structuration en réseau de Bragg de la couche de FeCo de 50 nm d’épaisseur. La période est de 200
nm pour une résonance attendue à environ 1,3μm, et le facteur de remplissage est de 50%. Une
structure de 500 périodes, soit environ 100μm de long, a été considérée. L’indice optique du
Fe50Co50 à 1,3μm s’élève à 3,4-j4,5 [7] et sa constante gyrotropique (élément non diagonal du
tenseur de permittivité) à 1,7+j1,7. L’épaisseur de la couche de confinement entre le guide « actif »
du SOA et le FeCo est de 300 nm. Cette épaisseur est un paramètre clef dans le compromis taux
d’isolation - pertes induites de l’isolateur. L’amplification n’est pas prise en compte dans le
modèle. Pour le calcul une base de 40 modes propres a été utilisée. La Figure 2(b) montre les
spectres de transmission du mode fondamental pour les deux sens de propagation. La résonance
autour de 1,3μm due à la cavité de Bragg apparait clairement, tandis que l’isolation en puissance
obtenue avec cette structure de 100μm s’élève à 2,3dB. Cette valeur est à comparer au taux
d’isolation de 3,9dB qui serait obtenu sans nanostructuration avec un isolateur-SOA de même
structure et de même longueur. Il y a donc une décroissance du dichroïsme, mais qui n’est pas
proportionnelle au facteur de remplissage du réseau. De plus les pertes totales du mode « aller »
sont de 13dB avec le réseau de Bragg. Elles sont à comparer à une valeur de 39dB sans
nanostructuration. Il apparait donc que la nanostructuration du métal réduit considérablement les
pertes de transmission sans induire une réduction proportionnelle du taux d’isolation. Ce taux
d’isolation pouvant être ajusté par optimisation de la structure guidante et du confinement optique
dans la couche ferromagnétique, la structuration en réseau de Bragg semble prometteuse pour une
amélioration significative des performances.
4. CONCLUSION ET PERSPECTIVES
L’isolateur intégré est un élément clef des laser bas-coût et des circuits photoniques intégrés.
L’isolateur-SOA à base d’effet magnéto-optique Kerr transverse a montré expérimentalement un
taux d’isolation de 12,7dB à la transparence avec un courant d’injection de 160 mA. Ici nous
montrons théoriquement que la structuration de la couche ferromagnétique de FeCo conduit à une
exaltation de la transmission par rapport à la version avec couche continue, et constitue une
solution, qui reste à optimiser, pour diminuer le courant d’injection tout en maintenant un taux
d’isolation similaire. La fabrication de l’isolateur de Bragg à base de FeCo est en cours afin de
valider expérimentalement ces prévisions théoriques.
REMERCIEMENTS
Ce travail est réalisé dans le cadre du projet ANR RECITAL.
REFERENCES
[1] M. Takenaka, and Y. Nakano, “Proposal of a novel semiconductor optical waveguide isolator”,
Conference Proceedings IPRM'99, Davos, Switzerland, 16-20 May, 1999
[2] M. Vanwolleghem et al., “Experimental demonstration of nonreciprocal amplified spontaneous emission
in a CoFe clad semiconductor optical amplifier for use as an integrated optical isolator,” Applied Physics
Letters, 85(18), p.3980-3982 (2004)
[3] W. Van Parys et al, “Transverse magnetic mode nonreciprocal propagation in an amplifying
AlGaInAs/InP optical waveguide isolator”, Appl. Phys. Lett., 88, 071115 (2006)
[4] Y. Shoji, T. Mizumoto, H. Yokoi, I-W. Hsieh, R. M. Osgood, Jr, “Magneto-optical isolator with silicon
waveguides fabricated by direct bonding,” Appl. Phys. Lett. 92, 071117 (2008)
[5] M. Vanwolleghem, L. Magdenko, P. Gogol, B. Dagens, P. Beauvillain, J.-M. Lourtioz, “Semiconductor
optical Bragg isolator” IPRM’08, paper WeA3.2, to be presented at IPRM’08, 20th IPRM conference, 25-
29th May 2008, Versailles, France
[6] P. Bienstman and R. Baets, “Optical modelling of photonic crystals and VCSELs using eigenmode
expansion and perfectly matched layers.” Opt. Quantum Electron. 33, 327 (2001)
[7] A. Lesuffleur, M. Vanwolleghem, P. Gogol, B. Bartenlian, P. Beauvillain, J. Harmle, L. Lagae, J.
Pistora, K. Postava, S. Visnovsky and R. Wirix-Speetjens, “ Magneto-optical parameters of Co_90
Fe_10 and Co_50 Fe_50 ferromagnetic thin films for 1.3 μm integrated isolator,”J. of Magn. Magn.
Mat., Volume 305, Issue 2, 2006, Pages 284-290
Composants passifs et Optique intégréeMa1.3
60JNOG, Lannion 2008