4) Quelles caractéristiques doivent posséder le "gate drive" des MOSFET ?
Puisque le source du MOSFET devient au même potentiel que l'alimentation, le
"MOSFET gate driver" doit fournir des tensions plus élevées que le rail
d'alimentation (à la grille), ce qui exige l'utilisation d'alimentations secondaire.
Ex: Enroulement additionnel au transformateur principal, SMPS ou "charge
pump".
Également, un bon « Driver » doit offrir un impédance de sortie faible de façon à
sourcer et drainer un courant suffisant à la grille pour charger et décharger le
condensateur parasite Cgs. Bien qu’un courant de quelques pico ampères soit
suffisant pour maintenir un MOSFET polarisé. Le courant est beaucoup plus
important lors de la commutation.
Typiquement les MOSFET drives peuvent fournir jusqu'à 1A et + dans les
transitions.
5) Pourquoi ajoute t'on des résistances aux grilles des MOSFET ?
Pour limiter le courant et éviter d'endommager le C.I. "driver". Elles peuvent
aussi servir à limiter le bruit EMI et RFI générer par le circuit du fait que le
courant dans les MOSFET croit plus lentement. Permet de réduire le « ground
bounce ». Toutefois, cette résistance doit être relativement faible.
6) Quels sont les désavantages de telles résistances ?
Elles ralentissent le temps de d'amorçage « turn-on » et de désamorçage «turn-
off » des MOSFET, résultant en une dissipation de puissance plus grande.
Également elles peuvent causer du "shoot-trough" en augmentant le temps de
désamorçage «turn-off time» si elles sont mal choisi. Voir 13.A
7) Expliquez le phénomène de "shoot-trough" et ses implications.
Le shoot-trough se produit en général lorsque les transistors haut et bas
conduisent temporairement simultanément.
Il arrive, surtout en contrôle haché, que les transistors hauts et bas soient
commutés en alternances. Si, un transistor s'allume avant que l'autre n'ai eu le
temps de complètement s'éteindre, le "shoot-trough" sera observé pendant cette
période.
Ce phénomène augmente la dissipation de transition et peut même détruire les
transistors.
Ceci implique qu’il faut limiter le délais de désamorçage des transistors (par
rapport au délais d’amorçage).