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Travaux pratiques – Etude d’un amplificateur MOS source commune
www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2015 1
Travaux pratiques – Etude d’un amplificateur source commune.
L’objet de ce TP est de familiariser les étudiants avec la polarisation et l’étude dynamique des
transistors MOS (ici NMOS) lorsqu’ils sont utilisés en amplification.
1. Schéma étudié.
Le circuit étudié, présenté figure 1, est un amplificateur source commune à un transistor : un
NMOS de type VN2222. Il s’agit d’un circuit à éléments discrets (par opposition aux circuits
intégrés). La finalité de ce montage est pédagogique, un circuit réel aurait très probablement
une architecture différente. En particulier, la polarisation est réalisée avec une 2ème source de
tension VPOL, en plus de la polarisation principale VDD, dans un but de manipulation pratique.
Fig. 1 – Amplificateur source commune MOS.
Liste des composants :
- VN2222, transistor NMOS discret,
- RD=1 kΩ, résistance de drain,
- RPOL=10 kΩ, résistance de polarisation,
- Cliaison=2,2 µF, capacité de liaison (attention à ne pas choisir une capacité
électrolytique).
On prendra VDD=10 V.
Les alimentations VDD et VPOL seront fournies par les alimentations stabilisées des établis.
Réalisation du montage :
Le montage sera réalisé sur plaque d’essais. Vous vous attacherez à réaliser un montage
soigné respectant un code couleur pour la clarté (le code couleur des figures 2, 3 et 4 n’est pas
forcement cohérent). La figure 2 propose une schématique du montage sur plaque d’essais. La
photographie correspondante est donnée figure 3.
RD#
RPOL#
VDD#
D
S
G
Cliaison#
VPOL#
Vin#
Vout#
gnd$
VDS#
IDS#

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Fig. 2 – Implantation de l’amplificateur source commune sur plaque d’essais.
Fig. 3 – Montage amplificateur source commune (plaque d’essais).
Fig. 4 – Connexion de l’alimentation et des appareils de mesure.
D
G
S
RD%
VDD%
RPOL%
VPOL%
Vout%
Cdec%
Vin%
gnd%
Segment'
conducteur'
Fil'
Connexion'
segment3fil'
.
Alimentation
Alim1
(0-20V)
Alim 2
(0-20V)
Alim 2
Ampère
mètre
.
Volt
mètre
VDD VPOL Vout gnd
Plaque d’essais
+ +
- -

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Compte-rendu :
Vous rédigerez un compte-rendu manuscrit qui sera ramassé en fin de séance.
1.1. Justifier le choix de Cliaison (valeur et technologie de la capacité).
1.2. Quelles sont les grandeurs caractéristiques du NMOS qui vont pouvoir être mesurées
au moyen de l’ampèremètre et du voltmètre ?
2. Polarisation (DC) du montage.
On souhaite polariser le montage de telle sorte que Vout=VDS=VDD/2.
Compte-rendu :
2.1. Calculer la valeur de IDS correspondante.
2.2. Pour quelle valeur de VPOL (obtenue expérimentalement) obtient-on cette
polarisation ? Quelle est la relation liant VPOL et VGS ?
3. Tracer des caractéristiques courant -tension.
Compte-rendu :
3.1. Tracer sur le papier millimétré joint la caractéristique IDS=f(VDS) du transistor pour la
valeur de VGS déterminée au 2. (vous tracerez la caractéristique pour VDS : 0 – 9V, on
pourra faire varier VDD).
3.2. En déduire r0 l’impédance de sortie du NMOS au point de polarisation.
3.3. En déduire également le rDS, on du NMOS (zone linéaire du régime triode). Comparer
la valeur obtenue à la notice du composant.
3.4. Tracer sur le papier millimétré joint la caractéristique IDS=f(VGS) du transistor pour
VDS = 5 V = cte (faire varier VDD pour pouvoir respecter cette contrainte).
3.5. En déduire gm la transconductance du NMOS au point de polarisation.
3.6. En déduire le gain en tension petits signaux de l’amplificateur source commune.

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4. Fonctionnement dynamique (AC) de l’amplificateur.
Connecter l’entrée Vin de l’amplificateur à un générateur de signaux délivrant une tension
sinusoïdale d’amplitude ~ 50 mV à la fréquence 1 kHz. Observer Vout à l’oscilloscope.
Compte-rendu :
4.1. Relever la forme du signal de sortie Vout. En déduire le gain petits signaux.
Commentaire ?
4.2. Que se passe-t-il lorsque l’amplitude du signal sinusoïdal augmente un peu ?
moyennement ? fortement ? Vous illustrerez vos réponses.
4.3. Pour RD = 1 kΩ et Vin,amplitude = 50 mV, trouver la fréquence de coupure du montage.
4.4. Visualiser Vin et Vout lorsque f : 1 kHz → fc. Commentaire ?
4.5. Question subsidiaire : Remplacer la résistance de charge RD=1 kΩ par une résistance
de 2,2 kΩ. Reprendre les questions précédentes (4.1 et 4.2). Commentaire ?
Bibliographie.
Sujet de TP adapté de :
Experiment 761 – AC Behavior of Semiconductor Devices, Institute of Nanoelectronics,
Hamburg University of Technology, 2012.
Emploi des condensateurs : document de Serge Dusausay
http://membres.multimania.fr/cepls/condensateur/condensateur.pdf
Annexe.
Polarité du transistor MOS VN2222 : vue 3D (fig. 5 gauche) et vue de dessus (fig. 5 droite).
Fig. 5 – Polarité VN2222.

© Semiconductor Components Industries, LLC, 2004
September, 2004 − Rev. 3
1Publication Order Number:
VN2222LL/D
VN2222LL
Preferred Device
Small Signal MOSFET
150 mAmps, 60 Volts
N−Channel TO−92
Features
•Pb−Free Packages are Available*
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
Drain −Source Voltage VDSS 60 Vdc
Drain−Gate Voltage (RGS = 1.0 M!) VDGR 60 Vdc
Gate−Source Voltage
− Continuous
− Non−repetitive (tp ≤ 50 "s)
VGS
VGSM
±20
±40
Vdc
Vpk
Drain Current
− Continuous
− Pulsed
ID
IDM
150
1000
mAdc
Tot al Pow er Di ssi pat ion @ TA = 25°C
Derate above 25°C
PD400
3.2
mW
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range TJ, Tstg −55 to
+150
°C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur
and reliability may be affected.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Max Unit
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient R#JA 312.5 °C/W
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes, 1/16# from case
for 10 seconds
TL300 °C
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
VN22
22LL
AYWW
D
G
TO−92
CASE 29
STYLE 22
N−Channel
S
123
1
Source
3
Drain
2
Gate
150 mA, 60 V
RDS(on) = 7.5 !
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
ORDERING INFORMATION
A= Assembly Location
Y= Year
WW = Work Week
MARKING DIAGRAM
& PIN ASSIGNMENT
http://onsemi.com