pratiques sur logiciels de conception.
Groupe limité à 12 participants.
COLLABORATION
Conseiller scientifique : Hervé Fanet (CEA/DRT/Leti/DIR)
PRIX PUBLIC - 2017
1700 €
DURÉE - 2017
5 jours (35 heures)
LIEU ET DATE - 2017
Grenoble
• 6-8 septembre 2017 + 28-29 septembre 2017
COORDINATION - 2017
Responsable(s) pédagogique(s) :
Grenoble
Mme Chantal TARDIF
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Institut national des sciences et techniques nucléaires
www­instn.cea.fr
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[email protected]
Tél. +33 4 38 78 93 83
CONTACT - 2017
Organisatrice(s) formation :
Grenoble
Mme Anne-Sophie BERTIN
[email protected]
Tél. +33 4 38 78 48 65
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Institut national des sciences et techniques nucléaires
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