Optimisation de composants de puissance en carbure de silicium pour des applications d'électronique impulsionnelle Nicolas Dheilly, Laboratoire Ampère, INSA de Lyon [email protected] Cette thèse s'inscrit dans la continuité d'une collaboration entre l'ISL (Institut Saint-Louis) et le laboratoire Ampère sur la thématique de l'électronique impulsionnelle. Les applications de l'ISL nécessitent une électronique supportant une dizaine de kV et des impulsions de courants de plusieurs kA. En vue de réduire l'encombrement de cette électronique et d'en simplifier la commande, l'utilisation de semi-conducteurs grand gap tel que le carbure de silicium (SiC) devrait être une alternative intéressante aux composants en silicium. De part sa tenue en tension élevée et ses capacités en courant, le thyristor semble être le composant le plus adapté pour les applications de l'ISL. Les travaux de thèse se sont concentrés sur la conception de thyristors en SiC, et plus particulièrement sa protection périphérique, ainsi que la réalisation et la caractérisation de thyristors optiques SiC. Conception de la terminaison du thyristor Pour obtenir des tenues en tension élevées, les dopages et épaisseurs des épitaxies mais également la terminaison ou protection périphérique sont des éléments déterminants. La conception de cette dernière est facilitée par l'utilisation de logiciels de simulation à éléments finis. Le but de l'optimisation est d'avoir une protection périphérique efficace mais aussi le moins sensible possible aux incertitudes dues à la réalisation technologique des composants. La protection la plus utilisée pour la haute tension en SiC est appelée JTE (Junction Termination Extension) réalisée par implantation suivi d'un recuit à très haute température. Ce procédé a l'inconvénient d'endommager le matériau et d'avoir des incertitudes élevées sur les dopants électriquement actifs dans la zone implantée. Le matériau utilisé pour faire le thyristor nous permet de réaliser une JTE par gravure. La tenue en tension d'une telle structure est alors très liée à l'incertitude sur la gravure. L'utilisation d'une JTE graduelle, obtenue par des gravures successives, ou d'une JTE associée à des anneaux de garde gravés permettent de réduire la sensibilité à l'erreur sur le procédé de gravure du matériau et d'envisager une efficacité de protection supérieure à 90 %. Réalisation et caractérisation de thyristors optiques SiC Pour les systèmes haute tension, la commande optique apporte une isolation électrique naturelle de la commande et donc une réduction des interférences électromagnétiques conduites. La réalisation technologique d'une première série de thyristors optiques a été effectuée à l'ISL en utilisant les processus déjà optimisés par l'ISL. Un processus technologique "simple" a été choisi pour valider la faisabilité de la commande optique du thyristor. Deux échantillons de 1 × 1 cm2 ont servi à l'élaboration d'une cinquantaine de thyristors avec des surfaces actives allant jusqu'à 1.5 mm 2. La commutation des thyristors a été possible avec un laser dans un premier temps puis avec l'association de quatre DEL (Diodes Electro Luminescentes) UV pour obtenir une puissance suffisante. L'utilisation de DEL est intéressante car elle permet d'avoir une commande du thyristor plus compacte et avec un meilleur rendement que le laser. Le temps de montée du courant dans le thyristor est rapide (inférieure à 100 ns) mais le temps de délai est lui supérieur à 2 μs et dépend de la tension de polarisation et de l'intensité lumineuse. Perspectives De nouveaux composants alliant une protection périphérique efficace et une commande optique sont en cours de réalisation (deuxième lot). Ils permettront de valider le dimensionnement de la terminaison. Ces composants seront ensuite encapsulés de manière à évaluer le gain de la commande optique sur la mise en série ou en parallèle des thyristors. Enfin, la caractérisation de ces composants sous de fortes impulsions de courant devrait permettre de valider le potentiel du SiC pour des applications d'électronique impulsionnelle haute puissance.