IUT de Limoges Electronique Physique Département GEII Brive Partiel 2000 Etude d’un transistor à Haute mobilité d’électrons sur AsGa On se propose de calculer les principales caractéristiques d’un transistor à effet de champ à haute mobilité d’électrons sur AsGa (HEMT) dont la structure est donnée à la figure1. De façon simplifiée ce transistor est constitué d’un canal d’ InAsGa non dopé, d’une couche barrière en AlGaAs dopé N sur laquelle on a réalisé une jonction Schottky qui constitue la grille métallique de longueur L suivant l’axe Ox. De chaque côté de la grille on place deux zones N+ et des métallisations qui jouent le rôle de contact de source et de drain. Le rôle de ces deux électrodes est d’établir un champ électrique E(x) dans le canal et de recueillir le courant. 1) Analyse de la jonction : loi de contrôle de charge. On se place à l’abscisse x et on analyse la structure Métal-AlGas-InGaAs entre les abcisses x et x+dx. La répartition des densités de charges est donnée à la figure 2 suivant l’axe Oy dirigé perpendiculairement à la surface du transistor. Dans le semi-conducteur la densité de charge est donnée par : − q ⋅ Nm − δ m ≤ y ≤ 0 ρ ( y ) = q ⋅ N D 0 ≤ y ≤ y1 avec δ m << y1 − q ⋅ n y ≤ y ≤ y + δ 1 1 1-1) Exprimer la relation entre la dérivée du champ électrique E(y) , la densité de charges ρ ( y ) et la permittivité ε du Semi-conducteur 1-2) La densité de charges N m dans le métal est très supérieure à celle du semi-conducteur N D . De ce fait on négligera l’épaisseur de la zone de charge d’espace δ m dans le métal. a) Donner l’expression du champ électrique E ( y ) pour y ≥ 0 . b) En utilisant le fait que l’on doit avoir E ( y1 + δ ) = 0 montrer que le champ en q ⋅ ns q ⋅ ND , où on aura posé : n s = n ⋅ δ . y = 0 est donné par : E (0) = − y1 + ε ε Quelle est l’unité de n s ? c) A.N : On donne : y1 = 30 nm ; δ = 10 nm ; N D = 1018 cm −3 ; n = 1018 cm −3 ε = 1,16 10 −12 F / cm ; q = 1,6 10 −19 C Calculer la valeur numérique de E (0) 1-3) En utilisant la relation entre le champ E ( y ) et le potentiel ψ ( y ) : a) Donner l’expression de ψ ( y ) . En déduire l’expression de ψ ( y1 ) − ψ (0) b) On donne : ψ ( y1 ) − ψ (0) = Vbi + V0 + Φ ( x) − VGS où Vbi et V0 sont deux constantes du matériau et où Φ(x) est le potentiel dans le canal. Montrer que la densité de charge dans le canal peut se mettre alors sous la forme : 1 IUT de Limoges Electronique Physique Département GEII Brive Partiel 2000 ε ⋅ (VGS − Vth − Φ ( x) ) , avec y1 numériquement Vth si Vbi + V0 = 0,22 V c) On posera maintenant : q ⋅ ns = Vth = Vbi + V0 − q ⋅ N D ⋅ y12 . 2ε Calculer C ⋅ (V − Vth − Φ ( x) ) si Vth − Φ ( x) ≥ 0 q ⋅ ns = 0 GS si Vth − Φ ( x) < 0 0 Calculer la valeur numérique de C 0 2) Fonctionnement du transistor. Dans le 1) on a raisonné sur les jonctions métal-AlGaAs-InGaAs située à l’abscisse x. Dans cette structure la densité volumique de charge − q ⋅ n dans le canal est constituée d’électrons libres susceptibles de conduire le courant alors que la densité de charges q ⋅ N D est constituée d’atomes ionisés fixes dans l’espace (Zone de Charge d’Espace). Lorsque l’on applique le champ E(x) comme indiqué à la figure-4 entre les électrodes de Drain et de Source seuls les électrons libres participent au courant. Soit Z la largeur de la grille et v(x) la vitesse des électrons libres. 2-1) Montrer que le courant dans le canal est donné par1 I D = q ⋅ ns ⋅ Z ⋅ v(x) 2-2) On suppose que la vitesse des électrons est donnée par la relation suivante. (figure-3) : µ ⋅ E ( x) si E < Ec v( x ) = v s si E ≥ Ec où µ est la mobilité des électrons, E (x) le champ électrique à l’abscisse x dirigé comme sur la figure 4. et Φ(x) est le potentiel dans le canal (voir figure-4) à dΦ ( x) l’abscisse x . Exprimer le courant I D en fonction de Φ( x) et de dans la zone dx où E < Ec . 2-3) 2-4) 1 On a Φ(0) = 0 et Φ ( L) = VDS . En supposant que le courant I D est constant dans le canal, intégrer l’équation obtenue au 2-2 entre 0 et L et mettre le courant I D sous la forme : Z ⋅ Co ⋅ µ V2 ⋅ (VGS − VTH )⋅ VDS − DS . ID = 2 L Cette expression n’est valable que pour VDS ≤ Vsat qui correspond à la tension pour laquelle la saturation de vitesse des électrons apparaît. Avec les conventions de la figure-4 2 IUT de Limoges Electronique Physique Département GEII Brive Partiel 2000 a) On se place à la limite de saturation, c’est-à-dire pour VDS = Vsat . On pose a = VGS − Vth . En utilisant les relation obtenues aux questions 2.1) et 2.3) , montrer que la tension de saturation Vsat satisfait l’équation du second degré suivante : v ⋅L v ⋅L Vsat2 − 2 ⋅ a + s ⋅Vsat + 2 ⋅ a ⋅ s =0 µ µ b) Résoudre cette équation pour obtenir Vsat sous la forme. (On choisira la racine la plus petite) Vsat 2-5) v ⋅L v ⋅L = a + s − a 2 + s µ µ 2 A.N : On donne Z = 1mm ; L = 1,0 µm ; µ = 8000 cm 2 / V ⋅ s ; vs = 1,0 ⋅107 cm / s a) Calculer numériquement Vsat et I Dsat pour VGS = 0 . b) Pour la même valeur de VGS , représenter graphiquement la courbe I DS = f (VGS ) en supposant que I DS = I Dsat = cte pour VDS ≥ Vsat 3 IUT de Limoges Electronique Physique 30nm Département GEII Brive Partiel 2000 Source Grille L=1µm Drain N+GaAs GaAs N+ Al0.25Ga0.75As Dopé ND=1018 cm-3 GaAs N+ O x Canal In0.22Ga0.78As non dopé 10nm Substrat AsGa y Figure-1 Structure du transistor à haute mobilité d’électrons Canal InGaAs Densité d’électrons libres = -qn Barrière AlGaAs Drain Largeur de Grille Z J(x) Source v(x) δ 0 x E(x) L Φ (x) Figure-4 : Sens conventionnel du champ E(x) de la tension φ(x) et de la densité de courant J(x) dans le canal. (le dessin n’est pas à l’échelle) 4 IUT de Limoges Electronique Physique métal Département GEII Brive Partiel 2000 AlGaAs InGaAs substrat y ρ(y) q.ND y1 y y1+δ δ -q.n -q.Nm E(y) y E(0) Figure-2 Répartition de la densité de charge et champ électrique dans la structure v vs E Ec Figure-3 Caractéristique de la vitesse en fonction du champ 5