semiconducteurs
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SEMICONDUCTEURS M.MOUNIC TABLE DES MATIERES CHAPITRE I Thyristor : constitution, amorçage A Constitution B Amorçage : théorie de l'avalanche locale C Amorçage : théorie des deux transistors imbriqués D Effets transistor direct, inverse, dus au courant de gâchette E Thyristor P, thyristor N Exercices 3 4 8 11 14 16 17 CHAPITRE II A B C D 18 18 23 29 31 Caractéristiques Caractéristiques Caractéristiques Caractéristiques Caractéristiques statiques dynamiques thermiques de gâchette CHAPITRE III Procédés de déclenchement A Classification B Déclenchement par résistance, par résistance et capacité C Circuit déphaseur DDéclenchement par semi-conducteurs à seuil de tension E Commande par éléments à circuit magnétique F Alimentation en continu : circuits de blocage Exercices 35 36 37 38 42 46 51 53 CHAPITRE IV Thyristor : applications A Contacteurs à thyristors B Réglage de phase : redresseurs à tension continue réglable C Commande de puissance en alternatif par réglage de phase D Onduleurs et convertisseurs E Comparaison du thyristor avec les autres dispositifs à semi-conducteurs et avec les soupapes à gaz Note Diversité des applications des thyristors Exercices 56 57 58 61 62 67 69 70 CHAPITRE V A B 72 73 75 Mise en a:oeuvre des thyristors Résistance thermique ; procédés de refroidissement Protection des thyristors contre les surtensions et les surintensités C Thyristors en série D Thyristors en parallèle Exercices CHAPITRE VI Autres types de soupapes contrôlées A TRIAC B Thyristor à blocage parla gâchette C Photothyristor D Thyristor à gâchette amplificatrice (ou Darlistor) Exercices Exercice de révision 79 83 85 88 89 97 99 102 103 105 Notices. Thyristors au silicium, série BT 101-BT 102 Thyristor TB 470 Triacs 6 et 8 Aeff Triacs TTAL 200 Darlistor D T 235 F Diac type DA 3 Thyristors 2N 3649, ® 2N 3653 TOP 107 110 113 117 119 123 124
