K.
Djernbo-Taty
et
al.
properties are altered when the pellets operate in contact with an aqueous
electrolyte, the resistivity of the bismuth-doped pellets decreasing strongly. The
behavior of the polycrystalline electrodes is similar to that of single crystal
electrodes
:
an applied anodic polarisation is entirely sustained in a single space
charge layer at the electrode-electrolyte interface. The results are a consequence of
the wetting of the grain boundaries by the electrolyte at the surface of the pellets
allowing a direct electron injection
in
the grain boundaries.
key
words
:
polycrystalline semiconducting electrodes, zinc oxide. grain
boundaries, varistors, electrical conduction.
INTRODUCTION
Les céramiques composites
à
base d'oxyde de zinc sont utilisées comme
matière première dans la fabrication des varistances
[l-31.
Leurs propriétés
électriques dépendent essentiellement de la nature et de la concentration d'additifs,
le plus souvent d'autres oxydes métalliques, qui y sont présents. Parmi tous les
additifs certains, tel Co, se substituent
à
Zn dans le réseau semiconducteur tandis
que d'autres, tel ~i~+ (le plus utilisé) ou les ions de terres rares trivalents, restent,
en raison de leur taille et de leur charge, confinés en surface des grains, aux joints
de grains, ou ils agissent en tant qu'activateurs. Leur présence permet le piégeage
de charges électriques
à
la surface des grains de Zn0 avec formation concomitante
de doubles barrières de Schottky.
L'utilisation d'électrodes semiconductrices polycristallines en électrochimie se
heurte précisement aux conséquences de la présence des joints de grains et des
barrières qui y sont associées. Alors que les propriétés électriques des électrodes
semiconductrices monocristallines sont décrites sur la base d'une interface
semiconducteur-électrolyte supportant la totalité de la polarisation
141,
les barrières
intergranulaires associées aux joints de grains dans les électrodes polycristallines
peuvent modifier les propriétés du semiconducteur et remettre en cause ce modèle
i51.
Du fait des nombreuses dislocations que sont, en réalité, les joints de grains, la
surface des électrodes en contact avec l'électrolyte se trouve auzmentée dans des
proportions qui rendent tout calcul aléatoire et qui ne permettent l'application
d'aucun modèle précis. De plus, les mesures d'impédance susceptibles de conduire
à
la détermination des caractéristiques du semiconducteur, ne donnent qu'une image
des charges piégées dans les dislocations en surface
[4].
Enfin, les joints de grains
sont autant de lieux de recombinaison réduisant les performances des électrodes
[5].
Des électrodes semiconductrices de Zn0 ou Ti02 po!ycristallin, ont fait l'objet
de quelques études et ont été comparées aux électrodes monocristallines analogues,