Electronique analogique 1A - Rattrapage
2016-2017
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Electronique analogique 1 1h30.
RattrapageVendredi 3 mars 2017.
Une attention particulière sera portée au soin lors de la correction et de la notation (écrire
proprement, utiliser plusieurs couleurs, entourer les résultats avec une règle, etc.)
Aucun document n’est autorisé calculatrice autorisée.
7 pages, 2 exercices, note sur 20.
Exercice 1 Amplificateur source commune 10 pts.
On considère le montage source commune de la figure 1 (étudié en TP).
La tension de polarisation VPOL a été fixée à 2,2V afin d’obtenir une polarisation telle que
VDS = 5V.
Fig. 1 – Amplificateur source commune.
On donne RL=1 kΩ (résistance de charge), RPOL=10 kΩ (résistance de polarisation),
Cliaison=10 µF (capacité de liaison), et VDD=10V.
Une étude expérimentale en régime continu a permis de relever les caractéristiques statiques
du transistor NMOS : IDS = f(VDS) pour VGS = 2,2V et IDS = f(VGS) pour VDS = 5V. Elles sont
données respectivement figures 2 et 3.
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Fig. 2 – Caractéristique IDS = f(VDS) pour VGS = 2,2V.
Fig. 3 – Caractéristique IDS = f(VGS) pour VDS = 5V.
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a. Donner l’équation du courant ID traversant un transistor NMOS en régime saturé, vous
rappellerez également les conditions de polarisation en régime saturé.
Pour quelle valeur de vout le transistor entre-t-il en régime triode (utiliser les
caractéristiques statiques pour répondre à cette question) ?
b. Calculer IDS au point de polarisation choisi (VDS = 5 V, VGS = 2,2 V).
c. Dessiner le schéma de cet amplificateur source commune en régime AC (petits
signaux). En déduire l’expression littérale du gain en tension petits signaux Av.
d. Calculer la résistance de sortie du NMOS au point de polarisation.
e. Calculer la transconductance du NMOS au point de polarisation.
f. Dessiner sur les graphes fournis dans les pages suivantes les tensions vin et vout :
o pour un signal vin sinusoïdal de fréquence 1 kHz et d’amplitude 100 mV.
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vin"(mV)"
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